本發(fā)明專利技術(shù)提供一種空穴注入傳輸能力高、耐久性高的聚合物和包含該聚合物的有機(jī)電致發(fā)光元件用組合物、以及亮度高、驅(qū)動(dòng)壽命長(zhǎng)的有機(jī)電致發(fā)光元件。一種聚合物，包含下述式(1)所示的重復(fù)單元。G為可以具有取代基的芳香族烴基或N原子。Ar1為可以具有取代基的芳香族烴基。Ar2、Ar3、Ar4為可以具有取代基的芳香族烴基、可以具有取代基的芳香族雜環(huán)基、或者將選自可以具有取代基的芳香族烴基和可以具有取代基的芳香族雜環(huán)基中的基團(tuán)直接或經(jīng)由連接基團(tuán)連接多個(gè)而成的基團(tuán)。X、Y為C原子或N原子。該C原子可以具有取代基。“－*”為與G的鍵合部位。為與G的鍵合部位。為與G的鍵合部位。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】聚合物、有機(jī)電致發(fā)光元件用組合物、空穴傳輸層或空穴注入層形成用組合物、有機(jī)電致發(fā)光元件、有機(jī)EL顯示裝置和有機(jī)EL照明
[0001]本專利技術(shù)涉及一種聚合物。詳細(xì)而言，本專利技術(shù)涉及一種作為有機(jī)電致發(fā)光元件的電荷傳輸性材料有用的聚合物。另外，本專利技術(shù)涉及一種含有該聚合物的有機(jī)電致發(fā)光元件用組合物、空穴傳輸層或空穴注入層形成用組合物、包含使用該組合物而形成的層的有機(jī)電致發(fā)光元件和其制造方法、以及具有該有機(jī)電致發(fā)光元件的有機(jī)EL顯示裝置和有機(jī)EL照明。
技術(shù)介紹
[0002]作為有機(jī)電致發(fā)光元件中的有機(jī)層的形成方法，有真空蒸鍍法和濕式成膜法。
[0003]真空蒸鍍法由于容易層疊化，因此，具有如下優(yōu)點(diǎn)：容易改善從陽(yáng)極和/或陰極的電荷注入、容易將激子封閉在發(fā)光層中。
[0004]另一方面，濕式成膜法具有如下優(yōu)點(diǎn)：不需要真空工藝，容易大面積化，且通過(guò)使用將具有各種功能的多種材料混合而成的涂布液，能夠容易地形成含有具有各種功能的多種材料的層等。
[0005]但是，現(xiàn)狀是濕式成膜法由于難以層疊化，因此與利用真空蒸鍍法而得的元件相比，驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性差，除一部分以外，未達(dá)到實(shí)用水平。
[0006]為了進(jìn)行利用濕式成膜法的層疊化，期待一種具有交聯(lián)性基團(tuán)的電荷傳輸性聚合物，另外，正在對(duì)其進(jìn)行開(kāi)發(fā)。例如，在專利文獻(xiàn)1～3中公開(kāi)了一種含有具有特定的重復(fù)單元的聚合物且通過(guò)濕式成膜法層疊化而成的有機(jī)電致發(fā)光元件。
[0007]在專利文獻(xiàn)4和5中公開(kāi)了一種具有在聚合物的主鏈鍵合有芴環(huán)或咔唑環(huán)與不具有取代基的亞苯基環(huán)的結(jié)構(gòu)的空穴注入傳輸性材料。
[0008]在專利文獻(xiàn)6中記載了在具有sp3雜化的季碳C4與亞苯基的重復(fù)單元的聚合物中，優(yōu)選在主鏈包含非共軛單元。在專利文獻(xiàn)6中公開(kāi)了經(jīng)由亞烷基將三嗪環(huán)與主鏈連接的側(cè)鏈結(jié)構(gòu)。
[0009]在專利文獻(xiàn)7中公開(kāi)了在主鏈具有包含硅原子與咔唑環(huán)的重復(fù)單元的聚合物中，在咔唑環(huán)的9位經(jīng)由芳基連接有具有取代基的三嗪基的化合物。
[0010]在專利文獻(xiàn)8中公開(kāi)了在具有芳基胺結(jié)構(gòu)的聚合物的側(cè)鏈具有吡啶結(jié)構(gòu)的聚合物。
[0011]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0012]專利文獻(xiàn)
[0013]專利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開(kāi)第2009/123269號(hào)
[0014]專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2013－045986號(hào)公報(bào)
[0015]專利文獻(xiàn)3：國(guó)際公開(kāi)第2013/191088號(hào)
[0016]專利文獻(xiàn)4：日本特開(kāi)2016－084370號(hào)公報(bào)
[0017]專利文獻(xiàn)5：日本特開(kāi)2017－002287號(hào)公報(bào)
[0018]專利文獻(xiàn)6：日本特表2014－506003號(hào)
[0019]專利文獻(xiàn)7：中國(guó)專利公開(kāi)第108383980號(hào)說(shuō)明書(shū)
[0020]專利文獻(xiàn)8：國(guó)際公開(kāi)第2003/057762號(hào)
[0021]在專利文獻(xiàn)6中公開(kāi)了經(jīng)由亞烷基將側(cè)鏈的三嗪環(huán)與主鏈連接的結(jié)構(gòu)。但是，該聚合物通過(guò)使亞烷基介于主鏈與側(cè)鏈的三嗪環(huán)之間而形成分子間電荷移動(dòng)受到阻擋的結(jié)構(gòu)。
[0022]專利文獻(xiàn)7中公開(kāi)的化合物通過(guò)包含硅原子，聚合物的主鏈成為非共軛，電荷傳輸性差。
[0023]在專利文獻(xiàn)8中公開(kāi)了在主鏈具有電荷傳輸性優(yōu)異的芴基的芳基胺聚合物。但是，該聚合物通過(guò)吡啶環(huán)與位于主鏈的N原子直接鍵合而容易形成準(zhǔn)分子，因此元件的耐久性不充分。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0024]本專利技術(shù)的課題在于提供一種空穴注入傳輸能力高、耐久性高的聚合物和包含該聚合物的有機(jī)電致發(fā)光元件用組合物。另外，本專利技術(shù)的課題在于提供一種亮度高、驅(qū)動(dòng)壽命長(zhǎng)的有機(jī)電致發(fā)光元件。
[0025]本專利技術(shù)人發(fā)現(xiàn)通過(guò)使用在側(cè)鏈具有特定結(jié)構(gòu)的聚合物，能夠解決上述課題，該特定結(jié)構(gòu)包含具有氮原子的特定的六元雜芳香環(huán)。
[0026]本專利技術(shù)的主旨如以下[1]～[16]所示。
[0027][1]一種聚合物，包含下述式(1)所示的重復(fù)單元。
[0028][0029]式(1)中，G表示可以具有取代基的芳香族烴基或N原子。
[0030]Ar2表示可以具有取代基的二價(jià)芳香族烴基、可以具有取代基的二價(jià)芳香族雜環(huán)基、或者將選自可以具有取代基的二價(jià)芳香族烴基和可以具有取代基的二價(jià)芳香族雜環(huán)基中的2個(gè)以上的基團(tuán)直接或經(jīng)由連接基團(tuán)連接多個(gè)而成的二價(jià)基團(tuán)。
[0031]A為包含具有氮原子的特定的六元雜芳香環(huán)的結(jié)構(gòu)且由式(1)－2表示。
[0032]式(1)－2中，Ar1表示可以具有取代基的二價(jià)芳香族烴基。
[0033]Ar3和Ar4各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的芳香族烴基、可以具有取代基的芳香族雜環(huán)基、或者將選自可以具有取代基的芳香族烴基和可以具有取代基的芳香族雜環(huán)基中
的2個(gè)以上的基團(tuán)直接或經(jīng)由連接基團(tuán)連接多個(gè)而成的一價(jià)基團(tuán)。
[0034]X、Y各自獨(dú)立地表示C原子或N原子。在X或Y為C原子的情況下，可以具有取代基。
[0035]“－*”為與式(1)中的G鍵合的部位。
[0036][2]根據(jù)[1]所述的聚合物，其中，上述G為N原子。
[0037][3]根據(jù)[2]上述的聚合物，其中，上述式(1)所示的重復(fù)單元為下述式(2)－1～式(2)－3中的任一者所示的重復(fù)單元。
[0038][0039]式(2)－1～式(2)－3中，A與上述式(1)中的A相同。
[0040]Q表示－C(R5)(R6)－、－N(R7)－或－C(R
11
)(R
12
)－C(R
13
)(R
14
)－。
[0041]R1～R4各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基或可以具有取代基的芳烷基。
[0042]R5～R7和R
11
～R
14
各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳烷基或可以具有取代基的芳香族烴基。
[0043]a、b各自獨(dú)立地為0～4的整數(shù)。
[0044]c1～c5各自獨(dú)立地為0～3的整數(shù)。
[0045]其中，c3與c5中的至少一者為1以上。
[0046]d1～d4各自獨(dú)立地為1～4的整數(shù)。
[0047]在該重復(fù)單元中存在多個(gè)R1、R2、R3、R4時(shí)，R1、R2、R3、R4可以相同也可以不同。
[0048][4]根據(jù)[1]～[3]中任一項(xiàng)所述的聚合物，其中，進(jìn)一步包含下述式(3)－1～式(3)－3中的任一者所示的重復(fù)單元。
[0049][0050]式(3)－1～式(3)－3中，Ar7不包括上述式(1)－2所示的結(jié)構(gòu)A、即包含具有氮原子的特定的六元雜芳香環(huán)的基，表示可以具有取代基的芳香族烴基或可以具有取代基的芳香族雜環(huán)基。
[0051]Q表示－C(R5)(R6)－、－N(R7)－或－C(R
11
)(R
12
)－C(R
13
)(R
14
)－。
[00本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】1.一種聚合物，包含下述式(1)所示的重復(fù)單元，式(1)中，G表示可以具有取代基的芳香族烴基或N原子，Ar2表示可以具有取代基的二價(jià)芳香族烴基、可以具有取代基的二價(jià)芳香族雜環(huán)基、或者將選自可以具有取代基的二價(jià)芳香族烴基和可以具有取代基的二價(jià)芳香族雜環(huán)基中的2個(gè)以上的基團(tuán)直接或經(jīng)由連接基團(tuán)連接多個(gè)而成的二價(jià)基團(tuán)，A為包含具有氮原子的特定的六元雜芳香環(huán)的結(jié)構(gòu)且由式(1)－2表示，式(1)－2中，Ar1表示可以具有取代基的二價(jià)芳香族烴基，Ar3和Ar4各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的芳香族烴基、可以具有取代基的芳香族雜環(huán)基、或者將選自可以具有取代基的芳香族烴基和可以具有取代基的芳香族雜環(huán)基中的2個(gè)以上的基團(tuán)直接或經(jīng)由連接基團(tuán)連接多個(gè)而成的一價(jià)基團(tuán)，X、Y各自獨(dú)立地表示C原子或N原子，在X或Y為C原子的情況下，可以具有取代基，“－*”為與式(1)中的G鍵合的部位。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物，其中，所述G為N原子。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聚合物，其中，所述式(1)所示的重復(fù)單元為下述式(2)－1～式(2)－3中的任一者所示的重復(fù)單元，
式(2)－1～式(2)－3中，A與所述式(1)中的A相同，Q表示－C(R5)(R6)－、－N(R7)－或－C(R
11
)(R
12
)－C(R
13
)(R
14
)－，R1～R4各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基或可以具有取代基的芳烷基，R5～R7和R
11
～R
14
各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳烷基或可以具有取代基的芳香族烴基，a、b各自獨(dú)立地為0～4的整數(shù)，c1～c5各自獨(dú)立地為0～3的整數(shù)，其中，c3與c5中的至少一者為1以上，d1～d4各自獨(dú)立地為1～4的整數(shù)，在該重復(fù)單元中存在多個(gè)R1、R2、R3、R4時(shí)，R1、R2、R3、R4可以相同也可以不同。4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的聚合物，其中，進(jìn)一步包含下述式(3)－1～式(3)－3中的任一者所示的重復(fù)單元，
式(3)－1～式(3)－3中，Ar7不包括所述式(1)－2所示的結(jié)構(gòu)A、即包含具有氮原子的特定的六元雜芳香環(huán)的基團(tuán)，表示可以具有取代基的芳香族烴基或可以具有取代基的芳香族雜環(huán)基，Q表示－C(R5)(R6)－、－N(R7)－或－C...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李延軍，安部智宏，梶山良子，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：三菱化學(xué)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。