驅(qū)動(dòng)裝置、驅(qū)動(dòng)芯片及電子設(shè)備制造方法及圖紙

本公開(kāi)涉及驅(qū)動(dòng)裝置、驅(qū)動(dòng)芯片及電子設(shè)備，所述驅(qū)動(dòng)裝置包括：分壓模塊，用于接收電源電壓，并對(duì)電源電壓進(jìn)行分壓，得到具有不同大小的多個(gè)分壓；第一選擇模塊，用于從多個(gè)分壓中選擇并輸出至少一個(gè)第一電壓；運(yùn)算放大模塊，包括多個(gè)運(yùn)算放大單元，運(yùn)算放大單元用于對(duì)第一電壓進(jìn)行運(yùn)算放大處理，得到第二電壓；第二選擇模塊，用于將第二電壓對(duì)應(yīng)的運(yùn)算放大單元與顯示面板的通路導(dǎo)通，以利用第二電壓驅(qū)動(dòng)顯示面板。本公開(kāi)實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)裝置具有較高的驅(qū)動(dòng)能力，驅(qū)動(dòng)顯示面板正常、高效工作，且能夠提供多種電壓驅(qū)動(dòng)不同的顯示面板，擴(kuò)大了電源應(yīng)用范圍，提高了靈活性，且能做到功耗可控的特點(diǎn)，整體電路面積也較小，成本較低，利于推廣利用。廣利用。廣利用。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
驅(qū)動(dòng)裝置、驅(qū)動(dòng)芯片及電子設(shè)備


[0001]本公開(kāi)涉及集成電路
，尤其涉及一種驅(qū)動(dòng)裝置、驅(qū)動(dòng)芯片及電子設(shè)備。

技術(shù)介紹

[0002]隨著科技的不斷發(fā)展，人們生活水平的不斷提高，具備顯示功能的各種類(lèi)型的電子設(shè)備越來(lái)越受到青睞，目前大多數(shù)的顯示面板都是由電池供電，顯示面板在靜態(tài)時(shí)要具有低功耗的特性，在顯示畫(huà)面時(shí)，又要具有強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力，然而，目前顯示面板的驅(qū)動(dòng)電路，存在驅(qū)動(dòng)能力不足、功耗較大、電路面積大的缺點(diǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

[0003]有鑒于此，本公開(kāi)提出了一種驅(qū)動(dòng)裝置、驅(qū)動(dòng)芯片及電子設(shè)備，以提高驅(qū)動(dòng)能力，降低功耗，降低電路面積。
[0004]根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提出了一種驅(qū)動(dòng)裝置，用于驅(qū)動(dòng)顯示面板，所述驅(qū)動(dòng)裝置包括：
[0005]分壓模塊，用于接收電源電壓，并對(duì)所述電源電壓進(jìn)行分壓，得到具有不同大小的多個(gè)分壓；
[0006]第一選擇模塊，電連接于所述分壓模塊，用于從所述多個(gè)分壓中選擇并輸出至少一個(gè)第一電壓；
[0007]運(yùn)算放大模塊，電連接于所述第一選擇模塊，所述運(yùn)算放大模塊包括多個(gè)運(yùn)算放大單元，所述運(yùn)算放大單元用于對(duì)所述第一電壓進(jìn)行運(yùn)算放大處理，得到第二電壓，其中，每個(gè)運(yùn)算放大單元與每個(gè)第一電壓對(duì)應(yīng)；
[0008]第二選擇模塊，電連接于所述運(yùn)算放大模塊，用于將所述第二電壓對(duì)應(yīng)的運(yùn)算放大單元與所述顯示面板的通路導(dǎo)通，以利用所述第二電壓驅(qū)動(dòng)所述顯示面板。
[0009]在一種可能的實(shí)施方式中，所述分壓模塊包括：
[0010]多個(gè)串聯(lián)的電阻單元，所述電阻單元包括至少一個(gè)分壓電阻；
[0011]開(kāi)關(guān)單元，所述開(kāi)關(guān)單元包括多個(gè)開(kāi)關(guān)子單元，每個(gè)開(kāi)關(guān)子單元包括多個(gè)開(kāi)關(guān)，
[0012]其中，各個(gè)開(kāi)關(guān)子單元的各個(gè)開(kāi)關(guān)的第一端電連接于任意一個(gè)分壓電阻的一端，各個(gè)開(kāi)關(guān)子單元的各個(gè)開(kāi)關(guān)的第二端電連接于對(duì)應(yīng)的運(yùn)算放大器的輸入端，
[0013]開(kāi)關(guān)子單元的各個(gè)開(kāi)關(guān)的控制端電連接于所述第一選擇模塊，用于接收所述第一選擇模塊的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)。
[0014]在一種可能的實(shí)施方式中，所述第二選擇模塊包括多個(gè)選擇開(kāi)關(guān)。
[0015]在一種可能的實(shí)施方式中，所述第一選擇模塊包括多路選擇器、數(shù)字譯碼器、柵極驅(qū)動(dòng)器的至少一種，
[0016]其中，所述第一選擇模塊用于根據(jù)配置信息產(chǎn)生開(kāi)關(guān)控制信號(hào)，控制任意一個(gè)或多個(gè)開(kāi)關(guān)子單元中各個(gè)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通狀態(tài)，以使得所述分壓模塊輸出至少一第一電壓。
[0017]在一種可能的實(shí)施方式中，所述運(yùn)算放大單元包括運(yùn)算放大器，所述運(yùn)算放大器
的正向輸入端用于輸入第一電壓，所述運(yùn)算放大器的反向輸入端電連接于所述運(yùn)算放大器的輸出端及所述第二選擇模塊的輸入端。
[0018]在一種可能的實(shí)施方式中，所述運(yùn)算放大器包括第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第三NMOS晶體管、第四NMOS晶體管、第五NMOS晶體管、第六NMOS晶體管、第七NMOS晶體管、第八NMOS晶體管、第九NMOS晶體管、第十NMOS晶體管、第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第三PMOS晶體管、第四PMOS晶體管、第五PMOS晶體管、第六PMOS晶體管、第七PMOS晶體管、第八PMOS晶體管、第一電流源、第二電流源、第三電流源、第一電阻、第二電阻、第一電容、第二電容，
[0019]其中，所述第一電流源的輸入端電連接于所述第一PMOS晶體管的源極、所述第二PMOS晶體管的源極、所述第三PMOS晶體管的源極、所述第四PMOS晶體管的源極、所述第六PMOS晶體管的源極、所述第八PMOS晶體管的源極及所述第三電流源的輸入端，用于接收電源電壓，
[0020]所述第一電流源的輸出端電連接于所述第一NMOS晶體管的漏極，用于輸出第一電流，
[0021]所述第一NMOS晶體管的柵極電連接于所述第二NMOS晶體管的柵極，
[0022]所述第一PMOS晶體管的柵極電連接于所述第二PMOS晶體管的柵極、所述第二PMOS晶體管的漏極及所述第三NMOS晶體管的漏極，
[0023]所述第三NMOS晶體管的柵極用于輸入所述第一電壓，
[0024]所述第三NMOS晶體管的源極電連接于所述第二NMOS晶體管的漏極、所述第四NMOS晶體管的源極，
[0025]所述第四NMOS晶體管的柵極電連接于所述運(yùn)算放大器的輸出端，
[0026]所述第四NMOS晶體管的漏極電連接于所述第三PMOS晶體管的漏極、所述第三PMOS晶體管的柵極及所述第四PMOS晶體管的柵極，
[0027]所述第四PMOS晶體管的漏極電連接于所述第五PMOS晶體管的源極、所述第七NMOS晶體管的漏極、所述第八PMOS晶體管的柵極、所述第一電容的第一端，
[0028]所述第五PMOS晶體管的柵極電連接于所述第七PMOS晶體管的柵極、所述第七PMOS晶體管的漏極、所述第二電流源的輸入端，所述第二電流源用于輸出第二電流，
[0029]所述第七PMOS晶體管的源極電連接于所述第六PMOS晶體管的漏極及柵極，
[0030]所述第七NMOS晶體管的柵極電連接于所述第九NMOS晶體管的柵極、所述第九NMOS晶體管的源極、所述第三電流源的輸出端，
[0031]所述第七NMOS晶體管的源極電連接于所述第五PMOS晶體管的漏極、所述第六NMOS晶體管的漏極、所述第二電容的第一端、所述第十NMOS晶體管的柵極，
[0032]所述第九NMOS晶體管的源極電連接于所述第八NMOS晶體管的漏極及柵極，所述第三電流源用于輸出第三電流，
[0033]所述第一電容的第二端電連接于所述第一電阻的第一端，
[0034]所述第一電阻的第二端電連接于所述第八PMOS晶體管的漏極、所述第二電阻的第一端、所述第十NMOS晶體管的漏極，
[0035]所述第二電阻的第二端電連接于所述第二電容的第二端，
[0036]所述第五NMOS晶體管的柵極電連接于所述第五NMOS晶體管的漏極、所述第一PMOS
晶體管的漏極及所述第六NMOS晶體管的柵極，
[0037]所述第一NMOS晶體管的源極、所述第五NMOS晶體管的源極、所述第二NMOS晶體管的源極、所述第六NMOS晶體管的源極、所述第二電流源的輸出端、所述第八NMOS晶體管的源極、所述第十NMOS晶體管的源極均接地。
[0038]在一種可能的實(shí)施方式中，所述第六PMOS晶體管的柵源電壓與所述第七PMOS晶體管的柵源電壓之和與第五PMOS晶體管的柵源電壓及第八PMOS晶體管的柵源電壓之和相等，
[0039]所述第八NMOS晶體管的柵源電壓與所述第九NMOS晶體管的柵源電壓之和與所述第七NMOS晶體管的柵源電壓及所述第十NMOS晶體管的柵源電壓之和相等，
[0040]所述第二電流與所述第三電流相等。
[0041]在一種可能的實(shí)施方式中，所述第六PMOS晶體管的柵源電壓與所述第八PMOS晶體管的柵源電壓相等，
[0042]所述第七PMOS晶體本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，用于驅(qū)動(dòng)顯示面板，所述驅(qū)動(dòng)裝置包括：分壓模塊，用于接收電源電壓，并對(duì)所述電源電壓進(jìn)行分壓，得到具有不同大小的多個(gè)分壓；第一選擇模塊，電連接于所述分壓模塊，用于從所述多個(gè)分壓中選擇并輸出至少一個(gè)第一電壓；運(yùn)算放大模塊，電連接于所述第一選擇模塊，所述運(yùn)算放大模塊包括多個(gè)運(yùn)算放大單元，所述運(yùn)算放大單元用于對(duì)所述第一電壓進(jìn)行運(yùn)算放大處理，得到第二電壓，其中，每個(gè)運(yùn)算放大單元與每個(gè)第一電壓對(duì)應(yīng)；第二選擇模塊，電連接于所述運(yùn)算放大模塊，用于將所述第二電壓對(duì)應(yīng)的運(yùn)算放大單元與所述顯示面板的通路導(dǎo)通，以利用所述第二電壓驅(qū)動(dòng)所述顯示面板。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述分壓模塊包括：多個(gè)串聯(lián)的電阻單元，所述電阻單元包括至少一個(gè)分壓電阻；開(kāi)關(guān)單元，所述開(kāi)關(guān)單元包括多個(gè)開(kāi)關(guān)子單元，每個(gè)開(kāi)關(guān)子單元包括多個(gè)開(kāi)關(guān)，其中，各個(gè)開(kāi)關(guān)子單元的各個(gè)開(kāi)關(guān)的第一端電連接于任意一個(gè)分壓電阻的一端，各個(gè)開(kāi)關(guān)子單元的各個(gè)開(kāi)關(guān)的第二端電連接于對(duì)應(yīng)的運(yùn)算放大器的輸入端，開(kāi)關(guān)子單元的各個(gè)開(kāi)關(guān)的控制端電連接于所述第一選擇模塊，用于接收所述第一選擇模塊的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)，所述第二選擇模塊包括多個(gè)選擇開(kāi)關(guān)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述第一選擇模塊包括多路選擇器、數(shù)字譯碼器、柵極驅(qū)動(dòng)器的至少一種，其中，所述第一選擇模塊用于根據(jù)配置信息產(chǎn)生開(kāi)關(guān)控制信號(hào)，控制任意一個(gè)或多個(gè)開(kāi)關(guān)子單元中各個(gè)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通狀態(tài)，以使得所述分壓模塊輸出至少一第一電壓。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述運(yùn)算放大單元包括運(yùn)算放大器，所述運(yùn)算放大器的正向輸入端用于輸入第一電壓，所述運(yùn)算放大器的反向輸入端電連接于所述運(yùn)算放大器的輸出端及所述第二選擇模塊的輸入端。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述運(yùn)算放大器包括第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第三NMOS晶體管、第四NMOS晶體管、第五NMOS晶體管、第六NMOS晶體管、第七NMOS晶體管、第八NMOS晶體管、第九NMOS晶體管、第十NMOS晶體管、第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第三PMOS晶體管、第四PMOS晶體管、第五PMOS晶體管、第六PMOS晶體管、第七PMOS晶體管、第八PMOS晶體管、第一電流源、第二電流源、第三電流源、第一電阻、第二電阻、第一電容、第二電容，其中，所述第一電流源的輸入端電連接于所述第一PMOS晶體管的源極、所述第二PMOS晶體管的源極、所述第三PMOS晶體管的源極、所述第四PMOS晶體管的源極、所述第六PMOS晶體管的源極、所述第八PMOS晶體管的源極及所述第三電流源的輸入端，用于接收電源電壓，所述第一電流源的輸出端電連接于所述第一NMOS晶體管的漏極，用于輸出第一電流，所述第一NMOS晶體管的柵極電連接于所述第二NMOS晶體管的柵極，所述第一PMOS晶體管的柵極電連接于所述第二PMOS晶體管的柵極、所述第二PMOS晶體管的漏極及所述第三NMOS晶體管的漏極，
所述第三NMOS晶體管的柵極用于輸入所述第一電壓，所述第三NMOS晶體管的源極電連接于所述第二NMOS晶體管...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張澤偉，沈良，羅鵬，王衛(wèi)華，陳磊，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：晟矽微電子南京有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：