本發(fā)明專利技術涉及一種高強度珠粒，其特征在于提供一種如果假定在所述珠粒的粒徑變更為10％、20％、30％、40％時的壓縮彈性率分別為K10、K20、K30、K40，則其關系為K10＜K20＜K30＜K40的高強度珠粒。的高強度珠粒。
【技術實現(xiàn)步驟摘要】
高強度珠粒、利用所述高強度珠粒的導電粒子
[0001]本專利技術涉及一種高強度珠粒、利用所述高強度珠粒的導電粒子、導電材料以及連接結構體。
技術介紹
[0002]導電粒子通常會被制造成通過與硬化劑、粘接劑以及樹脂粘合劑混合而以分散的形態(tài)使用的各向異性導電材料進行使用。
[0003]作為各向異性導電材料的具體實例，可以包含如各向異性導電膜(Anisotropic Conductive Film)、各向異性導電粘接劑(Anisotropic Conductive Adhesive)、各向異性導電漿料(Anisotropic Conductive Paste)、各向異性導電油墨(Anisotropic Conductive Ink)以及各向異性導電板(Anisotropic Conductive Sheet)等。
[0004]各向異性導電材料在如FOG(Film on Glass；柔性基板
?
玻璃基板)、COF(Chip on Film；半導體芯片
?
柔性基板)、COG(Chip on Glass；半導體芯片
?
玻璃基板)、FOB(Film on Board；柔性基板
?
玻璃環(huán)氧樹脂基板)等中用于對兩個電極進行電性連接。
[0005]在假定利用各向異性導電材料對如半導體芯片與柔性基板進行接合的情況下，可以在柔性基板上方配置各向異性導電材料之后層疊半導體芯片并在加壓/加熱狀態(tài)下對各向異性導電材料進行硬化，從而實現(xiàn)利用導電粒子對基板的電極以及半導體芯片的電極進行電性連接的連接結構體。
[0006]具體來講，各向異性導電材料可以按照將顯示器半導體芯片與構成電路的玻璃基板進行連接、將微發(fā)光二極管(μ
?
LED)、迷你發(fā)光二極管(mini
?
LED)與電路基板進行連接的方法使用。
[0007]導電粒子通常是由珠粒和圍繞珠粒的導電層構成，當在各向異性導電材料中使用時，將與硬化劑、粘接劑、樹脂粘合劑等混合使用，當通過進行加壓/加熱而形成連接結構體時，可以借助于各向異性導電材料的硬化/粘接而維持上/下電極之間的電性連接。
[0008]此外，在將導電粒子適用于有機發(fā)光二極管顯示器(OLED Display)用途時，要求較高的壓縮強度。作為適用于有機發(fā)光二極管顯示器(OLED Display)的電極，主要使用鋁(Aluminum)以或鈦(Titanium)，而對于如上所述的金屬，在電極表面形成的氧化膜與電極之間的柵格結構相同，因此會在表面形成非常穩(wěn)定的氧化膜，從而在起到保護薄膜的作用的同時形成較薄的絕緣層。
[0009]因此，在為了利用存在于電極之間的導電粒子對兩個電極進行連接而進行擠壓的過程中，導電粒子的突起需要具有可以穿透所述絕緣層的強度，因此要求導電粒子具有較高的壓縮強度。
[0010]但是，目前在導電粒子中所使用的珠粒即利用由如聚氨酯類、苯乙烯類、丙烯酸類、苯類、環(huán)氧樹脂類、胺類以及酰胺類等單體或所述之改性單體或由所述單體混合而成的單體通過晶種聚合、分散聚合、懸濁聚合以及乳化聚合等方法聚合而得的共聚物等并不能提供較高的壓縮強度。
[0011]因此，提出了通過利用有機無機混合珠粒而同時包含有機物以及無機物的核
?
殼結構、化合結構以及復合結構的珠粒。
[0012]核
?
殼結構是指在核為有機物質時殼為無機物質，而核為無機物質時殼為有機物質的情況，而化合結構是指無機物質與有機物質形成化合物的情況。
[0013]復合結構是指在無機物質基質中包含有機物質，或在有機物質基質中包含無機物質并借此形成復合物的情況，還包含有機物質以及無機物質以50:50彼此分散的形態(tài)。
[0014]但是，伴隨著現(xiàn)有的有機無機混合珠粒的變形率的增加，壓縮強度呈現(xiàn)出在變形率較寬的區(qū)間降低之后再重新增加的特性，而因為如上所述的特性，在對電極進行擠壓的過程中，導電粒子的抵抗力會伴隨著力量的增加而變弱，從而進一步導致對上/下部的電極進行連接的效率降低的問題。
[0015]先行技術文獻
[0016]專利文獻
[0017]日本注冊專利第JP6049461號。
技術實現(xiàn)思路
[0018]本專利技術的實施例旨在解決如上所述的現(xiàn)有問題，本專利技術的實施例所要達成的技術課題在于提供一種可以支撐導電粒子輕易地穿透電極的氧化膜并與其連接的高強度珠粒。
[0019]尤其是，提供一種因為初期連接電阻值較低且高溫/高濕可靠性測試之后的電阻增加較少，因此其可靠性優(yōu)秀的導電粒子、各向異性導電材料以及連接結構體。
[0020]此外，提供一種因為不會在珠粒表面發(fā)生水分散以及凝聚，因此可以輕易地形成導電層的導電粒子用高強度珠粒。
[0021]本專利技術之一實施例的特征在于，作為至少兩種以上的硅烷單體的聚合物珠粒，如果假定在所述珠粒的粒徑變更為10％、20％、30％、40％時的壓縮彈性率分別為K10、K20、K30、K40，則其關系為K10＜K20＜K30＜K40。
[0022]本專利技術之一實施例的特征在于，作為高強度珠粒，如果假定在向所述珠粒施加外力時發(fā)生變形的變形率(％)為X，所述變形率為X時的壓縮強度為Y，在所述變形率為0＜X≤40的范圍內，在所述Y達到最小值時的壓縮強度為Y1，在所述Y1下的變形率為X1，在X為5％時的壓縮強度為Y(X＝5)，則所述X1為X1≤20且Y1/Y(X＝5)＞0.8。
[0023]本專利技術之一實施例的特征在于，作為包括：至少兩種以上的硅烷單體的聚合物珠粒主體；以及，
[0024]配備于所述珠粒主體上的親水性有機層；的珠粒，
[0025]在通過將所述珠粒分散到水中而進行分散處理的溶液放置一分鐘之后采集距離水表面2
㎝
深度的溶液并利用濁度計(Nephelometer)進行測定的濁度為100NTU以上。
[0026]本專利技術的另一方面，提供一種包含如上所述的珠粒以及配備于所述珠粒表面上的導電層的導電粒子。
[0027]此時，所述導電層利用從由Ni、Sn、Ag、Cu、Pd、Zn、W、P、B以及Au構成的組中選擇的一種或兩種以上的合金構成為宜。
[0028]此時，在所述導電層的表面還包含絕緣層或絕緣粒子為宜。
[0029]此時，在所述導電層的最外廓利用疏水性防銹劑進行防銹處理為宜。
[0030]本專利技術的另一方面提供一種包含利用所述珠粒的導電粒子的各向異性導電材料。本專利技術的另一方面提供一種包含利用所述珠粒的導電粒子的連接結構體。
[0031]適用本專利技術之實施例的高強度珠粒在受到外力作用時變形率分別增加10％、20％、30％、40％并借此增加其強度值，從而與現(xiàn)有的高強度粒子相比可以更加輕易地穿透電極的氧化膜。
[0032]適用本專利技術之實施例的高強度珠粒被設計成可以對在受到外力作用時因為外力而導致的高強度珠粒的壓縮強度以及變形率進行控制，從而與現(xiàn)本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種高強度珠粒，作為高強度珠粒，如果假定在向所述珠粒施加外力時發(fā)生變形的變形率(％)為X，所述變形率為X時的壓縮強度為Y，在所述變形率為0＜X≤40的范圍內，在所述Y達到最小值時的壓縮強度為Y1，在所述Y1下的變形率為X1，在X為5％時的壓縮強度為Y(X＝5)，則所述X1為X1≤20且Y1/Y(X＝5)＞0.8。2.根據(jù)權利要求1所述的高強度珠粒，所述珠粒在0＜X≤40的范圍內不會被破壞。3.根據(jù)權利要求1所述的高強度珠粒，所述珠粒是利用由如聚氨酯類、苯乙烯類、丙烯酸類、苯類、環(huán)氧樹脂類、胺類以及酰胺類等單體或所述之改性單體或由所述單體混合而成的單體獲得的共聚物。4.根據(jù)權利要求1所述的高強度珠粒，所述珠粒為有機/無機混合物。5.根據(jù)權利要求4所述的高強度珠粒，所述有機/無機混合物為由核
?
殼結構、化合物結構以及混合物結構構成的組中的某一個。6.根據(jù)權利要求1所述的高強度珠粒，在所述珠粒上還配備有機層。7.根據(jù)權利要求6所述的高強度珠粒，所述有機層是由配備于所述珠粒主體的表面末端的具有碳雙鍵結合的作用基與有機單體通過自由基聚合形成。8.根據(jù)權利要求7所述的高強度珠粒，所述有機層是以0.05μm至0.2μm的厚度形成。9.根據(jù)權利要求7所述的高強度珠粒，所述有機單體是從由乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6
?
己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3
?
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：金敬欽，B，
申請(專利權)人：德山金屬株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。