一種掩膜版制造技術

本發明專利技術公開了一種掩膜版，涉及顯示設備技術領域；技術方案：一種掩膜版，包括掩膜版本體，所述掩膜版本體的端面設有若干凹槽。本發明專利技術提供的掩膜版，在掩膜版本體的端面設有若干凹槽，可減小掩膜版本體的重量，因此，能夠減小磁性隔板吸附掩膜版后掩膜版與玻璃基板之間的壓力，進而減小掩膜版與玻璃基板間的摩擦力，從而減小摩擦產生的靜電量，以降低玻璃基板上的電路層或者蒸鍍的有機材料被擊穿的概率，提高玻璃基板蒸鍍良品率。提高玻璃基板蒸鍍良品率。提高玻璃基板蒸鍍良品率。

【技術實現步驟摘要】
一種掩膜版


[0001]本專利技術涉及顯示設備
，具體涉及一種掩膜版。

技術介紹

[0002]OLED Mask(掩膜版)用于玻璃基板有機材料的蒸鍍，在真空蒸鍍過程中，由于玻璃基板與掩膜版之間的摩擦，導致玻璃基板與掩膜版之間產生大量靜電，隨著多個腔室蒸鍍的連續進行，累積在玻璃基板上的靜電迅速增大，在玻璃基板與掩膜版接觸或者分離的瞬間釋放靜電。而靜電會造成玻璃基板上的電路層或者蒸鍍的有機材料被擊穿，導致屏幕發光時出現黑點或者局部區域不能點亮的不良，造成蒸鍍的良品率低。

技術實現思路

[0003]針對現有的掩膜版在工作時致使玻璃基板產生大量靜電的技術問題；本專利技術提供了一種掩膜版，能夠減小掩膜版工作時，玻璃基板產生靜電量，以降低玻璃基板上的電路層或者蒸鍍的有機材料被擊穿的概率，從而提高玻璃基板蒸鍍良品率。
[0004]本專利技術通過以下技術方案實現：
[0005]本專利技術提供了一種掩膜版，包括掩膜版本體，所述掩膜版本體的端面設有若干凹槽。
[0006]在一可選的實施例中，所述掩膜版本體包括第一基體層和第二基體層；所述第一基體層設有若干通孔；所述第二基體層用于覆蓋所述通孔的一端，以通過所述第二基體層覆蓋所述通孔的一端圍成所述凹槽。
[0007]在一可選的實施例中，所述第一基體層用于貼合玻璃基板或另一掩膜版。
[0008]在一可選的實施例中，所述第一基體層的材質為弱磁性金屬。
[0009]在一可選的實施例中，所述第一基體層包括橫向構體和縱向構體，所述橫向構體和所述縱向構體均設有所述通孔。
[0010]在一可選的實施例中，所述橫向構體和所述縱向構體連接處為實心構體。
[0011]在一可選的實施例中，所述橫向構體用于與玻璃基板或另一掩膜版搭接的區域以及所述縱向構體端部均半刻處理。
[0012]在一可選的實施例中，所述第一基體層的厚度為0.05mm
?
0.1mm。
[0013]在一可選的實施例中，所述第二基體層的面積小于所述第一基體層的面積。
[0014]在一可選的實施例中，所述第一基體層包括橫向構體和縱向構體，所述通孔設于所述橫向構體上。
[0015]本專利技術具有的有益效果：
[0016]本專利技術提供的掩膜版，在掩膜版本體的端面設有若干凹槽，可減小掩膜版本體的重量，由于掩膜版在使用時，通過磁性隔板將其吸附在玻璃基板的下端面或玻璃基板下端上其他掩膜版的下端面，因此，能夠減小磁性隔板吸附掩膜版后掩膜版與玻璃基板之間的壓力，進而減小掩膜版與玻璃基板間的摩擦力，從而減小摩擦產生的靜電量，以降低玻璃基
板上的電路層或者蒸鍍的有機材料被擊穿的概率，提高玻璃基板蒸鍍良品率。
附圖說明
[0017]為了更清楚地說明本申請實施例的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應當理解，以下附圖僅示出了本申請的某些實施例，因此不應被看作是對范圍的限定，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他相關的附圖。
[0018]圖1為本專利技術一實施例掩膜版結構示意圖；
[0019]圖2為本專利技術一實施例掩膜版使用狀態示意圖；
[0020]圖3為本專利技術一實施例掩膜版爆炸構示意圖；
[0021]圖4為本專利技術一實施例掩膜版爆炸結構示意圖；
[0022]圖5為本專利技術一實施例掩膜版爆炸結構示意圖。
[0023]附圖標記：
[0024]1?
掩膜版本體，11
?
凹槽，12
?
第一基體層，121
?
通孔，122
?
橫向構體，123
?
縱向構體，13
?
第二基體層，2
?
精細金屬掩膜版，3
?
玻璃基板，4
?
磁性隔板。
具體實施方式
[0025]為使本申請實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。通常在此處附圖中描述和示出的本申請實施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設計。
[0026]因此，以下對在附圖中提供的本申請的實施例的詳細描述并非旨在限制要求保護的本申請的范圍，而是僅僅表示本申請的選定實施例。基于本申請中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。
[0027]應注意到：相似的標號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步定義和解釋。
[0028]在本申請實施例的描述中，術語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎向”、“縱向”、“側向”、“水平”、“內”、“外”、“前”、“后”、“頂”、“底”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，或者是該申請產品使用時慣常擺放的方位或位置關系，或者是本領域技術人員慣常理解的方位或位置關系，僅是為了便于描述本申請和簡化描述，而不是指示或暗示所指的設備或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本申請的限制。
[0029]在本專利技術的描述中，除非另有明確的規定和限定，術語“設置”、“開有”、“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本專利技術中的具體含義。
[0030]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相
互組合。
[0031]實施例1
[0032]結合附圖1，本實施例提供了一種掩膜版，包括掩膜版本體1，掩膜版本體1的端面設有若干凹槽11。
[0033]應當理解的是，掩膜版本體1設置有供有機材料蒸汽通過的鏤空孔，可掩膜版本體1的實心構體上設置凹槽11，從而減輕掩膜版本體1的重量。
[0034]需要說明的是，本實施例在掩膜版本體1上設置凹槽11目的，僅是減輕掩膜版本體1的重量，而凹槽11并不貫穿掩膜版本體1，不會影響掩膜版的功能。因此，凹槽11可設置在掩膜版本體1與玻璃基體或其他掩膜版接觸的一面(上端面)、掩膜版結構面(下端面)或者掩膜版本體1兩端面均設有凹槽11。
[0035]由于掩膜版厚度較小，難以通過常規的機械加工方式加工出凹槽11，可通過光刻、蝕刻等方式加工，而凹槽11的深度通常小于0.1mm，如0.05mm。
[0036]同時，掩膜版需要能夠被磁性隔板4吸附在玻璃基板3或其他掩膜版上，需要能夠被磁體吸附，通常采用弱磁性材料不銹鋼或鐵鎳合金等。
[0037]綜上，本實施例提供的掩膜版，在掩本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種掩膜版，其特征在于，包括掩膜版本體(1)，所述掩膜版本體(1)的端面設有若干凹槽(11)。2.根據權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版本體(1)包括第一基體層(12)和第二基體層(13)；所述第一基體層(12)設有若干通孔(121)；所述第二基體層(13)用于覆蓋所述通孔(121)的一端，以通過所述第二基體層(13)覆蓋所述通孔(121)的一端圍成所述凹槽(11)。3.根據權利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第一基體層(12)用于貼合玻璃基板(3)或另一掩膜版。4.根據權利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述第一基體層(12)的材質為弱磁性金屬。5.根據權利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第一基體層(12)包括橫向構體(122)和縱向構體(123)，所述橫向構體(122)和所...

【專利技術屬性】
技術研發人員：周俊吉，李哲，鄭慶靚，劉鑫，
申請(專利權)人：成都拓維高科光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：