本發(fā)明專利技術(shù)涉及集成電路掩模設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其涉及尤其涉及一種適用于雙重光刻技術(shù)的版圖拆分方法、適用于雙重光刻技術(shù)的版圖拆分裝置及電子設(shè)備，本方法包括如下步驟：提供包括多個(gè)掩模圖形的初始版圖；基于第一拆分規(guī)則將多個(gè)掩模圖形拆分為有沖突圖形和無(wú)沖突圖形；基于第二拆分規(guī)則將有沖突圖形分為第一部分掩模圖形和第二部分掩模圖形；基于第三拆分規(guī)則將無(wú)沖突圖形分為第一尺寸掩模圖形和第二尺寸掩模圖形；分別將第一尺寸掩模圖形和第二尺寸掩模圖形中的其中一部分與第一部分掩模圖形合并以獲得第一版圖、另一部分與第二部分掩模圖形合并以獲得第二版圖，本發(fā)明專利技術(shù)提供的方案具有拆分速度快，拆分之后的兩個(gè)版圖形成的掩模曝光成像分辨率高的優(yōu)點(diǎn)。曝光成像分辨率高的優(yōu)點(diǎn)。曝光成像分辨率高的優(yōu)點(diǎn)。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種適用于雙重光刻技術(shù)的版圖拆分方法、適用于雙重光刻技術(shù)的版圖拆分裝置及電子設(shè)備
[0001]本專利技術(shù)涉及集成電路掩模設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其涉及一種適用于雙重光刻技術(shù)的版圖拆分方法、適用于雙重光刻技術(shù)的版圖拆分裝置及電子設(shè)備。
技術(shù)介紹
[0002]集成電路設(shè)計(jì)發(fā)展到如今，器件的特征尺寸越來(lái)越小，并趨近于曝光系統(tǒng)的理論極限，光刻后硅片表面的成像將產(chǎn)生嚴(yán)重的畸變，即產(chǎn)生光學(xué)鄰近效應(yīng)(Optical Proximity Effect)。隨著光刻技術(shù)面臨更高要求和挑戰(zhàn)，人們提出了浸沒(méi)式光刻(Immersion Lithography)，離軸照明(Off Axis Illumination)，移相掩模(Phase Shift Mask)等各種分辨率增強(qiáng)技術(shù)(Resolution Enhancement Technology)來(lái)改善成像質(zhì)量，增強(qiáng)分辨率。
[0003]當(dāng)前主流的1.35NA的193nm浸沒(méi)式光刻機(jī)能夠提供36
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40nm的半周期(half
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pitch)分辨率，可以滿足28nm邏輯技術(shù)節(jié)點(diǎn)的要求，如果小于該尺寸，就需要雙重曝光甚至多重曝光技術(shù)。雙重光刻技術(shù)主要的實(shí)現(xiàn)方式有兩種：一種是曝光—刻蝕—曝光—刻蝕(Lithography
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Etch
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Lithography
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Etch)，LELE的基本原理就是把原來(lái)一層光刻圖形拆分到兩個(gè)或多個(gè)掩模上，利用多次曝光和刻蝕來(lái)實(shí)現(xiàn)原來(lái)一層設(shè)計(jì)的圖形。另一種是自對(duì)準(zhǔn)雙重成像技術(shù)(self
?
aligned double patterning)，SADP的原理是一次光刻后，再在第一次光刻圖形周圍通過(guò)淀積側(cè)墻，通過(guò)刻蝕實(shí)現(xiàn)對(duì)空間圖形的倍頻。
[0004]在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，由于SARP技術(shù)對(duì)版圖的要求較多，所以LELE工藝使用更加廣泛。然而拆分版圖有不小的難度，不僅需要解決版圖中的沖突位置，還要保持拆分后的版圖密度相近，并且還有運(yùn)行時(shí)間和內(nèi)存的限制，而目前的版圖拆分方法都將存在這些缺陷。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0005]為克服目前版圖拆分技術(shù)中難以在解決沖突問(wèn)題的同時(shí)保證密度相近性的技術(shù)問(wèn)題，本專利技術(shù)提供一種適用于雙重光刻技術(shù)的版圖拆分方法、適用于雙重光刻技術(shù)的版圖拆分裝置及電子設(shè)備。
[0006]本專利技術(shù)為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，提供一技術(shù)方案：一種適用于雙重光刻技術(shù)的版圖拆分方法，用于將初始版圖拆分成第一版圖和第二版圖，包括如下步驟：提供初始版圖，所述初始版圖包括多個(gè)掩模圖形；基于預(yù)設(shè)的第一拆分規(guī)則將所述多個(gè)掩模圖形拆分為有沖突圖形和無(wú)沖突圖形；基于預(yù)設(shè)的第二拆分規(guī)則將所述有沖突圖形分為第一部分掩模圖形和第二部分掩模圖形，所述第一部分掩模圖形和所述第二部分掩模圖形中相互的掩模圖形之間無(wú)沖突；基于預(yù)設(shè)的第三拆分規(guī)則將所述無(wú)沖突圖形分為至少兩種尺寸級(jí)別的第一尺寸掩模圖形和第二尺寸掩模圖形，所述第一尺寸掩模圖形的最大尺寸大于所述第二尺寸掩模圖形的最大尺寸；以及分別將第一尺寸掩模圖形和第二尺寸掩模圖形中的其中一部分與第一部分掩模圖形合并以獲得第一版圖、另一部分與第二部分掩模圖形合并以獲得第二
版圖。
[0007]優(yōu)選地，分別將第一尺寸掩模圖形和第二尺寸掩模圖形中的其中一部分與第一部分掩模圖形合并以獲得第一版圖、另一部分與第二部分掩模圖形合并以獲得第二版圖的步驟如下：基于預(yù)設(shè)的第四拆分規(guī)則將所述第一尺寸掩模圖形拆分成第三部分掩模圖形和第四部分掩模圖形，所述第四拆分規(guī)則包括：設(shè)定任意相鄰的兩個(gè)掩模圖形邊與邊之間的邊閾值、以及任意相鄰的兩個(gè)掩模圖形的角與角的角閾值，將小于邊閾值或者角閾值的兩個(gè)掩模圖形中的一個(gè)定義為第三部分掩模圖形、另一個(gè)定義為第四部分掩模圖形，而將大于邊閾值或者角閾值的掩模圖形部分歸為第三部分掩模圖形，另外部分歸為第四部分掩模圖形；將所述第一部分掩模圖形與所述第三部分掩模圖形合并以獲得初始第一版圖，將所述第二部分掩模圖形與第四部分掩模圖形合并以獲得初始第二版圖；將第二尺寸掩模圖形上任意相鄰的兩個(gè)小于邊閾值或者角閾值的掩模圖形的一個(gè)拆分到初始第一版圖，另一個(gè)拆分到初始第二版圖，而將大于邊閾值或者角閾值的掩模圖形部分歸為初始第一版圖，另外部分歸為初始第二版圖上。。
[0008]優(yōu)選地，預(yù)設(shè)的第一拆分規(guī)則如下：設(shè)定任意相鄰的兩個(gè)掩模圖形邊與邊之間的邊閾值、以及任意相鄰的兩個(gè)掩模圖形的角與角的角閾值，將小于邊閾值或者角閾值的掩模圖形分為有沖突圖形，剩余的分為無(wú)沖突圖形。
[0009]優(yōu)選地，預(yù)設(shè)的第二拆分規(guī)則如下：設(shè)定任意相鄰的兩個(gè)掩模圖形邊與邊之間的邊閾值、以及任意相鄰的兩個(gè)掩模圖形的角與角的角閾值，將小于邊閾值或者角閾值的兩個(gè)掩模圖形一個(gè)定義為第一部分掩模圖形、另一個(gè)定義為第二部分掩模圖形。
[0010]優(yōu)選地，預(yù)設(shè)的第三拆分規(guī)則如下：設(shè)定面積尺寸閾值或者長(zhǎng)度尺寸閾值，將超過(guò)面積尺寸閾值或者超過(guò)長(zhǎng)度尺寸閾值的無(wú)沖突圖形上的掩模圖形歸類為第一尺寸掩模圖形，其余的歸類為第二尺寸掩模圖形。
[0011]優(yōu)選地，用第一顏色和第二顏色分別對(duì)第一版圖和第二版圖著色。
[0012]優(yōu)選地，用第一顏色和第二顏色分別對(duì)第一版圖和第二版圖著色的方式如下：在合并獲得第一版圖和第二版圖之前首先對(duì)第一部分掩模圖形用第一顏色著色、對(duì)所述第二部分掩模圖形用第二顏色著色；然后對(duì)第三部分掩模圖形和第四部分掩模圖形分別用第一顏色和第二顏色著色；最后對(duì)拆分到初始第一版圖和初始第二版圖上的第二尺寸掩模圖形著色。
[0013]優(yōu)選地，將有沖突圖形中的每個(gè)掩模圖形用一個(gè)圓形作為節(jié)點(diǎn)，將有沖突的節(jié)點(diǎn)之間用直線連接形成拓?fù)潢P(guān)系圖，基于所述拓?fù)潢P(guān)系圖對(duì)所述第一部分掩模圖形和所述第二部分掩模圖形著色。
[0014]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本專利技術(shù)還提供一種適用于雙重光刻技術(shù)的版圖拆分裝置，用于將初始版圖拆分成第一版圖和第二版圖，包括版圖設(shè)計(jì)模塊：用于提供初始版圖，所述初始版圖包括多個(gè)掩模圖形；第一拆分模塊：基于預(yù)設(shè)的第一拆分規(guī)則將所述多個(gè)掩模圖形拆分為有沖突圖形和無(wú)沖突圖形；第二拆分模塊：基于預(yù)設(shè)的第二拆分規(guī)則將所述有沖突圖形分為第一部分掩模圖形和第二部分掩模圖形，所述第一部分掩模圖形和所述第二部分掩模圖形中相互的掩模圖形之間無(wú)沖突；第三拆分模塊：基于預(yù)設(shè)的第三拆分規(guī)則將所述無(wú)沖突圖形分為至少兩種尺寸級(jí)別的第一尺寸掩模圖形和第二尺寸掩模圖形，所述第一尺寸掩模圖形的最大尺寸大于所述第二尺寸掩模圖形的最大尺寸；第四拆分模塊：分
別拆分第一尺寸掩模圖形和第二尺寸掩模圖形成兩個(gè)部分，其中一部分與第一部分掩模圖形合并以獲得第一版圖、另一部分與第二部分掩模圖形合并以獲得第二版圖。
[0015]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本專利技術(shù)還提供一種電子設(shè)備，其包括一個(gè)或多個(gè)處理器和存儲(chǔ)裝置，存儲(chǔ)裝置，用于存儲(chǔ)一個(gè)或多個(gè)程序，當(dāng)所述一個(gè)或多個(gè)程序被所述一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行，使得所述一個(gè)或多個(gè)處理器實(shí)現(xiàn)如上所述的適用于雙重光刻技術(shù)的版圖拆分方法。
[0016]相對(duì)于現(xiàn)有本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種適用于雙重光刻技術(shù)的版圖拆分方法，用于將初始版圖拆分成第一版圖和第二版圖，其特征在于，包括如下步驟：提供初始版圖，所述初始版圖包括多個(gè)掩模圖形；基于預(yù)設(shè)的第一拆分規(guī)則將所述多個(gè)掩模圖形拆分為有沖突圖形和無(wú)沖突圖形；基于預(yù)設(shè)的第二拆分規(guī)則將所述有沖突圖形分為第一部分掩模圖形和第二部分掩模圖形，所述第一部分掩模圖形和所述第二部分掩模圖形中相互的掩模圖形之間無(wú)沖突；基于預(yù)設(shè)的第三拆分規(guī)則將所述無(wú)沖突圖形分為至少兩種尺寸級(jí)別的第一尺寸掩模圖形和第二尺寸掩模圖形，所述第一尺寸掩模圖形的最大尺寸大于所述第二尺寸掩模圖形的最大尺寸；以及分別將第一尺寸掩模圖形和第二尺寸掩模圖形中的其中一部分與第一部分掩模圖形合并以獲得第一版圖、另一部分與第二部分掩模圖形合并以獲得第二版圖。2.如權(quán)利要求1所述的適用于雙重光刻技術(shù)的版圖拆分方法，其特征在于，分別將第一尺寸掩模圖形和第二尺寸掩模圖形中的其中一部分與第一部分掩模圖形合并以獲得第一版圖、另一部分與第二部分掩模圖形合并以獲得第二版圖的步驟如下：基于預(yù)設(shè)的第四拆分規(guī)則將所述第一尺寸掩模圖形拆分成第三部分掩模圖形和第四部分掩模圖形，所述第四拆分規(guī)則包括：設(shè)定任意相鄰的兩個(gè)掩模圖形邊與邊之間的邊閾值、以及任意相鄰的兩個(gè)掩模圖形的角與角的角閾值，將小于邊閾值或者角閾值的兩個(gè)掩模圖形中的一個(gè)定義為第三部分掩模圖形、另一個(gè)定義為第四部分掩模圖形，而將大于邊閾值或者角閾值的掩模圖形部分歸為第三部分掩模圖形，另外部分歸為第四部分掩模圖形；將所述第一部分掩模圖形與所述第三部分掩模圖形合并以獲得初始第一版圖，將所述第二部分掩模圖形與第四部分掩模圖形合并以獲得初始第二版圖；將第二尺寸掩模圖形上任意相鄰的兩個(gè)小于邊閾值或者角閾值的掩模圖形的一個(gè)拆分到初始第一版圖，另一個(gè)拆分到初始第二版圖，而將大于邊閾值或者角閾值的掩模圖形部分歸為初始第一版圖，另外部分歸為初始第二版圖上。3.如權(quán)利要求1所述的適用于雙重光刻技術(shù)的版圖拆分方法，其特征在于，預(yù)設(shè)的第一拆分規(guī)則如下：設(shè)定任意相鄰的兩個(gè)掩模圖形邊與邊之間的邊閾值、以及任意相鄰的兩個(gè)掩模圖形的角與角的角閾值，將小于邊閾值或者角閾值的掩模圖形分為有沖突圖形，剩余的分為無(wú)沖突圖形。4.如權(quán)利要求1所述的適用于雙重光刻技術(shù)的版圖拆分方法，其特征在于，預(yù)設(shè)的第二拆分規(guī)則如下：設(shè)定任意相鄰的兩個(gè)掩模圖形邊與邊之間的邊閾值、以及任意相鄰的兩個(gè)掩模圖形的角與角的角閾值，將小于邊閾值或者角閾值的...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：閆歌，丁明，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：深圳晶源信息技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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