微帶天線和終端設備制造技術

本實用新型專利技術公開了一種微帶天線和終端設備，該微帶天線包括：介質基片；輻射貼片，設置于所述介質基片的第一面上，所述輻射貼片上刻蝕有暴露所述介質基片表面的第一U型槽和第二U型槽，所述第一U型槽設置于第二U型槽限定的區域內，所述第二U型槽限定的區域的最大尺寸被第二U型槽的長度所限定，所述第一U型槽和第二U型槽的開口方向相同；接地板，設置于所述介質基片的與所述第一面相對的第二面上；饋電點，設置于所述第一U型槽限定的區域內。本實用新型專利技術采用雙U型開槽的方式，且兩個U型開槽開口方向相同，在同樣帶寬條件下將介質厚度降低了30％。30％。30％。

【技術實現步驟摘要】
微帶天線和終端設備


[0001]本技術是關于一種天線，特別是關于一種微帶天線和終端設備。

技術介紹

[0002]微帶天線由于其具有體積小，質量輕，易集成等特點在無線系統中有廣泛的影響。但是其最主要的缺點是帶寬窄，目前有很多方法采用雙諧振的方式拓展帶寬，如U型開槽、E型開槽、多層天線等方法，但是上述產生雙諧振的方法要求介質厚度足夠厚，介質厚度的增加會導致表面波增強，天線間的耦合增大，天線與系統之間的耦合增大。
[0003]公開于該
技術介紹
部分的信息僅僅旨在增加對本技術的總體背景的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域一般技術人員所公知的現有技術。

技術實現思路

[0004]本技術的目的在于提供一種微帶天線和終端設備，其能夠解決現有技術中介質厚度大的問題。
[0005]為實現上述目的，本技術提供了一種微帶天線，包括：
[0006]介質基片；
[0007]輻射貼片，設置于所述介質基片的第一面上，所述輻射貼片上刻蝕有暴露所述介質基片表面的第一U型槽和第二U型槽，所述第一U型槽設置于第二U型槽限定的區域內，所述第二U型槽限定的區域的最大尺寸被第二U型槽的長度所限定，所述第一U型槽和第二U型槽的開口方向相同；
[0008]接地板，設置于所述介質基片的與所述第一面相對的第二面上；
[0009]饋電點，設置于所述第一U型槽限定的區域內。
[0010]在一個或多個實施方式中，所述饋電點設置于第一U型槽限定的矩形區域的中心，和/或所述饋電點設置于第二U型槽限定的矩形區域的中心。
[0011]在一個或多個實施方式中，所述第一U型槽包括第一水平槽以及自第一水平槽兩端向同方向延伸的第一豎直槽和第二豎直槽，第一水平槽分別與第一豎直槽和第二豎直槽垂直設置，所述第一水平槽、第一豎直槽和第二豎直槽均為矩形。
[0012]在一個或多個實施方式中，所述第二U型槽包括第二水平槽以及自第二水平槽兩端向同方向延伸的第三豎直槽和第四豎直槽，第二水平槽分別與第三豎直槽和第四豎直槽垂直設置，所述第二水平槽、第三豎直槽和第四豎直槽均為矩形。
[0013]在一個或多個實施方式中，所述介質基片的厚度為0.02λ0～0.1λ0，優選為0.02λ0～0.06λ0，更優選為0.02λ0～0.04λ0。
[0014]在一個或多個實施方式中，所述介質基片和所述接地板均開設有用于同軸饋電探針穿過的通孔，所述同軸饋電探針與所述饋電點連接。
[0015]為實現上述目的，本技術還提供了一種終端設備，包括所述的微帶天線。
[0016]與現有技術相比，本技術采用雙U型開槽的方式，且兩個U型開槽開口方向相同，在同樣帶寬條件下將介質厚度降低了30％。
附圖說明
[0017]圖1是根據本技術一實施方式的微帶天線的剖面圖。
[0018]圖2是根據本技術一實施方式的微帶天線的俯視圖。
[0019]圖3是根據本技術一實施方式的等效的匹配網絡示意圖。
[0020]圖4是根據本技術一實施方式的微帶天線的回波損耗和天線效率與現有技術的對比示意圖。
[0021]圖5是根據本技術一實施方式的微帶天線的帶寬與現有技術的比較示意圖。
具體實施方式
[0022]下面結合附圖，對本技術的具體實施方式進行詳細描述，但應當理解本技術的保護范圍并不受具體實施方式的限制。
[0023]除非另有其它明確表示，否則在整個說明書和權利要求書中，術語“包括”或其變換如“包含”或“包括有”等等將被理解為包括所陳述的元件或組成部分，而并未排除其它元件或其它組成部分。
[0024]如圖1至圖2所示，根據本技術一實施方式的微帶天線，包括介質基片10、輻射貼片20、接地板30和饋電點40。輻射貼片30設置于所述介質基片10的第一面上；接地板30設置于所述介質基片10的與所述第一面相對的第二面上。
[0025]在優選的實施例中，輻射貼片20采用矩形貼片，其邊尺寸L為0.2λ0到0.5λ0，邊尺寸W為L的1.2～1.8倍，具體尺寸根據不同的介質的介電常數和厚度進行調節。
[0026]本實施例提到的金屬貼片可以是任意導電金屬，例如，可以為銅金屬貼片或鋁金屬貼片。
[0027]輻射貼片20上刻蝕有暴露所述介質基片10表面的第一U型槽21和第二U型槽22，所述第一U型槽21設置于第二U型槽22限定的區域內，所述第一U型槽21和第二U型槽22的開口方向相同，饋電點40設置于所述第一U型槽21限定的區域內。
[0028]本案中，第一U型槽21或第二U型槽22限定的區域，是指第一U型槽21或第二U型槽22的內圈圍成的最大區域，該區域的最大尺寸被第一U型槽21或第二U型槽22長度所限定。也就是說，第一U型槽21不會延伸出第二U型槽的開口。第一U型槽21在第二U型槽22的內部，作用是調節高頻的匹配。
[0029]本案中，通過雙U型開槽的方式，增加的一個U型開槽可以等效為一個匹配網絡，參圖3所示，其改善了原有雙諧振模式中高頻部分的匹配，從而實現了在介質厚度較小的條件下仍然能激發出雙諧振。
[0030]在一些實施例中，第一U型槽21和第二U型槽22限定的區域的中心重疊，饋電點40設置于該重疊的中心位置。
[0031]需要說明的是，饋電點通常位于第一U型槽21的最大內切圓的圓心，圖2中以饋電點為圓心的圓只是為了示意饋電點的位置，并不代表實際中輻射貼片上具有該圓。
[0032]在一些實施例中，所述第一U型槽21包括第一水平槽211以及自第一水平槽211兩
端向同方向延伸的第一豎直槽212和第二豎直槽213，第一水平槽211分別與第一豎直槽212和第二豎直槽213垂直設置，所述第一水平槽211、第一豎直槽212和第二豎直槽213均為矩形。第一水平槽211、第一豎直槽212和第二豎直槽213拼接成的形狀類似英文大寫字母“U”。
[0033]在一些實施例中，第二U型槽22包括第二水平槽221以及自第二水平槽221兩端向同方向延伸的第三豎直槽222和第四豎直槽223，第二水平槽221分別與第三豎直槽222和第四豎直槽223垂直設置，所述第二水平槽221、第三豎直槽222和第四豎直槽223均為矩形。第二水平槽221、第三豎直槽222和第四豎直槽223拼接成的形狀類似英文大寫字母“U”。
[0034]可以理解的是，對于以上提到的第一U型槽21、第二U型槽22等的具體尺寸需要依據實際情況確定，本實施例不作限定。
[0035]在一些實施例中，輻射貼片和接地板的厚度為0.5oz～1oz。所述介質基片的厚度為0.02λ0到0.1λ0，優選為0.02λ0到0.04λ0，例如可以為0.02λ0、0.03λ0、0.04λ0。
[0036]本實施例提到的介質基片10的材質不作限定，例如可以為亞克力介質板，其介電常數可以為3.2。
[0037]介質基本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種微帶天線，其特征在于，包括：介質基片；輻射貼片，設置于所述介質基片的第一面上，所述輻射貼片上刻蝕有暴露所述介質基片表面的第一U型槽和第二U型槽，所述第一U型槽設置于第二U型槽限定的區域內，所述第二U型槽限定的區域的最大尺寸被第二U型槽的長度所限定，所述第一U型槽和第二U型槽的開口方向相同；接地板，設置于所述介質基片的與所述第一面相對的第二面上；饋電點，設置于所述第一U型槽限定的區域內。2.如權利要求1所述的微帶天線，其特征在于，所述饋電點設置于第一U型槽限定的矩形區域的中心，和/或所述饋電點設置于第二U型槽限定的矩形區域的中心。3.如權利要求1所述的微帶天線，其特征在于，所述第一U型槽包括第一水平槽以及自第一水平槽兩端向同方向延伸的第一豎直槽和第二豎直槽，第一水平槽分別與第一豎直槽和第二豎直槽垂直設置，所述第一水平槽、第一豎直...

【專利技術屬性】
技術研發人員：范天奇，
申請(專利權)人：蘇州矽典微智能科技有限公司，
類型：新型
國別省市：