半導(dǎo)體器件制造技術(shù)

一種半導(dǎo)體器件可以包括：襯底，包括溝槽和接觸凹陷，接觸凹陷具有彎曲的表面輪廓；導(dǎo)電圖案，位于溝槽中；掩埋接觸，包括填充所述接觸凹陷的第一部分和位于第一部分上的第二部分；以及間隔物結(jié)構(gòu)，包括第一間隔物和第二間隔物。第二部分可以為柱狀，并且其寬度小于第一部分的頂表面的寬度。掩埋接觸可以通過間隔物結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電圖案間隔開。第一間隔物可以在間隔物結(jié)構(gòu)的最外部分處位于掩埋接觸的第一部分上。第一間隔物可以沿著掩埋接觸的第二部分延伸并接觸掩埋接觸。第二間隔物沿著導(dǎo)電圖案的側(cè)表面和溝槽延伸。第二間隔物可以接觸導(dǎo)電圖案。第一間隔物可以包括氧化硅。圖案。第一間隔物可以包括氧化硅。圖案。第一間隔物可以包括氧化硅。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
半導(dǎo)體器件
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2020年9月17日提交的韓國專利申請No.10
?
2020
?
0119799的優(yōu)先權(quán)，上述韓國專利申請的公開內(nèi)容以引用的方式全部合并于本申請中。


[0003]本公開涉及半導(dǎo)體器件。

技術(shù)介紹

[0004]隨著半導(dǎo)體器件變得高度集成，用于在任何給定區(qū)域中實現(xiàn)盡可能多的半導(dǎo)體器件的各個電路圖案變得更加復(fù)雜。
[0005]同時，隨著半導(dǎo)體存儲器件的集成密度增加，寄生電容和/或漏電流的影響逐漸增加。由于寄生電容和漏電流降低了半導(dǎo)體器件的工作特性，因此需要能夠降低和/或最小化寄生電容和漏電流的半導(dǎo)體器件。

技術(shù)實現(xiàn)思路

[0006]本公開的實施例提供了具有改善的工作特性的半導(dǎo)體器件。
[0007]然而，本公開的實施例不限于這里闡述的那些。通過參考下面給出的本公開的詳細描述，本公開的上述和其他實施例對于本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將變得更加明顯。
[0008]根據(jù)本公開的實施例，半導(dǎo)體器件可以包括：襯底，所述襯底包括溝槽和接觸凹陷，所述接觸凹陷具有彎曲的表面輪廓；導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案位于所述溝槽中，并且所述導(dǎo)電圖案的寬度小于所述溝槽的寬度；掩埋接觸，所述掩埋接觸包括第一部分和位于所述第一部分上的第二部分，所述第一部分填充所述接觸凹陷，所述第二部分為柱狀，并且所述第二部分的寬度小于所述第一部分的頂表面的寬度；以及間隔物結(jié)構(gòu)，所述間隔物結(jié)構(gòu)位于所述導(dǎo)電圖案的側(cè)表面上。所述間隔物結(jié)構(gòu)可以包括第一間隔物和第二間隔物。所述掩埋接觸可以通過所述間隔物結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電圖案間隔開。所述第一間隔物可以在所述間隔物結(jié)構(gòu)的最外部分處位于所述掩埋接觸的所述第一部分上。所述第一間隔物可以沿著所述掩埋接觸的所述第二部分延伸并接觸所述掩埋接觸。所述第二間隔物可以沿著所述導(dǎo)電圖案的所述側(cè)表面和所述溝槽延伸。所述第二間隔物可以接觸所述導(dǎo)電圖案。所述第一間隔物可以包括氧化硅。
[0009]根據(jù)本公開的實施例，半導(dǎo)體器件可以包括：襯底，所述襯底包括隔離膜和由所述隔離膜限定的有源區(qū)，所述有源區(qū)在第一方向上布置；多個掩埋接觸，所述多個掩埋接觸連接至所述有源區(qū)并在第二方向上布置，所述第二方向不同于所述第一方向，所述多個掩埋接觸包括第一部分和位于所述第一部分上的第二部分，所述第一部分沉陷到所述隔離膜和所述有源區(qū)中，所述第二部分的寬度小于所述第一部分的頂表面的寬度，并且所述第二部分為柱狀，所述第一部分的寬度隨著遠離所述襯底的頂表面而減小；多個位線結(jié)構(gòu)，所述多
個位線結(jié)構(gòu)位于所述多個掩埋接觸之間，并且在第三方向上延伸跨過所述有源區(qū)，所述第三方向與所述第二方向相交，所述多個位線結(jié)構(gòu)包括與所述有源區(qū)交疊的第一位線結(jié)構(gòu)和與所述隔離膜交疊的第二位線結(jié)構(gòu)，所述第一位線結(jié)構(gòu)和所述第二位線結(jié)構(gòu)被布置為使得所述多個掩埋接觸的所述第一部分位于所述第一位線結(jié)構(gòu)與所述第二位線結(jié)構(gòu)之間；以及間隔物結(jié)構(gòu)，所述間隔物結(jié)構(gòu)沿著所述多個位線結(jié)構(gòu)的側(cè)表面在所述第三方向上延伸。所述間隔物結(jié)構(gòu)可以包括第一間隔物。所述第一間隔物可以包括氧化硅。所述第一間隔物可以位于所述間隔物結(jié)構(gòu)的最外部分處，并且可以沿著所述多個掩埋接觸的所述第二部分的側(cè)表面延伸。
[0010]根據(jù)本公開的實施例，半導(dǎo)體器件可以包括：襯底，所述襯底包括柵極溝槽；柵電極，所述柵電極填充所述柵極溝槽的一部分并在第一方向上延伸；源極/漏極區(qū)，所述源極/漏極區(qū)位于所述柵電極的側(cè)表面上；掩埋接觸，所述掩埋接觸電連接至所述源極/漏極區(qū)并在第一方向上布置，所述掩埋接觸包括第一部分和第二部分；定位焊盤，所述定位焊盤位于所述掩埋接觸上；電容器結(jié)構(gòu)，所述電容器結(jié)構(gòu)位于所述定位焊盤上并電連接至所述定位焊盤和所述掩埋接觸；位線結(jié)構(gòu)，所述位線結(jié)構(gòu)在所述掩埋接觸之間在第二方向上延伸，所述第二方向與所述第一方向相交，所述位線結(jié)構(gòu)在所述第一方向上彼此間隔開，并且所述位線結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電圖案和位于所述導(dǎo)電圖案上的覆蓋圖案；以及間隔物結(jié)構(gòu)，所述間隔物結(jié)構(gòu)位于所述位線結(jié)構(gòu)的側(cè)表面上，所述間隔物結(jié)構(gòu)在所述第二方向上延伸。在沿所述第一方向截取的截面圖中，所述掩埋接觸的所述第一部分可以沉陷到所述襯底中并且可以具有朝向所述襯底凸出的半橢圓形狀，并且所述掩埋接觸的所述第二部分可以具有寬度小于所述第一部分的頂表面的寬度的柱狀。所述間隔物結(jié)構(gòu)可以包括第一間隔物和第二間隔物，所述第一間隔物和所述第二間隔物包括氧化硅。所述掩埋接觸的所述第二部分可以通過所述間隔物結(jié)構(gòu)與所述位線結(jié)構(gòu)間隔開。所述第一間隔物可以接觸所述掩埋接觸的所述第二部分。所述第二間隔物可以接觸所述位線結(jié)構(gòu)的所述側(cè)表面。所述掩埋接觸的所述第一部分和所述第二部分之間的邊界可以位于與所述第一間隔物的底表面相同的平面上。
[0011]根據(jù)以下詳細描述、附圖和權(quán)利要求，其他特征和實施例可以是顯而易見的。
附圖說明
[0012]通過參考附圖詳細描述本公開的實施例，本公開的以上以及其他實施例和特征將變得更加明顯，其中：
[0013]圖1是根據(jù)本公開的一些實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；
[0014]圖2是沿著圖1的線A
?
A截取的截面圖；
[0015]圖3是圖2的區(qū)域R的放大截面圖；
[0016]圖4是沿著圖1的線B
?
B截取的截面圖；
[0017]圖5是根據(jù)本公開的一些實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖；
[0018]圖6是根據(jù)本公開的一些實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖；
[0019]圖7至圖15是示出根據(jù)本公開的一些實施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的截面圖；
[0020]圖16是示出根據(jù)本公開的一些實施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的截面圖；以及
[0021]圖17是示出根據(jù)本公開的一些實施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的截面圖。
具體實施方式
[0022]當在本說明書中結(jié)合數(shù)值使用術(shù)語“大約”或“基本上”時，其意圖是相關(guān)的數(shù)值包括所述數(shù)值周圍的制造或操作公差(例如，
±
10％)。此外，當詞語“大體上”和“基本上”與幾何形狀結(jié)合使用時，其意圖是不要求幾何形狀的精度，但是該形狀的范圍在本公開的范圍內(nèi)。此外，不管數(shù)值或形狀是被修飾為“大約”還是“基本上”，應(yīng)該理解的是，這些數(shù)值和形狀應(yīng)該被解釋為包括所述數(shù)值或形狀周圍的制造或操作公差(例如，
±
10％)。
[0023]諸如
“…
中的至少一個(種)”的表述當在元素列表(例如，A、B和C)之后時，修飾整個元素列表，而不修飾列表中的個別元素。例如，“A、B和C中的至少一個(種)”、“A、B或C中的至少一個(種)”、“A、B、C或它們的組合中的一個(種)”和“A、B、C和它們的組合中的一個(種)”可以分別理解為覆蓋下列組合中的任何一種：A；B；A和B；A和C；B和C；以及A、B和C。
[0024]圖1是根據(jù)本公開的一些實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖。圖2是沿著圖1的線A
?...

【技術(shù)保護點】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：襯底，所述襯底包括溝槽和接觸凹陷，所述接觸凹陷具有彎曲的表面輪廓；導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案位于所述溝槽中，并且所述導(dǎo)電圖案的寬度小于所述溝槽的寬度；掩埋接觸，所述掩埋接觸包括第一部分和位于所述第一部分上的第二部分，所述第一部分填充所述接觸凹陷，所述第二部分為柱狀，并且所述第二部分的寬度小于所述第一部分的頂表面的寬度；以及間隔物結(jié)構(gòu)，所述間隔物結(jié)構(gòu)位于所述導(dǎo)電圖案的側(cè)表面上，所述掩埋接觸通過所述間隔物結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電圖案間隔開，所述間隔物結(jié)構(gòu)包括第一間隔物和第二間隔物，所述第一間隔物在所述間隔物結(jié)構(gòu)的最外部分處位于所述掩埋接觸的所述第一部分上，所述第一間隔物沿著所述掩埋接觸的所述第二部分延伸并接觸所述掩埋接觸，所述第二間隔物沿著所述導(dǎo)電圖案的所述側(cè)表面和所述溝槽延伸，所述第二間隔物接觸所述導(dǎo)電圖案，并且所述第一間隔物包括氧化硅。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述掩埋接觸的所述第一部分的寬度隨著遠離所述襯底的頂表面而減小。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述掩埋接觸的所述第一部分與所述掩埋接觸的所述第二部分之間的邊界位于與所述第一間隔物的底表面相同的平面上，并且所述第二間隔物包括氧化硅。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述間隔物結(jié)構(gòu)還包括第三間隔物和第四間隔物，所述第三間隔物位于所述第二間隔物上并填充所述溝槽，所述第四間隔物位于所述第三間隔物上，并且填充所述第一間隔物與所述第二間隔物之間的間隙，并且所述第四間隔物包括氧化硅。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一間隔物的至少一部分與所述第三間隔物接觸。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述掩埋接觸的所述第一部分的頂表面定位成低于所述第三間隔物的最上頂表面。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述掩埋接觸的所述第一部分的至少一部分與所述第三間隔物接觸。8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第三間隔物包括氮化硅。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電圖案包括直接接觸和位線結(jié)構(gòu)，所述直接接觸位于所述溝槽中，所述位線結(jié)構(gòu)位于所述直接接觸上，并且
所述直接接觸的頂表面定位成高于所述掩埋接觸的所述第一部分的所述頂表面。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述直接接觸的寬度小于所述位線結(jié)構(gòu)的寬度。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還包括：定位焊盤，所述定位焊盤位于所述掩埋接觸上；以及電容器結(jié)構(gòu)，所述電容器結(jié)構(gòu)位于所述定位焊盤上，其中所述電容器結(jié)構(gòu)電連接至所述定位焊盤和所述掩埋接觸。12.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：襯底，所述襯底包括隔離膜和由所述隔離膜限定的有源區(qū)，所述有源區(qū)在第一方向上布置；多個掩埋接觸，所述多個掩埋接觸連接至所述有源區(qū)并在第二方向上布置，并且所述第二方向不同于所述第一方向，所述多個掩埋接觸包括第一部分和位于所述第一部分上的第二部分，所述第一部分沉陷到所述隔離膜和所述有源區(qū)中，所述第二部分的寬度小于所述第一部分的頂表面的寬度，并且所述第二部分為柱狀，所述第一部分的寬度隨著遠離所述襯底的頂表面而減小；多個位線結(jié)構(gòu)，所述多個位線結(jié)構(gòu)位于所述多個掩埋接觸之間，并且在第三方向上延伸跨過所述有源區(qū)，并且所述第三方向與所述第二方向相交，所述多個位線結(jié)構(gòu)包括與所述有源區(qū)交疊的第一位線結(jié)構(gòu)和與所述隔離膜交疊的第二位線結(jié)構(gòu)，所述第一位線結(jié)構(gòu)和所述第二位線結(jié)構(gòu)被布置為使得所述多個掩埋接觸的所述第一部分位于所述第一位線結(jié)構(gòu)與所述第二位...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：金真雅，柳鎬仁，蔡教錫，崔準容，
申請(專利權(quán))人：三星電子株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：