一種放置大尺寸芯片的LED結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)提供一種放置大尺寸芯片的LED結(jié)構(gòu)，包括包括第二基板和LED芯片；所述LED芯片為矩形芯片；在第二基板上設(shè)有圍壩，第二基板與圍壩成形有腔體，在第二基板上位于腔體內(nèi)設(shè)有固晶區(qū)，LED芯片設(shè)置在固晶上，在第二基板上位于腔體內(nèi)且位于LED芯片的一側(cè)設(shè)有焊盤；所述的圍壩包括內(nèi)層圍壩和設(shè)置在內(nèi)層圍壩外側(cè)的外層圍壩，內(nèi)層圍壩低于外層圍壩在內(nèi)層圍壩的頂部形成臺(tái)階面，外層圍壩的上端在相鄰轉(zhuǎn)角之間形成缺口；第二基板的長(zhǎng)度≤3mm，第二基板的寬度≤3mm；本實(shí)用新型專利技術(shù)的結(jié)構(gòu)能在焊盤上設(shè)置更大尺寸的芯片。設(shè)置更大尺寸的芯片。設(shè)置更大尺寸的芯片。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種放置大尺寸芯片的LED結(jié)構(gòu)


[0001]本技術(shù)涉及UVLED
，具體涉及一種放置大尺寸芯片的LED結(jié)構(gòu)。

技術(shù)介紹

[0002]LED安裝在基板上使用；LED支架的常見(jiàn)尺寸主要有2.5*2.5mm、3.5*3.5mm和6.8*6.8mm三種；由于基板的尺寸是有限的，使用不同尺寸支架的LED安裝在基板上受到不同數(shù)量限制；而LED的數(shù)量和芯片的尺寸會(huì)影響整個(gè)LED模組的發(fā)光強(qiáng)度；以長(zhǎng)寬尺寸為11*6mm的基板為例；在該尺寸基板上可設(shè)置8個(gè)支架尺寸為2.5*2.5mm的LED、4個(gè)支架尺寸為3.5*3.5mm的LED或1個(gè)支架尺寸為6.8*6.8mm的LED。受到支架尺寸限制，一般在2.5*2.5mm的支架最大能放置45mil的正裝芯片，在3.5*3.5mm的支架內(nèi)最大能放置60mil的正裝芯片；同時(shí)由于受到最大額定電流限制；45mil的正裝芯片的電流為1A；60mil的正裝芯片的電流為2A；在LED數(shù)量限制下使用2.5*2.5mm的支架的LED模組的發(fā)光強(qiáng)度大于使用3.5*3.5mm的支架的LED模組的發(fā)光強(qiáng)度；這樣即使在6.8*6.8mm的支架內(nèi)能放置尺寸更大的正裝芯片，但在最大額定電流限制下；使用2.5*2.5mm的支架的LED模組的發(fā)光強(qiáng)度仍然大于使用6.8*6.8mm的支架的LED模組的發(fā)光強(qiáng)度。
[0003]LED支架上焊盤之間的間距為絕緣區(qū)域；由于LED支架的尺寸是有限的，則絕緣區(qū)域的大小對(duì)芯片的排布及打線工藝具有較大的影響，絕緣區(qū)域的大，金屬焊盤的有效面積越少，導(dǎo)致芯片固定時(shí)防止區(qū)域要求越嚴(yán)格；若絕緣區(qū)域的小，LED支架容易變形。
[0004]在中國(guó)申請(qǐng)?zhí)枮?01621141556.3；公告日為2017.05.31的專利文獻(xiàn)公開(kāi)了一種LED支架、LED器件和LED顯示屏；所述LED支架的反射杯底部?jī)?nèi)側(cè)面設(shè)有用于承載LED芯片和實(shí)現(xiàn)LED芯片與金屬引腳電連接的至少兩焊盤；每相鄰兩焊盤之間的絕緣區(qū)域形成河道；且每一河道的寬度為0.1μm～0.25μm。
[0005]該專利是通過(guò)改變河道的寬度進(jìn)而改變固晶焊盤的大小，使得在更大的固晶焊盤內(nèi)放置更大尺寸的芯片；但是其固晶焊盤和河道沒(méi)有與芯片的形狀對(duì)應(yīng)設(shè)置；其無(wú)法實(shí)現(xiàn)在焊盤上設(shè)置更大尺寸的芯片。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

[0006]本技術(shù)提供一種放置大尺寸芯片的LED結(jié)構(gòu)；增大固晶焊盤面積；LED芯片形狀與固晶焊盤形狀匹配率高。
[0007]為達(dá)到上述目的，本技術(shù)的技術(shù)方案是：一種放置大尺寸芯片的LED結(jié)構(gòu)，包括第二基板和LED芯片；所述LED芯片為矩形芯片；在第二基板上設(shè)有圍壩，第二基板與圍壩成形有腔體，在第二基板上位于腔體內(nèi)設(shè)有固晶區(qū)，LED芯片設(shè)置在固晶區(qū)上，在第二基板上位于腔體內(nèi)且位于LED芯片的一側(cè)設(shè)有焊盤；所述的圍壩包括內(nèi)層圍壩和設(shè)置在內(nèi)層圍壩外側(cè)的外層圍壩，內(nèi)層圍壩低于外層圍壩在內(nèi)層圍壩的頂部形成臺(tái)階面，外層圍壩的上端在相鄰轉(zhuǎn)角之間形成缺口；第二基板的長(zhǎng)度≤3mm，第二基板的寬度≤3mm。
[0008]以上設(shè)置，臺(tái)階面是為了放置如平面、球面透鏡，外層圍壩的上端相鄰轉(zhuǎn)角之間的
缺口是基于第二基板的外形尺寸和要求臺(tái)階面足夠大的尺寸自然形成的，這樣就能增大腔體的尺寸，從而能夠在腔體中放置大尺寸的LED芯片。如
技術(shù)介紹
中所記載的，當(dāng)采用大尺寸的LED排列在基板上時(shí)，則排列的LED數(shù)量有限，即使在大尺寸LED中放置大尺寸的LED芯片，但由于LED芯片的最大額定電流受到限制，因此，其也無(wú)法達(dá)到最大的發(fā)光強(qiáng)度，這樣，采用大尺寸的LED就會(huì)產(chǎn)生受到最大額定電流影響而無(wú)法發(fā)揮最大發(fā)光強(qiáng)度的矛盾技術(shù)問(wèn)題。那么在本申請(qǐng)中，采用的第二基板的尺寸較小，并通過(guò)設(shè)置缺口增大放置LED芯片的腔體面積，這樣，即能夠在第一基板上密集排列多個(gè)LED，同時(shí)在該腔體內(nèi)放置的LED芯片能夠在最大額定電流下工作并發(fā)揮最大的出光效果，從而提高出光強(qiáng)度。傳統(tǒng)的圍壩四周是封閉的，針對(duì)本技術(shù)的結(jié)構(gòu)，當(dāng)腔體尺寸擴(kuò)大后，圍壩四周的厚度就會(huì)減小，而如果采用這種傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，則在厚度較小的圍壩位置容易出現(xiàn)崩裂損壞的現(xiàn)象，那么通過(guò)設(shè)置缺口，則能克服這一缺陷
[0009]進(jìn)一步的，第二基板為四邊形，LED芯片的側(cè)邊與第二基板的側(cè)邊呈α角度設(shè)置。這樣，焊盤的位置則會(huì)設(shè)置在第二基板的轉(zhuǎn)角位置，從LED的結(jié)構(gòu)來(lái)看，第二基板轉(zhuǎn)角到腔體中心的距離會(huì)大于第二基板側(cè)邊到腔體中心的距離，因此，采用上述LED芯片位置的設(shè)置，則能為焊盤的設(shè)置提供大的空間，從而為L(zhǎng)ED芯片的設(shè)置提供大的空間，便于設(shè)置大尺寸的LED芯片。
[0010]進(jìn)一步的，α角度為：20
°
≤α≤60
°
，優(yōu)選45
°
。當(dāng)采用該角度，對(duì)于采用正方形的第二基板來(lái)說(shuō)，LED芯片的一側(cè)邊會(huì)與第二基板的其中一轉(zhuǎn)角位置對(duì)應(yīng)，便于設(shè)置焊盤和設(shè)置大尺寸的芯片。
[0011]進(jìn)一步的，腔體向下的投影面為圓形，這樣，方便設(shè)置透鏡。
[0012]進(jìn)一步的，臺(tái)階面向下的投影面為圓形，這樣方便安裝透鏡。
[0013]進(jìn)一步的，在焊盤與固晶區(qū)之間設(shè)有絕緣槽。這樣能提高絕緣性能。
附圖說(shuō)明
[0014]圖1為本技術(shù)LED的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖2為本技術(shù)LED的俯視圖。
[0016]圖3為本技術(shù)中另一結(jié)構(gòu)的LED的俯視圖。
[0017]圖4為表1與表2中LED模組的光功率密度對(duì)比折線圖。
具體實(shí)施方式
[0018]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本技術(shù)做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0019]如圖1
?
4所示；一種放置大尺寸芯片的LED結(jié)構(gòu)；LED的外形尺寸選擇長(zhǎng)度≤3mm，寬度≤3mm，在本實(shí)施中，LED結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度為2.5mm；LED結(jié)構(gòu)的寬度為2.5mm。設(shè)置長(zhǎng)度和寬度都為2.5mm的LED；LED在基板2上排列緊密；同時(shí)由于在的最大額定電流限制下；使用該LED結(jié)構(gòu)的LED模組的發(fā)光強(qiáng)度大。
[0020]LED結(jié)構(gòu)包括第二基板11和LED芯片12；第二基板11的外形為四邊形，優(yōu)選正方形。所述LED芯片12為矩形芯片；在本實(shí)施例中，LED芯片12為垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，當(dāng)然也可以是正裝芯片中的水平結(jié)構(gòu)LED芯片。
[0021]在第二基板11上設(shè)有圍壩13，在本技術(shù)中優(yōu)選金屬圍壩，第二基板11與金屬
圍壩成形有腔體14，腔體向下的投影面為圓形，在第二基板11上位于腔體14底部設(shè)有固晶區(qū)151，在腔體內(nèi)位于固晶區(qū)的一側(cè)設(shè)有焊盤152，該焊盤152為負(fù)極焊盤，在固晶區(qū)151與焊盤152之間設(shè)有絕緣槽161，以提高絕緣性能；當(dāng)采用垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片時(shí)，固晶區(qū)內(nèi)具有正極焊盤，當(dāng)采用水平結(jié)構(gòu)的LED芯片時(shí)，在固晶區(qū)位于LED芯片的一側(cè)具有正極焊盤，在正極焊盤與LED芯片之間通過(guò)金線實(shí)現(xiàn)電性連接。焊盤與LED芯片之間通過(guò)金線連接。
[0022]如圖2所示，焊盤包括第一焊盤和第二焊盤，第一焊盤與固晶區(qū)之間以及第二焊盤與固晶區(qū)之間均形成了絕緣槽，第一焊本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種放置大尺寸芯片的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括第二基板和LED芯片；所述LED芯片為矩形芯片；在第二基板上設(shè)有圍壩，第二基板與圍壩成形有腔體，在第二基板上位于腔體內(nèi)設(shè)有固晶區(qū)，LED芯片設(shè)置在固晶區(qū)上，在第二基板上位于腔體內(nèi)且位于LED芯片的一側(cè)設(shè)有焊盤；所述的圍壩包括內(nèi)層圍壩和設(shè)置在內(nèi)層圍壩外側(cè)的外層圍壩，內(nèi)層圍壩低于外層圍壩在內(nèi)層圍壩的頂部形成臺(tái)階面，外層圍壩的上端在相鄰轉(zhuǎn)角之間形成缺口；第二基板的長(zhǎng)度≤3mm，第二基板的寬度≤3mm。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種放置大尺寸芯片的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳如振，任榮斌，方石鳳，蔡錦堅(jiān)，吳乾，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：廣州市鴻利秉一光電科技有限公司，
類型：新型
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