無芯片的浪涌吸收器制造技術(shù)

一種不具芯片的浪涌吸收器，包含有：一對導(dǎo)線端子，這對導(dǎo)線端子具有形成放電極的寬尖端；密封墊片，安裝且固定在該導(dǎo)線端子之導(dǎo)線部分；和殼體，其中各導(dǎo)線端子從機(jī)殼兩側(cè)開口端插入，且當(dāng)放電極固定有間距對立位置上時(shí)，所述的密封墊片氣密式地固定在該機(jī)殼上。（*該技術(shù)在2020年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及電子元件，詳言之，是關(guān)于不具芯片的浪涌吸收器(管)。導(dǎo)致浪涌離散波和靜電干擾等等為電子元件的根深抵固的障礙。高壓雜波會(huì)導(dǎo)致電子元件中半導(dǎo)體元件的錯(cuò)誤操作，且有時(shí)候甚至?xí)茐陌雽?dǎo)體或裝置本身。然而，使用浪涌吸收器可解決這些問題。傳統(tǒng)的浪涌吸收器一般在絕緣微間隙之間安置芯片或放電磁芯，且將所述芯片密封于玻璃殼體內(nèi)。例如，在由三鈴材料公司(Mitsubishi Materials K.K.公)所制造的微間隙浪涌吸收器中，在陶制磁芯上形成一層導(dǎo)電薄膜，且在芯片兩端固定有帽狀金屬電極。然后，藉由激光光束將導(dǎo)電薄膜移除，形成間隙或微間隙。其后，將以此方式形成的放電芯片(放電磁芯)密封于玻璃管內(nèi)。因此，在傳統(tǒng)芯片形式的浪涌吸收器內(nèi)，可由微間隙或稱(以間隙形式呈現(xiàn)溝槽)寬度決定放電電壓。再者，傳統(tǒng)上，已知以微溝槽分割導(dǎo)電薄膜而形成的浪涌吸收器。然而，要在此種型式的浪涌吸收器中自由選擇切換電壓是很困難的，所以，嚴(yán)重地限制其使用性。為了克服這一缺點(diǎn)，美國專利第4,727,350號披露一種浪涌吸收器，它包含有交錯(cuò)式微溝槽之導(dǎo)電薄膜覆蓋柱狀管形磁芯，且將其密封于玻璃殼體內(nèi)。在日本公開特許公報(bào)第平成8-306467號中，本專利技術(shù)人同樣提出了可解決上述問題的浪涌吸收器。在此浪涌吸收器中，將管芯放置在殼體中的一對電極之間，且在氣室內(nèi)充滿惰性氣體。這種配置使得浪涌吸收器能吸收較傳統(tǒng)更高的切換電壓。然而，上述每一個(gè)浪涌吸收器均是由預(yù)先形成決定其放電特性的放電芯片或放電管，然后將此芯片或管芯密封在殼體中進(jìn)行組裝制成的。因此其結(jié)構(gòu)復(fù)雜、制造程序煩瑣，所以很難降低生產(chǎn)成本。特別是在最近幾年內(nèi)，要求浪涌吸收器安裝在電子元件內(nèi)以便可保護(hù)元件及減少電源供應(yīng)器的電壓波動(dòng)。因此，由于上述的種種問題將直接導(dǎo)致整體裝備的成本增加。另外，傳統(tǒng)浪涌吸收器放電電流將流過管芯。因此這些浪涌吸收器將無法抗衡高切換電壓，如10000伏特，且無法在吸收浪涌的同時(shí)，亦可完全吸收大量浪涌能。結(jié)果導(dǎo)致的問題是，因?yàn)榇藲堄嚯妷海詫⒃陔娐废到y(tǒng)中產(chǎn)生伴隨電流(follow current)(這是由殘余電壓所引起的電流，將流入受保護(hù)的電子元件)。再者，在傳統(tǒng)裝置中，問題是切換電壓將隨管狀磁芯的特性而變化。為了解決此問題，本專利技術(shù)之申請者在所提出的日本專利申請第平成10-189486號中提供因結(jié)構(gòu)簡單而可大量制造的浪涌吸收器，它可適用在大范圍的浪涌電壓和最大浪涌電流的情況。依據(jù)先前所提出的專利技術(shù)，本專利技術(shù)人提出可在大范圍切換電壓中進(jìn)行浪涌吸收的改進(jìn)式浪涌吸收器。此種浪涌吸收器可瞬間吸收大量的能量，因?yàn)樵谖胀徊ǖ耐瑫r(shí)，其電阻亦大大地降低。可以確保將先前在吸收浪涌波后所遺留下的任何殘余電壓完全去除。因此可避免由殘余電壓產(chǎn)生伴隨電流。再者，可藉由設(shè)計(jì)浪涌吸收器之各零件微調(diào)各種放電電壓、放電速度和浪涌波承受量(浪涌電流)的浪涌吸收器。先前專利技術(shù)所提出的浪涌吸收器的特性是將一對具有導(dǎo)線端子的電極相隔一定距離放置，在此特定距離下，將殼體倆端熔化并使其熔接至放電極或?qū)Ь€端子上。在先前的專利技術(shù)中，因?yàn)檫@對放電極精確地維持在此種配置下，所以可使放電極在殼體中相隔特定距離而互相對立。但是，當(dāng)維持此種配置時(shí)，另要加熱殼體，電極或?qū)Ь€端子焊接密封在殼體中。這種方式可任意選擇二個(gè)放電極之間的距離，并可方便地精確調(diào)整其距離。然而，在上述
技術(shù)介紹
中，必須使用具有不同直徑的各種放電極，以便提供用于各種浪涌電壓標(biāo)準(zhǔn)的浪涌吸收器。本浪涌吸收管的特性，特別是浪涌電壓和最大浪涌電流，是由對立放置的電極間隙、氣室大小、以及電極形狀等各種因素決定的。然而，放電極直徑是決定浪涌吸收器特性的最主要因素，因此，為處理各種標(biāo)準(zhǔn)的浪涌的電壓，必須提供各種具有不同半徑的電極。已知如Ishizuka Electronic K.K.公司所制造的氣體管狀避雷器為典型的不具芯片的浪涌吸收器。在此傳統(tǒng)裝置中，其電極是對立放置的，且藉由如玻璃等絕緣材料使其分隔一定距離。然而，該避雷器對立電極間距離是由絕緣管的長度來決定，并且絕緣管與電極焊接在一起。此種結(jié)構(gòu)需要準(zhǔn)備非常多的，具有不同長度的絕緣管，以便提供不同型式對立的電極對，換句話說，即各種距離間隔的對立的電極。因此利用這種結(jié)構(gòu)，在實(shí)際上不可能獲得不具芯片且能夠應(yīng)用在大范圍放電電壓及最大浪涌電流的浪涌吸收器。再者，因?yàn)榻^緣管是玻璃制的，并且電極間距是由絕緣管長度來決定，所以假如絕緣管和電極是藉由加熱焊接在一起，則電極間之臨界距離將會(huì)隨時(shí)變動(dòng)。在此狀態(tài)下，不能使用加熱焊接，且必須在絕緣管和電極接點(diǎn)表面進(jìn)行熱熔接。在進(jìn)行熔接處理之期間，其氣室將因熔化等因素嚴(yán)重污染，并導(dǎo)致放電特性極度惡化。為了解決現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的上述問題。本專利技術(shù)目的是為了提供具有簡單結(jié)構(gòu)，且能夠輕易地提供可處理很大浪涌波特性范圍的多重型式改進(jìn)的浪涌吸收管。為了完成上述目的，本專利技術(shù)所提供的浪涌吸收器，包含一對具有做為放電極的已加寬尖端的導(dǎo)線端子；安裝及固定在導(dǎo)線端子上的導(dǎo)線部分的密封墊片和殼體；其中這對具有密封墊片，固定于其上的導(dǎo)線端子是從殼體雙側(cè)的開口端插入，當(dāng)將放電極維持在對立分開特定距離的位置時(shí)，該兩個(gè)密封墊片可隨意固定在殼體上。再者，為了完成上述目的，本專利技術(shù)提供一種浪涌吸收器，它包含一對具有做為放電極的已加寬尖端的導(dǎo)線端；安裝及固定在導(dǎo)線端子上的導(dǎo)線部分的密封墊片和殼體，其中這對具有密封墊片固定于其上的導(dǎo)線端子是從殼體雙側(cè)的開口端插入，當(dāng)將放電極維持在對立且分開特定距離的位置時(shí)，該兩個(gè)密封墊片是焊接在殼體的內(nèi)壁。依據(jù)本專利技術(shù)的裝置，放電極是由導(dǎo)線端子尖端變寬而形成的，它可從相同直徑導(dǎo)線端子經(jīng)過加寬程序而形成各種尺寸的放電極。因?yàn)楸緦＠夹g(shù)放電極并不需要固定在殼體上，所以可將具有相同尺寸不同直徑的放電極放在殼體內(nèi)側(cè)。使用相同直徑的導(dǎo)線端子和殼體，及為導(dǎo)線端子的尖端選擇各種放寬尺度的直徑，這樣可輕易地提供有不同標(biāo)準(zhǔn)浪涌電壓的浪涌吸收器。再者，依據(jù)本專利技術(shù)的裝置，其殼體和密封墊片可以是固定的，也可以互換的，所以當(dāng)具有放電極導(dǎo)線端子的相關(guān)位置已精確固定時(shí)，將殼體加熱與密封墊片熔接在一起。在此方法中，本專利技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)為可以輕易地，精確地完成各種形式電極的相對位置。另外，本專利技術(shù)浪涌吸收器的特性為殼體的氣室充滿純凈、干燥的空氣或含有純凈、干燥空氣和惰性氣體或氫氣等混合氣體。依據(jù)本專利技術(shù)這一構(gòu)思，當(dāng)將一對放電極分開特定空隙時(shí)，將放電極放置于殼體內(nèi)，氣室填滿純凈、干燥空氣和惰性氣體或氫氣體等之混合氣體。藉由這種特別簡單的結(jié)構(gòu)，使得浪涌吸收器可適當(dāng)?shù)靥幚砀咔袚Q電壓的浪涌波。再者，因?yàn)樵诮^緣體放電的同時(shí)，氣室內(nèi)的氣體阻抗是非常的低，所以當(dāng)浪涌電壓導(dǎo)致氣體的電介質(zhì)擊穿時(shí)，其操作阻抗將非常的低。因此，就算是高切換電壓下亦能瞬間吸收浪涌波，也可有效地避免典型殘余電壓生成。因?yàn)樵陔姌O間具有正常氣室的浪涌吸收器是公知的氣體管避雷器，所以密封在本專利技術(shù)氣室內(nèi)的氣體是絕緣純凈和干燥之氣體。因此，在氣室內(nèi)對立電極間所發(fā)生電介質(zhì)擊穿將維持在穩(wěn)定的狀態(tài)下，可確保提供一個(gè)非常有實(shí)用價(jià)值的浪涌吸收途徑。再者，密封于氣室內(nèi)的純凈且干燥的氣體可以具有小于5％的相對濕度，且其純凈度為99.99％(0.5umDOP)，這比經(jīng)由過濾一般空氣而獲得的純凈度更高。除了此干凈空氣，本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種不具芯片的浪涌吸收器，其特征在于：它包含有： 具有形成放電極的寬尖端的一對導(dǎo)線端子； 安裝且固定在該導(dǎo)線端子的含導(dǎo)線部分的密封墊片；和 殼體，其中， 所述的每個(gè)導(dǎo)線端子從該殼體兩側(cè)開口端插入，且當(dāng)放電極固定在分開特定距離的對立位置時(shí)，將此二密封墊片氣密式地固定在該殼體上。

【技術(shù)特征摘要】
JP 1999-3-16 平成11-696621.一種不具芯片的浪涌吸收器，其特征在于它包含有具有形成放電極的寬尖端的一對導(dǎo)線端子；安裝且固定在該導(dǎo)線端子的含導(dǎo)線部分的密封墊片；和殼體，其中，所述的每個(gè)導(dǎo)線端子從該殼體兩側(cè)開口端插入，且當(dāng)放電極固定在分開特定距離的對立位置時(shí)，將此二密封墊片氣密式地固定在該殼體上。2.一種不具芯片的浪涌吸收器，其特征在于，它包含有具有形成放電極的寬尖端的一對導(dǎo)線端子；安裝且固定在前述導(dǎo)線端子的導(dǎo)線部分的密封墊片；和殼體，其中所述的每個(gè)導(dǎo)線端子從該殼體兩側(cè)開口端插入，且當(dāng)放電極固定在分開特定距離的對立位置時(shí)，將此二密封墊片焊接在該殼體...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：楊炳霖，
申請(專利權(quán))人：楊炳霖，
類型：發(fā)明
國別省市：JP[日本]