本實用新型專利技術公開了一種基于光耦隔離的繼電測試儀輸出裝置，包括光耦隔離模塊、信號調理模塊和輸出通路擴展模塊；所述光耦隔離模塊的輸入端接入外部信號，光耦隔離模塊的輸出端通過信號調理模塊與輸出通路擴展模塊連接,所述輸出通路擴展模塊將接收到的信號轉換為兩路信號對外輸出，光耦隔離模塊包括光電耦合器G，光電耦合器G的第一輸入端連接光耦隔離模塊的輸入端IN，用于輸入PWM數字信號；光電耦合器G的第二輸入端接地；光電耦合器G的輸出端通過第一電阻R1連接至高電平VCC，光電耦合器G的輸出端還通過串聯的第二電阻R2和第三電阻R3連接到光耦隔離模塊的輸出端OUT。本實用新型專利技術具有較高的隔離度，并能夠實現單路信號轉換成兩路并行信號進行輸出。路并行信號進行輸出。路并行信號進行輸出。
【技術實現步驟摘要】
一種基于光耦隔離的繼電測試儀輸出裝置
[0001]本技術涉及繼電測試儀，特別是涉及一種基于光耦隔離的繼電測試儀輸出裝置。
技術介紹
[0002]繼電測試儀是保證電力系統安全可靠運行的一種重要測試工具。隨著計算機技術、微電子技術、電力電子技術的飛速發展，應用最新技術成果不斷推出新型高性能繼電保護測試儀是技術進步的必然趨勢。
[0003]繼電測試儀在對外輸出測試信號時，往往存在著隔離度不足的問題，從而導致繼電測試儀容易受到外界干擾，不利于提高測試的準確性。
技術實現思路
[0004]本技術的目的在于克服現有技術的不足，提供一種基于光耦隔離的繼電測試儀輸出裝置，具有較高的隔離度，并能夠實現單路信號轉換成兩路并行信號進行輸出，從而有效增加輸出裝置的信號輸出路數。
[0005]本技術的目的是通過以下技術方案來實現的：一種基于光耦隔離的繼電測試儀輸出裝置，包括光耦隔離模塊、信號調理模塊和輸出通路擴展模塊；
[0006]所述光耦隔離模塊的輸入端接入外部信號，光耦隔離模塊的輸出端通過信號調理模塊與輸出通路擴展模塊連接,所述輸出通路擴展模塊將接收到的信號轉換為兩路信號對外輸出。
[0007]優選地，所述光耦隔離模塊包括光電耦合器G，光電耦合器G的第一輸入端連接光耦隔離模塊的輸入端IN，輸入端IN用于供外部控制器輸入PWM數字信號；光電耦合器G的第二輸入端接地；光電耦合器G 的輸出端通過第一電阻R1 連接至高電平VCC，光電耦合器G 的輸出端還通過串聯的第二電阻R2 和第三電阻R3連接到光耦隔離模塊的輸出端OUT。
[0008]優選地，所述信號調理模塊包括可調移相器、可調衰減器、濾波器和放大器，所述可調移相器的輸入端連接光耦隔離模塊的輸出端，可調移相器的輸出端依次通過可調衰減器、濾波器和放大器與所述輸出通路擴展模塊連接。
[0009]優選地，所述輸出通路擴展模塊包括第一晶體三極管T1、第二晶體三極管T2、第一耗盡型MOS 管、第二耗盡型MOS管和全差分運算放大器；所述第一晶體三極管T1和第二晶體三極管T2的基極連接在一起作為輸出通路擴展模塊的輸入端；所述第一晶體三極管T1的發射極連接第一耗盡型MOS 管的漏級，第二晶體三極管T2的發射極連接第二耗盡型MOS管的漏級；第一晶體三極管T1的發射極還與全差分運算放大器的正相輸入端連接，第一耗盡型MOS 管的柵極與全差分運算放大器的正相輸出端連接；第二晶體三極管T2的發射極還與全差分運算放大器的反相輸入端連接，第二耗盡型MOS 管的柵極還與全差分運算放大器的反相輸出端連接；所述第一晶體三極管T1的集電極作為輸出通路擴展模塊的第一輸出端；所述第二晶體三極管T2的集電極作為輸出通路擴展模塊的第二輸出端，由所述輸出通路擴展
模塊的第一輸出端和第二輸出端對外輸出信號。所述第一耗盡型MOS 管的柵極和漏級之間連接有補償電容C1，所述第二耗盡型MOS管的柵極和漏級之間連接有補償電容C2。所述第一耗盡型MOS 管的源級與襯底連接在一起，且第一耗盡型MOS 管的源級接地；所述第二耗盡型MOS管的源級與襯底連接在一起，且第二耗盡型MOS管的源級接地。
[0010]本技術的有益效果是：本專利技術通過光耦隔離模塊進行PWM數字信號的處理和輸出，具有較高的隔離度，并能夠實現單路信號轉換成兩路并行信號進行輸出；從而有效增加輸出裝置的信號輸出路數。
附圖說明
[0011]圖1為本技術的原理示意圖；
[0012]圖2為光耦隔離模塊的原理示意圖；
[0013]圖3為輸出通路擴展模塊的原理示意圖。
具體實施方式
[0014]下面結合附圖進一步詳細描述本技術的技術方案，但本技術的保護范圍不局限于以下所述。
[0015]如圖1所示，一種基于光耦隔離的繼電測試儀輸出裝置，包括光耦隔離模塊、信號調理模塊和輸出通路擴展模塊；
[0016]所述光耦隔離模塊的輸入端接入外部信號，光耦隔離模塊的輸出端通過信號調理模塊與輸出通路擴展模塊連接,所述輸出通路擴展模塊將接收到的信號轉換為兩路信號對外輸出。
[0017]如圖2所示，所述光耦隔離模塊包括光電耦合器G，光電耦合器G的第一輸入端連接光耦隔離模塊的輸入端IN，輸入端IN用于供外部控制器輸入PWM數字信號；光電耦合器G的第二輸入端接地；光電耦合器G 的輸出端通過第一電阻R1 連接至高電平VCC，光電耦合器G 的輸出端還通過串聯的第二電阻R2 和第三電阻R3連接到光耦隔離模塊的輸出端OUT。
[0018]所述信號調理模塊包括可調移相器、可調衰減器、濾波器和放大器，所述可調移相器的輸入端連接光耦隔離模塊的輸出端，可調移相器的輸出端依次通過可調衰減器、濾波器和放大器與所述輸出通路擴展模塊連接。
[0019]如圖3所示，所述輸出通路擴展模塊包括第一晶體三極管T1、第二晶體三極管T2、第一耗盡型MOS 管、第二耗盡型MOS管和全差分運算放大器；所述第一晶體三極管T1和第二晶體三極管T2的基極連接在一起作為輸出通路擴展模塊的輸入端；所述第一晶體三極管T1的發射極連接第一耗盡型MOS 管的漏級，第二晶體三極管T2的發射極連接第二耗盡型MOS管的漏級；第一晶體三極管T1的發射極還與全差分運算放大器的正相輸入端連接，第一耗盡型MOS 管的柵極與全差分運算放大器的正相輸出端連接；第二晶體三極管T2的發射極還與全差分運算放大器的反相輸入端連接，第二耗盡型MOS 管的柵極還與全差分運算放大器的反相輸出端連接；所述第一晶體三極管T1的集電極作為輸出通路擴展模塊的第一輸出端；所述第二晶體三極管T2的集電極作為輸出通路擴展模塊的第二輸出端，由所述輸出通路擴展模塊的第一輸出端和第二輸出端對外輸出信號。所述第一耗盡型MOS 管的柵極和漏級之間連接有補償電容C1，所述第二耗盡型MOS管的柵極和漏級之間連接有補償電容C2。所
述第一耗盡型MOS 管的源級與襯底連接在一起，且第一耗盡型MOS 管的源級接地；所述第二耗盡型MOS管的源級與襯底連接在一起，且第二耗盡型MOS管的源級接地。
[0020]在本申請的實施例中，通過光耦隔離模塊進行PWM數字信號的處理和輸出，具有較高的隔離度，并能夠實現單路信號轉換成兩路并行信號進行輸出；從而有效增加輸出裝置的信號輸出路數，使得一個輸出裝置能夠輸出兩路信號。
[0021]在本申請的實施例中，輸出通路擴展模塊工作時，輸入信號使兩個晶體三極管開啟，產生集電極電流，集電極電流在耗盡型MOS管的漏端產生壓降，理想狀態下，電流相等時，兩個晶體三極管的基極到發射極電壓降應該相等，全差分運算放大器的兩個輸入端電壓相等。當電流不相等時，全差分運算放大器的輸入端電壓有差別，例如當第一晶體三極管T1的基極電流不足時，將會使得第一晶體三極管T1的VBE壓降較小，全差分運算放大器正相輸入端電壓較高，則正相輸出端電壓增大，使第一耗盡型MOS 管MH1 柵極電壓增大，MH1 導通壓降降低，電流增大，從而補償第一晶體三極管T1的輸出電流，MH1本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種基于光耦隔離的繼電測試儀輸出裝置，其特征在于：包括光耦隔離模塊、信號調理模塊和輸出通路擴展模塊；所述光耦隔離模塊的輸入端接入外部信號，光耦隔離模塊的輸出端通過信號調理模塊與輸出通路擴展模塊連接,所述輸出通路擴展模塊將接收到的信號轉換為兩路信號對外輸出。2.根據權利要求1所述的一種基于光耦隔離的繼電測試儀輸出裝置，其特征在于：所述光耦隔離模塊包括光電耦合器G，光電耦合器G的第一輸入端連接光耦隔離模塊的輸入端IN，輸入端IN用于供外部控制器輸入PWM數字信號；光電耦合器G的第二輸入端接地；光電耦合器G 的輸出端通過第一電阻R1 連接至高電平VCC，光電耦合器G 的輸出端還通過串聯的第二電阻R2 和第三電阻R3連接到光耦隔離模塊的輸出端OUT。3.根據權利要求1所述的一種基于光耦隔離的繼電測試儀輸出裝置，其特征在于：所述信號調理模塊包括可調移相器、可調衰減器、濾波器和放大器，所述可調移相器的輸入端連接光耦隔離模塊的輸出端，可調移相器的輸出端依次通過可調衰減器、濾波器和放大器與所述輸出通路擴展模塊連接。4.根據權利要求1所述的一種基于光耦隔離的繼電測試儀輸出裝置，其特征在于：所述輸出通路擴展模塊包括第一晶體三極管T1、第二晶體三極管T2、第一耗盡型MOS 管、第二耗盡型MOS管和全差...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王周蓉，
申請(專利權)人：成都天進儀器有限公司，
類型：新型
國別省市：
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