本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種貼片型熱敏電阻,該電阻不需要使用另制的平整外殼就能滿足自動(dòng)化吸取的需要,具有芯片和電極,兩面的電極上分別焊接導(dǎo)電引腳,芯片、電極和部分的導(dǎo)電引腳由外殼包封,導(dǎo)電引腳前部焊接在電極上為焊接部、后部從電極上伸出為引腳部,焊接部為自前端向后厚度逐漸增加的扁形,焊接部前端的厚度為0.2~0.3mm;外殼具有位于上面中心區(qū)域的上平面和位于下面中心區(qū)域的下平面,上平面和下平面的面積分別為外殼向下投影面積的50~90%;引腳部的底邊在下平面所處的平面上,導(dǎo)電引腳具有兩處折彎,折彎處折邊所夾的角為鈍角,電極包括與芯片接觸的銀極層和與導(dǎo)電引腳接觸的銅極層。觸的銀極層和與導(dǎo)電引腳接觸的銅極層。觸的銀極層和與導(dǎo)電引腳接觸的銅極層。
A chip type thermistor
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種貼片型熱敏電阻
[0001]本技術(shù)涉及電子元器件
,尤其是一種貼片型熱敏電阻。
技術(shù)介紹
[0002]現(xiàn)行插件型熱敏電阻配置于電路板上時(shí),由于插件型熱敏電阻加上引腳的整體高度較高,無法實(shí)現(xiàn)電路板產(chǎn)品的扁平化和薄型化,同時(shí),因插件型熱敏電阻本體的上表面平整度不佳,使得機(jī)械吸嘴與插件型熱敏電阻的上表面接觸不良,無法進(jìn)行自動(dòng)化吸取,進(jìn)而導(dǎo)致生產(chǎn)速率不佳,且現(xiàn)在已有越來越多的電子原器件從通孔轉(zhuǎn)換為表面貼裝,回流焊工藝在相當(dāng)范圍內(nèi)取代波峰焊工藝已是焊接行業(yè)的明顯趨勢,而普通插件型熱敏電阻一般不適用于回流焊工藝,導(dǎo)致需匹配多個(gè)焊接工序,影響效率。
[0003]面對這些對電子原器件的新要求,現(xiàn)有的熱敏電阻就存在了下面幾個(gè)問題:
[0004]一、熱敏電阻是由芯片、芯片兩面的電極、電極上的引腳和外部的包封組成,現(xiàn)有成熟裝備工藝所制造的熱敏電阻的平整度較差,這是由于引腳在電極上形成的突起明顯,對平面的封裝材料刮涂整平時(shí)不能形成平整度小于0.1毫米的平面,不能夠滿足自動(dòng)化吸取的需要,將熱敏電阻封裝在平整度好的另制的外殼內(nèi),又會(huì)明顯增加器件的價(jià)格,用戶難以接受;
[0005]二、因?yàn)橐獙崦綦娮杞?jīng)高溫回流焊貼片式焊接到電路板上,所以要求產(chǎn)品內(nèi)部的引腳與電極的焊錫使用高溫焊錫,不然會(huì)造成引腳與電極焊接處熔融失效,但是目前無鉛高溫焊錫對銀電極具有較強(qiáng)的侵蝕性,不宜直接搭配使用;
[0006]三、現(xiàn)有熱敏電阻的引腳呈直角彎折狀,在電阻的底平面上設(shè)有突起以使突起與兩引腳形成三點(diǎn)支撐,這樣的熱敏電阻的扁平化程度不高;
[0007]四、熱敏電阻為功率型產(chǎn)品,貼裝使用時(shí),熱敏電阻的本體溫度較高,PCB板長期受到本體高溫烘烤,易加速變形和損壞。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0008]本技術(shù)要解決的技術(shù)問題是:提供一種熱敏電阻,不需要使用另制的平整外殼就能滿足自動(dòng)化吸取的使用需要。
[0009]本技術(shù)解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種貼片型熱敏電阻,具有芯片和芯片兩面的電極,兩面的電極上分別焊接導(dǎo)電引腳,芯片、電極和部分的導(dǎo)電引腳由外殼包封,所述導(dǎo)電引腳前部焊接在電極上為焊接部、后部從電極上伸出為引腳部,所述焊接部為自前端向后厚度逐漸增加的扁形;所述外殼具有位于上面中心區(qū)域的上平面和位于下面中心區(qū)域的下平面,所述上平面和下平面的面積分別為外殼向下投影面積的50~90%;所述引腳部的底邊在下平面所處的平面上。
[0010]具體的,為減小引腳厚度對封裝材料刮涂整平的影響,所述焊接部前端的厚度為0.2~0.3mm。
[0011]為了使導(dǎo)電引腳易于成型且成型時(shí)不易損壞,所述導(dǎo)電引腳具有兩處折彎,折彎
處折邊所夾的角為鈍角。
[0012]進(jìn)一步的,所述鈍角為小于或等于150度的鈍角,所述芯片上面導(dǎo)電引腳焊接部與引腳部的夾角小于芯片下面導(dǎo)電引腳焊接部與引腳部的夾角。
[0013]為了防止焊接導(dǎo)電引腳時(shí)無鉛高溫焊錫直接接觸銀電極對銀電極造成侵蝕,所述電極具有兩層,電極包括與芯片接觸的銀極層和與導(dǎo)電引腳接觸的銅極層。
[0014]本技術(shù)的有益效果是:
[0015]一、本技術(shù)將導(dǎo)電引腳與電極焊接的部位壓扁成前薄后厚的鍥形,作為外殼的包封樹脂在沒有完全固化時(shí)對外殼的上面和下面進(jìn)行刮平處理,在電阻上面和下面的中心區(qū)域的導(dǎo)電引腳較薄,所以能夠形成一定區(qū)域的平整度小于0.1毫米的平面,使熱敏電阻適于自動(dòng)化設(shè)備吸取貼裝;
[0016]二、電極為具有銀電極層和銅電極層的復(fù)合電極,銀電極層直接和瓷體接觸,銅電極層覆蓋在銀電極上,導(dǎo)電引腳通過無鉛高溫焊錫和銅電極層焊接在一起,貼片型熱敏電阻在高溫回流焊過程中,內(nèi)部的高溫焊錫不會(huì)融化,同時(shí),銅電極層也阻斷了焊錫對銀電極層的侵蝕;
[0017]三、熱敏電阻的下平面直接接觸于電路板,提高了元器件的扁平化程度,且也提高下平面的散熱速率,最佳可實(shí)現(xiàn)本體兩側(cè)溫差40℃;
[0018]四、導(dǎo)電引腳焊接部加強(qiáng)打扁,引腳和電極的接觸面積更大,更利于熱傳導(dǎo),因此通電后本體溫度更低,本體溫度能夠降低10℃左右。
附圖說明
[0019]圖1是本技術(shù)的示意圖;
[0020]圖2是圖1的俯視圖。
[0021]圖中:1、芯片,2、電極,3、導(dǎo)電引腳,4、外殼,4
?
1、上平面,4
?
2、下平面。
具體實(shí)施方式
[0022]現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對本技術(shù)作進(jìn)一步詳細(xì)的說明,這些附圖均為簡化的示意圖,僅以示意方式說明本技術(shù)的基本結(jié)構(gòu),因此其僅顯示與本技術(shù)有關(guān)的構(gòu)成。
[0023]如附圖1和2的一種貼片型熱敏電阻,具有芯片1和芯片1兩面的電極2,兩面的電極2上分別焊接導(dǎo)電引腳3,芯片1、電極2和部分的導(dǎo)電引腳3由外殼4包封,導(dǎo)電引腳3前部焊接在電極2上為焊接部、后部從電極2上伸出為引腳部,焊接部為自前端向后厚度逐漸增加的扁形,焊接部前端的厚度h為0.2~0.3mm;外殼4具有位于上面中心區(qū)域的上平面4
?
1和位于下面中心區(qū)域的下平面4
?
2,上平面4
?
1和下平面4
?
2的面積分別為外殼4向下的投影面積的50~90%,這樣面積的平面已能夠滿足吸取設(shè)備吸嘴的吸取要求;引腳部的底邊在下平面4
?
2所處的平面上,導(dǎo)電引腳3具有兩處折彎,折彎處折邊所夾的角為鈍角,附圖所示的三處夾角a、b和c大于90度且小于等于150度,芯片1上面導(dǎo)電引腳3焊接部與引腳部的夾角c小于芯片1下面導(dǎo)電引腳3焊接部與引腳部的夾角b,這種折彎角度對導(dǎo)電引腳3的損傷較小,導(dǎo)電引腳3對電阻在電路板上的固定較好,電極2具有兩層,電極2包括與芯片接觸的銀極層和與導(dǎo)電引腳接觸的銅極層,電極的至少兩層結(jié)構(gòu)在附圖中沒有繪出。
[0024]以上說明書中描述的只是本技術(shù)的具體實(shí)施方式,各種舉例說明不對本技術(shù)的實(shí)質(zhì)內(nèi)容構(gòu)成限制,所屬
的普通技術(shù)人員在閱讀了說明書后可以對以前所述的具體實(shí)施方式做修改或變形,而不背離技術(shù)的實(shí)質(zhì)和范圍。
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【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種貼片型熱敏電阻,具有芯片(1)和芯片(1)兩面的電極(2),兩面的電極(2)上分別焊接導(dǎo)電引腳(3),芯片(1)、電極(2)和部分的導(dǎo)電引腳(3)由外殼(4)包封,其特征是:所述導(dǎo)電引腳(3)前部焊接在電極(2)上為焊接部、后部從電極(2)上伸出為引腳部,所述焊接部為自前端向后厚度逐漸增加的扁形;所述外殼(4)具有位于上面中心區(qū)域的上平面(4
?
1)和位于下面中心區(qū)域的下平面(4
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2),所述上平面(4
?
1)和下平面(4
?
2)的面積分別為外殼(4)向下的投影面積的50~90%;所述引腳部的底邊...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:張一平,
申請(專利權(quán))人:興勤常州電子有限公司,
類型:新型
國別省市:
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