歪斜形狀可變的層疊鐵芯和制造該鐵芯的方法技術

在一層疊鐵芯（１０）中，通過堵縫突出（２２、２４）和堵縫突出配合在其中的堵縫孔（２１、２３、２５），多個鐵芯片（１３、１４、１５）進行層疊，在除了最下層之外的鐵芯片中，堵縫突出和堵縫孔形成在離歪斜鐵芯片的轉動中心為相同半徑的不同位置處，而堵縫孔沿圓周方向比配合在堵縫孔內的堵縫突出長，且當一上層的鐵芯片的堵縫突出配合在鐵芯片的縫孔內時，沿各個堵縫孔的圓周方向形成一間隙。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及一層疊的鐵芯和一該鐵芯的制造方法，其中，層疊物堵縫后歪斜形狀變得可變。
技術介紹
在一電機中，一轉子層疊鐵芯通過堵縫和層疊多個由一模具裝置從金屬薄板中沖切出的轉子鐵芯片而形成，該轉子層疊鐵芯可轉動地包容在一定子層疊鐵芯內，所述定子層疊鐵芯通過堵縫和層疊多個由模具裝置從金屬薄板中沖切出的定子鐵芯片而形成。順便提及的是，為了防止在電機操作時發生一榫合現象，例如，在轉子層疊鐵芯制造時，轉子鐵芯片在歪斜同時進行堵縫和層疊。這里，JP-A-5-56608揭示一以如下方式形成的歪斜當一沖切的轉子鐵芯片層疊在一先前沖切的轉子鐵芯片上時，實施堵縫層疊，同時，通過將先前沖切的轉子鐵芯片側轉過一規定的角度(歪斜角)，變換一堵縫好的位置的位置。如上所述，盡管歪斜可在轉子鐵芯片堵縫和層疊而形成轉子層疊鐵芯時同時地形成，但堵縫層疊的主要目的是通過堵縫和連接對應的轉子鐵芯片來形成轉子層疊鐵芯。因此，當轉子層疊鐵芯制造時，盡管歪斜可以如上所述地形成，但轉子層疊鐵芯一旦制造之后，歪斜形狀不能改變。此外，歪斜形狀在制造的轉子層疊鐵芯內不能改變，在電機的使用模式或使用目的中途發生改變的情形中，阻止這種情形的措施變得不夠充分，在電機操作時有很大可能性發生榫合現象和噪音。鑒于這樣的情形作出了本專利技術，本專利技術的一目的是提供一歪斜形狀可變的層疊鐵芯和一該層疊鐵芯的制造方法，其中，即使在堵縫層疊之后，一歪斜形狀也可根據電機的各種用途自由地變化。
技術實現思路
為了解決上述問題的本專利技術的一歪斜形狀可變的層疊鐵芯和一該層疊鐵芯的制造方法的要旨包括以下的(1)至(5)。(1)一層疊鐵芯，其中，多個鐵芯片通過堵縫突出和堵縫突出配合在其中的堵縫孔進行層疊，其中，在除了最下層之外的鐵芯片中，堵縫突出和堵縫孔分別地形成在不同的位置，它們在離歪斜鐵芯片的轉動中心的相同半徑處，而堵縫孔沿圓周方向比配合在堵縫孔內的堵縫突出長，且當一上層的鐵芯片的堵縫突出配合在鐵芯片的堵縫孔內時，沿各個堵縫孔的圓周方向形成一間隙。(2)如所述的歪斜形狀可變的層疊鐵芯，其中，當從歪斜的轉動中心觀看時，堵縫孔具有一弧形形狀。(3)如所述的歪斜形狀可變的層疊鐵芯，其中，形成堵縫孔以通過多個層疊的鐵芯片，而配合在通過形成的堵縫孔內的堵縫突出到達通過形成的堵縫孔的下部位置。(4)如所述的歪斜形狀可變的層疊鐵芯，其中，堵縫孔包括一沿層疊方向形成在諸鐵芯片的每隔一個鐵芯片內的第一堵縫孔，而一第二堵縫孔形成在一不同于第一堵縫孔的位置并通過多個層疊的鐵芯片，以及堵縫突出包括一到達第一堵縫孔的下部位置的第一堵縫突出，和到達第二堵縫孔的下部位置的第二堵縫突出。(5)包括一步驟在最下層的鐵芯片內形成一堵縫孔，并在除下層之外的鐵芯片內、在離歪斜的轉動中心相同的半徑位置處分別地形成堵縫突出和堵縫孔，以及一步驟通過將上層的鐵芯片的堵縫突出配合在一下層的鐵芯片的堵縫孔內，其中，形成的堵縫孔沿以轉動軸線為中心的圓周的方向比堵縫突出長，且當上層鐵芯片的堵縫突出配合在下層的鐵芯片的堵縫孔內時，沿圓周方向在堵縫孔和堵縫突出之間形成一間隙。根據(1)的結構，由于堵縫突出和堵縫孔分別形成在離歪斜鐵芯片的轉動中心相同半徑的不同位置，所以，當鐵芯片堵縫和層疊時，包括堵縫突出和堵縫孔的堵縫地方布置在離歪斜的轉動中心的相同半徑的位置上。當上層鐵芯片的堵縫突出配合在下層鐵芯片的堵縫孔內時，間隙沿圓周方向在兩側或單側形成在堵縫孔和堵縫突出之間。因此，當上層鐵芯片相對于下層鐵芯片沿間隙形成的方向移動時，上層鐵芯片可在一中心角的角度內以該間隙為一弧長進行轉動。因此，在經受堵縫層疊的層疊鐵芯中，對應的層疊鐵芯片可在圍繞歪斜的轉動中心互相地轉動。因此，在層疊鐵芯形成之后，當對構成層疊鐵芯的各個鐵芯片給予轉動力而沿間隙形成的方向造成一轉動時，自由成形的歪斜可形成在層疊的鐵芯內。此外，多個堵縫突出和多個堵縫孔形成在各個鐵芯片內，這樣，堵縫連接地方的數量增加，而且對應鐵芯片之間的堵縫層疊力也可增加。此外，還當鐵芯片轉動時，層疊鐵芯的外形沒有改變(當從一平面或一側觀看時)。順便提及的是，從改進形狀精度和層疊鐵芯的堵縫強度的觀點出發，要求堵縫突出和堵縫孔布置成相對于歪斜的轉動中心對稱。此外，如(2)的結構，當使堵縫孔具有弧形狀時(當從歪斜的轉動中心觀看時)，配合的堵縫突出可以容易地在堵縫孔內轉動同時保持堵縫結合力。這里，假如磁極數例如為n，在給予一磁極歪斜的情形中，當構成層疊鐵芯的鐵芯片數是P時，則一轉動(360/Pn)只需形成在各個鐵芯片內。因此，在堵縫孔形成在離歪斜的轉動中心為r的位置處的情形中，形成在堵縫孔的圓周方向的間隙長度，且沿同樣方向只需是(2πr/Pn)。此外，在通過一個或多個磁極(例如，通過諸如兩個磁極或三個磁極那樣的多磁極)使得層疊鐵芯的歪斜為可變的情形中，只需形成與此對應的間隙。順便提及的是，當從歪斜的轉動中心觀看時，堵縫突出也形成為弧形狀，這樣，當堵縫突出配合在堵縫孔內時，堵縫突出可沿堵縫孔的內邊光滑地轉動。此外，當堵縫突出配合在堵縫孔內時，堵縫孔和堵縫突出之間的接觸區域做得較大，則對應的鐵芯片之間的堵縫層疊力也可較大。順便提及的是，盡管形狀可以做成在從側邊觀看堵縫突出時呈一V形、一U形，或一倒置的梯形，但形狀并不固定。此外，根據(3)的結構，在多個鐵芯片通過一個堵縫突出進行堵縫和層疊的情形中，鐵芯片歪斜時的轉動力被多個鐵芯片共享，可以使鐵芯片的轉動變得光滑，并可容易地實施對應鐵芯片之間的轉動角的調整。此外，根據(4)的結構，第一堵縫孔和配合在第一堵縫孔內的第一堵縫突出形成在各個鐵芯片內，同時對應的位置連續地變化，而對應的層疊鐵芯片進行堵縫和層疊，同時堵縫位置交替地變化。此外，通過多個層疊鐵芯片形成的第二堵縫孔和配合在第二堵縫孔內的第二堵縫突出形成在對應的鐵芯片內，同時，對應的位置連續地變化，而待層疊的多個鐵芯片一次地進行堵縫和層疊。如上所述，通過第一堵縫孔、第一堵縫突出、第二堵縫孔，以及第二堵縫突出，堵縫連接是同時地實施，這樣，層疊鐵芯片的堵縫層疊力可以進一步提高，在層疊鐵芯歪斜時的轉動力可由多個鐵芯片承擔。此外，由于鐵芯片的轉動力可以同時地傳遞到多個鐵芯片，所以，可容易地實施對應鐵芯片之間的轉動角的調整。此外，在(5)的制造方法中，堵縫孔形成在最下層的鐵芯片內，在以下的情形中，堵縫突出和堵縫孔分別形成在離歪斜鐵芯片的轉動中心相同半徑的不同位置處的除最下層之外的鐵芯片內，當從歪斜的轉動中心觀看時，形成的堵縫孔比沿圓周方向的堵縫突出長，當上層鐵芯片的堵縫突出配合在堵縫孔內時，間隙形成在圓周方向。由此，在經受堵縫層疊的對應鐵芯片之間，上層鐵芯片可相對于下層鐵芯片沿間隙形成的方向轉動，該轉動在角度不大于中心角之內，使間隙作為弧長，并圍繞歪斜的轉動中心。因此，層疊鐵芯形成之后，構成層疊鐵芯的對應的鐵芯片沿著間隙形成的方向互相轉動，這樣，自由成形的歪斜可形成在層疊的鐵芯內。此外，作為基于(1)至(4)的歪斜形狀可變的層疊鐵芯結構的共同的效果，在除最下層之外的鐵芯片中，堵縫突出和堵縫孔分別形成在離歪斜鐵芯片的轉動中心相同半徑的不同位置處，形成的堵縫孔比沿圓周方向的配合在堵縫孔內的堵縫突出長，當上層堵縫突出放入鐵芯片的堵縫孔本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一歪斜形狀可變的層疊鐵芯，其中，通過堵縫突出和堵縫突出配合在其中的堵縫孔，多個鐵芯片進行層疊，其特征在于，在除了最下層之外的鐵芯片中，堵縫突出和堵縫孔分別地形成在離歪斜鐵芯片的轉動中心為相同半徑的不同位置處，而堵縫孔沿圓周方向比配合 在堵縫孔內的堵縫突出長，且當一上層的鐵芯片的堵縫突出配合在鐵芯片的堵縫孔內時，沿各個堵縫孔的圓周方向形成一間隙。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：藤田勝房，
申請(專利權)人：株式會社三井高科技，
類型：發明
國別省市：JP[日本]