一種晶體生長設備制造技術

本實用新型專利技術涉及晶體制備領域，公開了一種晶體生長設備，包括坩堝和觀察裝置。在生長晶體時，需將熔體放置于模具內，再將模具放置于坩堝的底部，則熔體能夠通過加熱變成熔液，熔液可上升到模具的刃口。而觀察裝置包括觀察件，觀察件包括伸入坩堝內部的頭部，頭部為圓臺結構，利用圓臺結構的錐度可擴大觀察視角，而且該圓臺結構的中軸線與模具的刃口平齊，可更好的觀察晶體的生長情況，避免誤差。另外，圓臺結構與模具的刃口在水平方向上的距離小于等于50mm，頭部與熔體的溫度較為接近，也可避免熔體揮發物遇冷凝結在頭部，遮擋觀察視角。因此，該晶體生產設備可保證使用者全程觀察晶體的生長情況，調整晶體生長參數，有效提高晶體的成品率。體的成品率。體的成品率。

【技術實現步驟摘要】
一種晶體生長設備


[0001]本技術涉及晶體制備領域，尤其涉及一種晶體生長設備。

技術介紹

[0002]導模法是從熔體人工制取單晶材料的方法之一，即邊緣限定薄膜供料提拉生長技術。它是將熔體放在留有毛細管狹縫的模具中，熔液借毛細作用上升到模具刃口，形成一層薄膜并向四周擴散，同時受種晶誘導結晶，模具頂部的邊緣可控制晶體呈片狀、管狀或所需的某種幾何形狀產出。但是傳統導模法在生長熔體易揮發的晶體時，晶體爐的觀察窗口容易被污染物覆蓋，即在晶體生長過程中晶體爐的觀察窗口就被污染，導致使用者無法觀察晶體生長情況，導致晶體成品率低。
[0003]因此，亟需一種觀察裝置及晶體生長設備，以解決上述問題。

技術實現思路

[0004]本技術的目的在于提供一種晶體生長設備，適用于導模法制取晶體材料，可避免晶體爐的觀察窗口被污染，保證使用者在晶體生長過程中均可觀察晶體的生長情況，提高晶體的成品率。
[0005]如上構思，本技術所采用的技術方案是：
[0006]一種晶體生長設備，包括：
[0007]坩堝，模具放置于所述坩堝的底部，熔體能夠放置于所述模具內，且能夠通過加熱變成熔液，所述熔液能夠上升到所述模具的刃口；
[0008]觀察裝置，包括觀察件，使用者能夠利用所述觀察件從外部觀察所述坩堝的內部，所述觀察件包括伸入所述坩堝內部的頭部，所述頭部為圓臺結構，所述圓臺結構的中軸線與所述模具的刃口平齊，且所述圓臺結構與所述模具的刃口在水平方向上的距離小于等于50mm。
[0009]可選地，所述坩堝的側壁開設有觀察口，所述觀察件還包括連接于所述頭部的桿部，所述桿部插設于所述觀察口，僅使所述頭部位于所述坩堝的內部。
[0010]可選地，所述桿部未連接所述頭部的一端伸出所述坩堝外。
[0011]可選地，所述桿部為圓柱結構，所述圓柱結構連接于所述圓臺結構的小徑端，且所述圓柱結構的直徑與所述圓臺結構的小徑端的直徑相等。
[0012]可選地，所述圓臺結構的錐度范圍為0
°
～20
°
。
[0013]可選地，所述頭部與所述模具的刃口在水平方向上的距離小于等于25mm。
[0014]可選地，所述頭部與所述模具的刃口在水平方向上的距離小于等于10mm。
[0015]可選地，所述觀察件的材質為透明晶體，所述透明晶體的熔點高于所述熔體的熔點。
[0016]可選地，所述觀察裝置包括電連接的攝像機和顯示屏，所述攝像機用于通過所述觀察件拍攝所述坩堝的內部，所述顯示屏用于顯示所述攝像機拍攝的內容。
[0017]可選地，所述晶體生長設備還包括加熱裝置，所述加熱裝置用于加熱所述坩堝。
[0018]本技術的有益效果為：
[0019]本技術提出的晶體生長設備包括坩堝和觀察裝置，因熔體在坩堝內部加熱生長為晶體，而且需要根據晶體的生長情況，從而調整晶體生長參數，則設置觀察裝置，即可實現在坩堝外直接觀察坩堝的內部。具體地，模具放置于坩堝的底部，熔體放置于模具內，且能夠通過加熱變成熔液，熔液能夠上升到模具的刃口。而觀察裝置包括觀察件，觀察件包括伸入坩堝內部的頭部，頭部為圓臺結構，利用圓臺結構的錐度擴大觀察視角，而且該圓臺結構的中軸線與模具的刃口平齊，可更好的觀察晶體的生長情況，避免誤差。另外，圓臺結構與模具的刃口在水平方向上的距離小于等于50mm，頭部與熔體的溫度較為接近，也可避免熔體揮發物遇冷凝結在頭部，遮擋觀察視角。因此，該晶體生產設備可保證使用者在晶體生長過程中全程觀察晶體的生長情況，從而調整晶體生長參數，有效提高晶體的成品率。
附圖說明
[0020]圖1是本技術實施例提供的晶體生長設備的結構示意圖。
[0021]圖中：
[0022]1、坩堝；2、模具；21、刃口；3、熔體；4、觀察件；41、頭部；42、桿部；5、攝像機。
具體實施方式
[0023]為使本技術解決的技術問題、采用的技術方案和達到的技術效果更加清楚，下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本技術的技術方案。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本技術，而非對本技術的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本技術相關的部分而非全部。
[0024]在本技術的描述中，除非另有明確的規定和限定，術語“相連”、“連接”、“固定”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關系。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本技術中的具體含義。
[0025]在本技術中，除非另有明確的規定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接觸，也可以包括第一和第二特征不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特征接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0026]在本實施例的描述中，術語“上”、“下”、“左”、“右”等方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述和簡化操作，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本技術的限制。此外，術語“第一”、“第二”僅僅用于在描述上加以區分，并沒有特殊的含義。
[0027]下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本技術的技術方案。
[0028]導模法是熔體3人工制取單晶材料的方法之一，即邊緣限定薄膜供料提拉生長技
術，它是將熔體3放在留有毛細管狹縫的模具2中，熔液借毛細作用上升到模具2的刃口21，形成一層薄膜并向四周擴散，同時受種晶誘導結晶，模具2頂部的邊緣可控制晶體呈片狀、管狀或所需的某種幾何形狀產出。但是傳統的導模法在生長熔體3易揮發的晶體時，熔體揮發物在觀察窗口的表面容易遇冷沉積形成污染，而觀察窗口被污染物覆蓋，使用者就不能從觀察窗口持續觀察晶體的生長情況，從而導致晶體的成品率低，為解決這一問題，本實施例提供一種晶體生長設備。
[0029]如圖1所示，該晶體生長設備包括坩堝1和觀察裝置，設置觀察裝置即是為了使用者在坩堝1外就可以觀察到坩堝1內部的情況，在生長晶體時，首先將熔體3放置于具有毛細管的模具2中，而后再將模具2放置于坩堝1的底部，以此即可通過對坩堝1進行加熱，以使熔體3的溫度升高，而當熔體3被加熱至相變溫度時，熔體3將變為熔液，且因毛細作用上升至模具2的刃口21，而后產生晶體。可選地，晶體生長設備還包括加熱裝置，加熱裝置即是用于加熱坩堝1，以使得坩堝1內的熔體3不斷升溫至熔點溫度。
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【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種晶體生長設備，其特征在于，包括：坩堝(1)，模具(2)放置于所述坩堝(1)的底部，熔體(3)能夠放置于所述模具(2)內，且能夠通過加熱變成熔液，所述熔液能夠上升到所述模具(2)的刃口(21)；觀察裝置，包括觀察件(4)，使用者能夠利用所述觀察件(4)從外部觀察所述坩堝(1)的內部，所述觀察件(4)包括伸入所述坩堝(1)內部的頭部(41)，所述頭部(41)為圓臺結構，所述圓臺結構的中軸線與所述模具(2)的刃口(21)平齊，且所述圓臺結構與所述模具(2)的刃口(21)在水平方向上的距離小于等于50mm。2.根據權利要求1所述的晶體生長設備，其特征在于，所述坩堝(1)的側壁開設有觀察口，所述觀察件(4)還包括連接于所述頭部(41)的桿部(42)，所述桿部(42)插設于所述觀察口，僅使所述頭部(41)位于所述坩堝(1)的內部。3.根據權利要求2所述的晶體生長設備，其特征在于，所述桿部(42)未連接所述頭部(41)的一端伸出所述坩堝(1)外。4.根據權利要求2所述的晶體生長設備，其特征在于，所述桿部(42)為圓柱結構，所述圓柱結構連接于所述圓臺...

【專利技術屬性】
技術研發人員：沈仁奇，趙衡煜，劉俊杰，趙藝惠，陳志平，林鳳，鄭燕青，
申請(專利權)人：廈門鎢業股份有限公司，
類型：新型
國別省市：