一種清理單晶爐內雜質底料的吸雜罐的制備方法技術

一種清理單晶爐內雜質底料的吸雜罐的制備方法，該方法制備的吸雜罐包括罐體、密封板和吸雜管，具體步驟為，先分別制作罐體、密封板和吸雜管，然后將罐體、密封板和吸雜管依次拼裝成型得到吸雜罐生坯，接著將吸雜罐生坯進行燒結得到成品，最后檢驗合格后即可。該方法設計合理、易于操作，制備的吸雜罐能夠將單晶爐內拉棒后剩余的高雜質含量的堝底料吸出，有效解決了單晶爐拉棒多次加料后，雜質富集無法拉制更多晶棒和后期晶棒質量降低的問題。制更多晶棒和后期晶棒質量降低的問題。制更多晶棒和后期晶棒質量降低的問題。

【技術實現步驟摘要】
一種清理單晶爐內雜質底料的吸雜罐的制備方法


[0001]本專利技術涉及單晶拉晶
，特別是一種清理單晶爐內雜質底料的吸雜罐的制備方法。

技術介紹

[0002]目前，單晶拉棒由于采用了二次加料的方式，較傳統的拉制一根棒停爐一次有顯著改善，現有技術一般可達到多根棒才停爐一次。但是，由于多次加料導致雜質富集在坩堝底部，因而拉制多根單晶棒后即無法再通過二次加料的方式進行繼續拉棒，需停爐清理，造成了無形的成本增加；并且，由于雜質的富集，拉制晶棒到三根以后，晶棒質量也會呈現明顯的降低趨勢。

技術實現思路

[0003]本專利技術所要解決的技術問題是針對現有技術的不足，提供一種清理單晶爐內雜質底料的吸雜罐的制備方法，該方法制備的吸雜罐能夠在線將單晶爐內拉棒后剩余的高雜質含量的堝底料吸出，有效增加拉棒量，并且顯著降低多次拉棒晶棒間質量差異性。
[0004]本專利技術所要解決的技術問題是通過以下的技術方案來實現的。本專利技術是一種清理單晶爐內雜質底料的吸雜罐的制備方法，該方法制備的吸雜罐包括罐體、密封板和吸雜管，具體步驟如下：（1）制作罐體：先將2個具有半個吸雜罐罐體形狀的模具拼合起來，然后將漿料澆筑在模具拼合空間中，接著采用單面吸漿的方法吸漿2
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3h，待罐體壁厚達到8
?
20mm后將剩余漿料倒出，即可得到吸雜罐的罐體；（2）制作吸雜管：先將2個具有半個吸雜管形狀的模具拼合起來，然后在模具拼合后的空間中間插入一根成型棍，接著，將漿料澆筑在模具和成型棍之間，待漿料完全固化后拔出成型棍，拆開模具即可得到吸雜管；（3）制作密封板：將于罐體底部形狀一致的成型圈放置在成型板上，然后向成型圈內澆入漿料，待漿料固化成型后，即可得到密封板；（4）將成型得到的罐體、吸雜管、密封板放置到烘箱中固化4
?
8h；（5）將固化后的罐體、吸雜管、密封板按照吸雜罐的具體尺寸要求對表面進行拼縫、修整，并在罐體上挖設與吸雜管配合的安裝孔，再利用壓縮空氣清潔干凈；（6）將吸雜管安裝到罐體上，先將吸雜管插入安裝孔、并定位，接著利用漿料澆筑到吸雜管與安裝孔之間的縫隙中，然后固化2
?
3h；（7）將密封板安裝到罐體上，先將密封板放置到罐體底部、并定位，接著利用漿料澆筑到密封板與罐體之間的縫隙中，然后固化2
?
3h；
（8）將安裝后的罐體放入烘箱，在45
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100℃下烘干3
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8h，接著，將罐體冷卻到室溫后進行修補檢查，即可得到吸雜罐生坯；（9）將吸雜罐生坯進行燒結，燒結溫度在1050
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1100℃，燒結時間65
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75h，得到吸雜罐成品；（10）檢驗燒結后的吸雜罐成品的氣密性，然后清洗干凈、烘干，即可；本專利技術所要解決的技術問題還可以通過以下的技術方案來進一步實現，對于以上所述的清理單晶爐內雜質底料的吸雜罐的制備方法，步驟（8）中，修補檢查的具體操作為：將吸雜管、密封板與罐體之間不平整的區域修補平整，再利用壓縮空氣將罐體吹干凈。
[0005]本專利技術所要解決的技術問題還可以通過以下的技術方案來進一步實現，對于以上所述的清理單晶爐內雜質底料的吸雜罐的制備方法，步驟（9）中，采用隧道窯對吸雜罐生坯進行燒結。
[0006]本專利技術所要解決的技術問題還可以通過以下的技術方案來進一步實現，對于以上所述的清理單晶爐內雜質底料的吸雜罐的制備方法，在步驟（10）中，先利用泡水法檢驗吸雜罐成品的氣密性，再利用純水將吸雜罐成品清洗干凈；本專利技術所要解決的技術問題還可以通過以下的技術方案來進一步實現，對于以上所述的清理單晶爐內雜質底料的吸雜罐的制備方法，在步驟（10）中，烘干溫度為100
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150℃，烘干時間為45
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100min。
[0007]本專利技術所要解決的技術問題還可以通過以下的技術方案來進一步實現，對于以上所述的清理單晶爐內雜質底料的吸雜罐的制備方法，該方法采用的漿料為高純二氧化硅或氧化鋁。
[0008]本專利技術所要解決的技術問題還可以通過以下的技術方案來進一步實現，對于以上所述的清理單晶爐內雜質底料的吸雜罐的制備方法，該方法制備的吸雜罐包括罐體，罐體的一端采用密封板密封，罐體的另一端插裝有吸雜管，吸雜管的一端由外至內貫穿罐體、并延伸至罐體的內部，在罐體內的吸雜管與罐體的內壁之間形成有便于盛裝雜質底料的吸雜腔室，在罐體內的吸雜管的端部與密封板之間形成有便于雜質底料進入吸雜腔室的吸雜間隙。
[0009]本專利技術所要解決的技術問題還可以通過以下的技術方案來進一步實現，對于以上所述的清理單晶爐內雜質底料的吸雜罐的制備方法，所述罐體呈圓柱狀，密封板呈圓盤狀，吸雜管呈圓管狀。
[0010]與現有技術相比，本專利技術是針對單晶爐拉棒多次加料后，雜質富集無法拉制更多晶棒和后期晶棒質量降低的問題而設計的，該方法制備的吸雜罐能夠將拉棒后剩余的高雜質含量的堝底料吸出，從而達到增加拉棒量的拉制目的，并且由于高雜質堝底料被吸出，多次拉棒晶棒間質量差異性顯著降低，綜合達到了降低拉晶成本和提高產品質量的目標；使用時，先將吸雜罐的罐體、吸雜管和密封板分別制備，然后依次拼裝即可。該方法設計合理、易于操作，制備的吸雜罐能夠將單晶爐內拉棒后剩余的高雜質含量的堝底料吸出，有效解決了單晶爐拉棒多次加料后，雜質富集無法拉制更多晶棒和后期晶棒質量降低的問題。
附圖說明
[0011]圖1為本專利技術制備的吸雜罐的結構示意圖。
具體實施方式
[0012]為使本專利技術實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本專利技術附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。
[0013]參照圖1，一種清理單晶爐內雜質底料的吸雜罐的制備方法，該方法制備的吸雜罐包括罐體1、密封板2和吸雜管3，罐體1、密封板2和吸雜管3均采用石膏作為模具，利用單面吸漿的方法單獨制備，然后將罐體1、密封板2和吸雜管3相互拼接、燒結、檢驗即可得到吸雜罐成品，具體步驟如下：（1）制作罐體1：先將2個具有半個吸雜罐罐體1形狀的模具拼合起來，然后將漿料澆筑在模具拼合空間中，接著采用單面吸漿的方法吸漿2
?
3h，優選的，吸漿2.5h，待罐體1壁厚達到8
?
20mm后將剩余漿料倒出，優選的，罐體1壁厚為15mm，即可得到吸雜罐的罐體1；（2）制作吸雜管3：先將2個具有半個吸雜管3形狀的模具拼合起來，然后在模具拼合后的空間中間插入一根成型棍，接著，將漿料澆筑在模具和成型棍之間，待漿料完全固化后拔出成型棍，拆開模具即可得到吸雜管3；成型棍采用不銹鋼圓棍；（3）制作密封板2：將于罐體1底部形狀一致的成型圈放置在成型板上，然后向成型圈內澆入漿料，待漿料固化成型后，即可得到密封板2；成型圈采用不銹鋼圈，成型板采用石膏板；（4）將本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種清理單晶爐內雜質底料的吸雜罐的制備方法，其特征在于：該方法制備的吸雜罐包括罐體、密封板和吸雜管，具體步驟如下：（1）制作罐體：先將2個具有半個吸雜罐罐體形狀的模具拼合起來，然后將漿料澆筑在模具拼合空間中，接著采用單面吸漿的方法吸漿2
?
3h，待罐體壁厚達到8
?
20mm后將剩余漿料倒出，即可得到吸雜罐的罐體；（2）制作吸雜管：先將2個具有半個吸雜管形狀的模具拼合起來，然后在模具拼合后的空間中間插入一根成型棍，接著，將漿料澆筑在模具和成型棍之間，待漿料完全固化后拔出成型棍，拆開模具即可得到吸雜管；（3）制作密封板：將于罐體底部形狀一致的成型圈放置在成型板上，然后向成型圈內澆入漿料，待漿料固化成型后，即可得到密封板；（4）將成型得到的罐體、吸雜管、密封板放置到烘箱中固化4
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8h；（5）將固化后的罐體、吸雜管、密封板按照吸雜罐的具體尺寸要求對表面進行拼縫、修整，并在罐體上挖設與吸雜管配合的安裝孔，再利用壓縮空氣清潔干凈；（6）將吸雜管安裝到罐體上，先將吸雜管插入安裝孔、并定位，接著利用漿料澆筑到吸雜管與安裝孔之間的縫隙中，然后固化2
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3h；（7）將密封板安裝到罐體上，先將密封板放置到罐體底部、并定位，接著利用漿料澆筑到密封板與罐體之間的縫隙中，然后固化2
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3h；（8）將安裝后的罐體放入烘箱，在45
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100℃下烘干3
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8h，接著，將罐體冷卻到室溫后進行修補檢查，即可得到吸雜罐生坯；（9）將吸雜罐生坯進行燒結，燒結溫度在1050
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【專利技術屬性】
技術研發人員：陳夢楠，
申請(專利權)人：江蘇神匯新材料科技有限公司，
類型：發明
國別省市：