本實用新型專利技術公開一種減少TP寄生電容的驅動架構，其包括兩個以上TP單元和驅動IC輸出的兩條驅動信號線，TP單元包括呈兩行兩列陣列分布的四個TP sensor；每個TP sensor分別對應連接一個Mux電路的一端，每個TP單元的其中一組不同列且不同行的兩個TP sensor對應的Mux電路的另一端共同連接至其中一條驅動信號線，每個TP單元的另一組不同列且不同行的兩個TP sensor對應的Mux電路的另一端共同連接至另一條驅動信號線，配合更改IC給四個TP sensor送sensing pulse的順序，進而實現減少TP寄生電容。容。容。
【技術實現步驟摘要】
一種減少TP寄生電容的驅動架構
[0001]本技術涉及面板顯示
，尤其涉及一種減少TP寄生電容的驅動架構。
技術介紹
[0002]市面上顯示器產品越來越追求窄邊框，而為了縮小面板的下邊框，目前的方式是通過TP mux1:2的方式，在不改變面板的TP Sensor數量，即不改變TP分辨率的情況下，將驅動IC的TP Channel縮小為原來的一半，如圖1所示 。如圖2所示，當Mux1為高電位準位時，驅動IC輸出Sx1和Sx2給面內TP Sx11和Sx21送信號，Mux2為高電位準位時，驅動IC輸出Sx1和Sx2給面內TP Sx12和Sx22送信號。當驅動IC給Sx11送感應脈沖訊號時，即Mux1為高電位時，此時驅動IC也同步給Sx21送TP同區信號，以防止Sx11和Sx21這兩個相鄰sensor間出現壓差，形成寄生電容C
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，而Sx12和Sx11同樣是相鄰Sensor，此時Mux2為低電位，Sx12也為低電位，那么Sx11和Sx12之間就會存在寄生電容C
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，影響TP功能。
技術實現思路
[0003]本技術的目的在于提供一種減少TP寄生電容的驅動架構，解決現有TDDI機種TP Mux架構下產生的TP Sensor間寄生電容，實現減少TP Channel數同時保證TP分辨率和TP功能的目的。
[0004]本技術采用的技術方案是：
[0005]一種減少TP寄生電容的驅動架構，其包括兩個以上TP單元和驅動IC輸出的兩條驅動信號線，TP單元包括多個TP sensor，TP單元的TP sensor呈陣列排布，每個TP單元的TP sensor包括兩列TP sensor對，每列TP sensor對包括兩行TP sensor；每個TP sensor分別對應連接一個Mux電路的一端，每個TP單元的其中一組不同列且不同行的兩個TP sensor對應的Mux電路的另一端共同連接至一條驅動信號線，每個TP單元的另一組不同列且不同行的兩個TP sensor對應的Mux電路的另一端共同連接至另一條驅動信號線。
[0006]進一步地，同一個TP單元的四個Mux電路的控制開關的柵極分別連接一個開關信號，不同TP單元的相同位置的TP sensor對應的Mux電路的控制開關的柵極共同連接至同一路開關信號。
[0007]進一步地，四個開關信號均為時序信號，且四個開關信號的高電平電壓均相同。
[0008]進一步地，每個TP單元包括四個TP sensorSx11、Sx12、Sx21和Sx22，四個TP sensor 即Sx11、Sx12、Sx21和Sx22分別一一對應連接Mux11、Mux12、Mux21和Mux22四個Mux電路；Sx11和Sx12為同一列，Sx21和Sx22為另一列，Sx11和Sx21為同一行，Sx12和Sx22為另一行；Mux11和Mux22的另一端共同連接至驅動信號線Sx1，Mux12和Mux21的另一端共同連接至驅動信號線Sx2。
[0009]一種減少TP寄生電容的驅動架構的驅動方法，更改驅動IC給四個TP sensor 即Sx11/Sx12/Sx21/Sx22送感應脈沖順序；具體如下：
[0010]t1時刻：驅動IC給Sx11送感應脈沖，Mux11為高電位；Mux12/Mux21為高電位，驅動
IC 給Sx12/Sx21送空在信號LFD；Mux22為低電位 ，Sx22為低電位；
[0011]t2時刻：驅動IC給Sx22送感應脈沖，Mux22為高電位；Mux12/Mux21為高電位，驅動IC給Sx12/Sx21送空在信號LFD；Mux11為低電位 ，Sx11為低電位；
[0012]t3時刻：驅動IC給Sx12送感應脈沖，Mux12為高電位；Mux11/Mux22為高電位，驅動IC給Sx11/Sx22送空在信號LFD；Mux21為低電位 ，Sx21為低電位；
[0013]t4時刻：驅動IC給Sx21送感應脈沖，Mux21為高電位；Mux11/Mux22為高電位，驅動IC給Sx11/Sx22送空在信號LFD；Mux12為低電位 ，Sx12為低電位。
[0014]本技術采用以上技術方案，IC輸出2根TP Channel（Sx1/Sx2）對應面內4個TP Sensor（Sx11/Sx12/Sx21/Sx22），此架構需要4個mux信號（Mux11/Mux12/Mux21/Mux22）。Sx1通過控制信號Mux11/Mux22分別傳輸信號給Sx11/Sx22，Sx2通過控制信號Mux12/Mux21分別傳輸信號給Sx12/Sx21。同時更改IC給Sx11/Sx12/Sx21/Sx22送sensing pulse順序，解決現有TDDI機種TP Mux架構下產生的TP Sensor間寄生電容，實現減少TP Channel數同時保證TP分辨率和TP功能的目的。
附圖說明
[0015]以下結合附圖和具體實施方式對本技術做進一步詳細說明；
[0016]圖1為現有TP mux1:2結構示意圖；
[0017]圖2為現有TP mux1:2架構的時序圖；
[0018]圖3為本技術一種減少TP寄生電容的驅動架構結構示意圖；
[0019]圖4為TP Mux時序圖。
具體實施方式
[0020]為使本申請實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本申請實施例中的附圖對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。
[0021]如圖3所示，本技術公開了一種減少TP寄生電容的驅動架構，其包括兩個以上TP單元和驅動IC輸出的兩條驅動信號線，TP單元包括多個TP sensor，TP單元的TP sensor呈陣列排布，每個TP單元的TP sensor包括兩列TP sensor對，每列TP sensor對包括兩行TP sensor；即TP單元包括呈兩行兩列陣列分布的四個TP sensor；每個TP sensor分別對應連接一個Mux電路的一端，每個TP單元的其中一組不同列且不同行的兩個TP sensor對應的Mux電路的另一端共同連接至一條驅動信號線，每個TP單元的另一組不同列且不同行的兩個TP sensor對應的Mux電路的另一端共同連接至另一條驅動信號線。
[0022]進一步地，同一個TP單元的四個Mux電路的控制開關的柵極分別連接一個開關信號，不同TP單元的相同位置的TP sensor對應的Mux電路的控制開關的柵極共同連接至同一路開關信號。
[0023]進一步地，四個開關信號均為時序信號，且四個開關信號的高電平電壓均相同。
[0024]具體地，如圖3所示，本技術提出一種TP Mux2:4的架構，實現減少TP Sensor間的寄生電容。如圖3所示，以面板中的4個TP sensor（Sx11/Sx12/Sx21/Sx22）為例介紹，現有的TP Mux1:2架構中會存在C
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寄生電容，影響TP功能，故提出一本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1. 一種減少TP寄生電容的驅動架構，其特征在于：其包括兩個以上TP單元和驅動IC輸出的兩條驅動信號線，TP單元包括多個TP sensor，TP單元的TP sensor呈陣列排布，每個TP單元的TP sensor包括兩列TP sensor對，每列TP sensor對包括兩行TP sensor；每個TP sensor分別對應連接一個Mux電路的一端，每個TP單元的其中一組不同列且不同行的兩個TP sensor對應的Mux電路的另一端共同連接至其中一條驅動信號線，每個TP單元的另一組不同列且不同行的兩個TP sensor對應的Mux電路的另一端共同連接至另一條驅動信號線。2. 根據權利要求1所述的一種減少TP寄生電容的驅動架構，其特征在于：同一個TP單元的四個Mux電路的控制開關的柵極分別連接一個開關信號，不同TP單元的相同位置的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：鄭劍花，祝海龍，
申請(專利權)人：福建華佳彩有限公司，
類型：新型
國別省市：
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