本實用新型專利技術(shù)公開了一種大通光口徑的普克爾斯盒，包括電光晶體，所述電光晶體的上方通過一緩沖層與第一固定塊連接，所述電光晶體的下方通過一固定層與第二固定塊連接，所述第一固定塊和第二固定塊上分別設(shè)置有用于對所述電光晶體施加電壓的第一電極和第二電極。本實用新型專利技術(shù)實施例通過設(shè)置所述緩沖層和固定層，可以解決壓電效應(yīng)引起的晶體機械振動問題以及冷卻散熱問題，使之適合高功率和大能量激光輸出的再生放大器。出的再生放大器。出的再生放大器。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種大通光口徑的普克爾斯盒
[0001]本技術(shù)涉及高能超快激光
，具體涉及一種大通光口徑的普克爾斯盒。
技術(shù)介紹
[0002]普克爾斯盒是一種基于電光效應(yīng)開發(fā)的激光器件，其廣泛用于高重頻固態(tài)激光器Q開關(guān)、激光器的腔倒空、高頻光開關(guān)、斬波器、光學(xué)斬波器和高重頻再生放大器控制中。普克爾斯盒是通過外加電壓引起電光晶體雙折射的變化來改變光的偏振態(tài)。通過對電光晶體施加電場控制，從而改變電光晶體一定方向的折射率，使得電光調(diào)制器普克爾斯盒可以作為一個可變波片工作，從而實現(xiàn)偏振態(tài)改變。
[0003]目前主流的普克爾斯盒主要有三個問題：
[0004]1、普克爾斯盒在運行過程中的會產(chǎn)生附帶的壓電振鳴效應(yīng)造成晶體機械振動，特別是驅(qū)動頻率超過kHz時，影響很大；
[0005]2、由于電光晶體具有一定的損傷閾值，電光晶體尺寸小，滿足不了高功率和高能量激光器的應(yīng)用需求，增大晶體尺寸又會帶來更大的機械振動和散熱問題；
[0006]3、主體固定結(jié)構(gòu)主要由彈性塑料，由于塑料墊的厚度必須足夠大以確保足夠的彈性，這種塑料墊可能會由于有限的熱導(dǎo)率而導(dǎo)致熱問題，特別是在高激光功率運行的情況下更突出。
技術(shù)實現(xiàn)思路
[0007]本技術(shù)實施例提供了一種大通光口徑的普克爾斯盒，旨在解決壓電效應(yīng)引起的晶體機械振動問題和冷卻散熱問題，使之適合高功率和大能量激光輸出的再生放大器和大功率的脈沖選擇器。
[0008]本技術(shù)實施例提供了一種大通光口徑的普克爾斯盒，包括電光晶體，所述電光晶體的上方通過一緩沖層與第一固定塊連接，所述電光晶體的下方通過一固定層與第二固定塊連接，所述第一固定塊和第二固定塊上分別設(shè)置有用于對所述電光晶體施加電壓的第一電極和第二電極。
[0009]進(jìn)一步的，所述第一固定塊為上寬下窄結(jié)構(gòu)，所述第二固定塊為上窄下寬結(jié)構(gòu)，所述第一固定塊的窄側(cè)結(jié)構(gòu)上設(shè)置有至少一個第一冷卻通道，所述第二固定塊的窄側(cè)結(jié)構(gòu)上設(shè)置有至少一個第二冷卻通道；所述第一固定塊和第二固定塊的質(zhì)量均大于電光晶體質(zhì)量，所述第一冷卻通道和第二冷卻通道均與普克爾斯盒外界環(huán)境連通，實現(xiàn)熱交換。
[0010]進(jìn)一步的，所述第一冷卻通道和第二冷卻通道中裝配有冷卻液，所述冷卻液為非導(dǎo)電液體。
[0011]進(jìn)一步的，所述第一電極為正極，第二電極為負(fù)極，所述第一電極和第二電極分別與一電源的正負(fù)極連通，所述電源用于提供可調(diào)脈沖寬帶，可調(diào)范圍最小為200ns，脈沖的上升下降沿為2～10ns；
[0012]在施加電壓時，通過所述普克爾斯盒內(nèi)電光晶體的的激光偏振狀態(tài)發(fā)生轉(zhuǎn)變。
[0013]進(jìn)一步的，所述電光晶體為BBO晶體或者KDP晶體，所述BBO晶體或者KDP晶體的表面鍍設(shè)有高損傷閾值的增透膜，所述高損傷閾值大于700MW/cm2。
[0014]進(jìn)一步的，所述電光晶體的數(shù)量為1個或多個。
[0015]進(jìn)一步的，所述電光晶體與所述緩沖層直接連接，所述電光晶體與所述固定層膠合連接或者焊接。
[0016]進(jìn)一步的，所述緩沖層具有導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性，所述緩沖層的材料為軟金屬片；
[0017]所述固定層具有導(dǎo)熱性，所述固定層為導(dǎo)電的焊料或者不導(dǎo)電的粘合劑，且當(dāng)所述固定層為不導(dǎo)電的粘合劑時，所述電源負(fù)極和第二電極均接地設(shè)置。
[0018]進(jìn)一步的，所述第一固定塊和第二固定塊均具有導(dǎo)電性，所述第二固定塊和第二固定塊為金屬材料。
[0019]進(jìn)一步的，所述第一固定塊和第二固定塊的內(nèi)部設(shè)置有散熱件。
[0020]本技術(shù)實施例提供了一種大通光口徑的普克爾斯盒，包括電光晶體，所述電光晶體的上方通過一緩沖層與第一固定塊連接，所述電光晶體的下方通過一固定層與第二固定塊連接，所述第一固定塊和第二固定塊上分別設(shè)置有用于對所述電光晶體施加電壓的第一電極和第二電極。本技術(shù)實施例通過設(shè)置所述緩沖層和固定層，可以解決壓電效應(yīng)引起的晶體機械振動問題和冷卻散熱問題，使之適合高功率和大能量激光輸出的再生放大器。
附圖說明
[0021]為了更清楚地說明本技術(shù)實施例技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本技術(shù)的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1為本技術(shù)實施例提供的一種大通光口徑的普克爾斯盒的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為本技術(shù)實施例提供的一種大通光口徑的普克爾斯盒的另一結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
[0024]下面將結(jié)合本技術(shù)實施例中的附圖，對本技術(shù)實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本技術(shù)一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本技術(shù)中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。
[0025]應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)在本說明書和所附權(quán)利要求書中使用時，術(shù)語“包括”和“包含”指示所描述特征、整體、步驟、操作、元素和/或組件的存在，但并不排除一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元素、組件和/或其集合的存在或添加。
[0026]還應(yīng)當(dāng)理解，在此本技術(shù)說明書中所使用的術(shù)語僅僅是出于描述特定實施例的目的而并不意在限制本技術(shù)。如在本技術(shù)說明書和所附權(quán)利要求書中所使用的那樣，除非上下文清楚地指明其它情況，否則單數(shù)形式的“一”、“一個”及“該”意在包括復(fù)數(shù)
形式。
[0027]還應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解，在本技術(shù)說明書和所附權(quán)利要求書中使用的術(shù)語“和/或”是指相關(guān)聯(lián)列出的項中的一個或多個的任何組合以及所有可能組合，并且包括這些組合。
[0028]下面請參見圖1，本技術(shù)實施例提供的一種大通光口徑的普克爾斯盒，包括電光晶體3，所述電光晶體3的上方通過一緩沖層2與第一固定塊1a連接，所述電光晶體3的下方通過一固定層4與第二固定塊1b連接，所述第一固定塊1a和第二固定塊1b上分別設(shè)置有用于對所述電光晶體3施加電壓的第一電極5a和第二電極5b。
[0029]本實施例中，所述普克爾斯盒包括電光晶體3、分別位于所述電光晶體3上下方的第一固定塊1a和第二固定塊1b，其中第一固定塊1a和電光晶體3之間設(shè)置有所述緩沖層2，第二固定塊1b和電光晶體3之間設(shè)置有固定層4，同時，所述第一固定塊1a和第二固定塊1b上分別設(shè)置有第一電極5a和第二電極5b，用于對所述電光晶體3施加電壓(或者取消施加電壓)。
[0030]所述第一固定塊1a、第二固定塊1b和電光晶體3之間的整體連接抑制了電光晶體3在平行于與電極連接的晶體平面的方向上的膨脹或壓縮。在垂直于連接晶面的方向上的膨脹或壓縮所引起的電光晶體3壓電效應(yīng)也可以被第一固定塊1a、第二固定塊1b的壓緊固定和緩沖層2從根本上抵消壓電效應(yīng)。總的來說，所述第一固定塊1a、第二固定塊1b構(gòu)可以抵消由于其自身質(zhì)量或周邊環(huán)境(例如光學(xué)平臺)而引起的電光晶體3的任何振動。
[本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種大通光口徑的普克爾斯盒，其特征在于，包括電光晶體，所述電光晶體的上方通過一緩沖層與第一固定塊連接，所述電光晶體的下方通過一固定層與第二固定塊連接，所述第一固定塊和第二固定塊上分別設(shè)置有用于對所述電光晶體施加電壓的第一電極和第二電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大通光口徑的普克爾斯盒，其特征在于，所述第一固定塊為上寬下窄結(jié)構(gòu)，所述第二固定塊為上窄下寬結(jié)構(gòu)，所述第一固定塊的窄側(cè)結(jié)構(gòu)上設(shè)置有至少一個第一冷卻通道，所述第二固定塊的窄側(cè)結(jié)構(gòu)上設(shè)置有至少一個第二冷卻通道；所述第一固定塊和第二固定塊的質(zhì)量均大于電光晶體質(zhì)量，所述第一冷卻通道和第二冷卻通道均與普克爾斯盒外界環(huán)境連通，實現(xiàn)熱交換。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的大通光口徑的普克爾斯盒，其特征在于，所述第一冷卻通道和第二冷卻通道中裝配有冷卻液，所述冷卻液為非導(dǎo)電液體。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大通光口徑的普克爾斯盒，其特征在于，所述第一電極為正極，第二電極為負(fù)極，所述第一電極和第二電極分別與電源的正負(fù)極連通，所述電源用于提供可調(diào)脈沖寬帶，可調(diào)范圍最小為200ns，脈沖的上升下降沿為2～10ns；在施加電壓時，通過所述普...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：萬輝，牛姜維，
申請(專利權(quán))人：深圳市輝宏激光科技有限公司，
類型：新型
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。