一種集成式基島框架結構制造技術

本實用新型專利技術公開一種集成式基島框架結構，涉及半導體技術領域。分為高壓區和低壓區，高壓區包括主控芯片基島、整流二極管基島、功率管基島和直連式基島引腳；低壓區包括分離式基島引腳；整流二極管基島位于高壓區的邊側，整流二極管基島上設置有直連式基島引腳，直連式基島引腳與整流二極管基島連接；功率管基島位于高壓區另一邊側，與低壓區相鄰，功率管基島連接有直連式基島引腳；主控芯片基島位于高壓區的中部，和整流二極管基島之間電氣隔離，主控芯片基島上連接有直連式基島引腳。本實用新型專利技術將整流橋結構集成到封裝結構內部，整流輸出接入主控芯片，節省電源系統應用空間和成本，提高了芯片和功率管的集成度及可應用功率范圍。圍。圍。

【技術實現步驟摘要】
一種集成式基島框架結構


[0001]本技術涉及半導體
，特別涉及一種集成式基島框架結構。

技術介紹

[0002]半導芯片封裝是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術。芯片封裝起到芯片布局、安放、固定、密封、保護芯片和增強散熱性能的作用，可以隔絕外界污染及外力對芯片的破壞。
[0003]相關技術中，采用DIP直插式封裝技術和SOP貼片式封裝技術。其中，直插式封裝工藝可用于功率比較大的產品，適合PCB穿孔安裝，具有布線和操作較為方便等特點；但是其封裝效率低、封裝體積較大合芯片整體偏厚的問題。SOP貼片式封裝工藝具有封裝效率高，封裝體積，但其框架結構存在可放芯片面積小、集成度不夠高、散熱性能較差和可應用功率范圍較低的問題，無法集成更多的半導體器件，如更多的整流橋器件等。

技術實現思路

[0004]本技術提供一種集成式基島框架結構，解決現有基島框架集成度不高的問題；所述框架結構分為高壓區和低壓區，所述框架結構分為高壓區和低壓區，所述高壓區包括整流二極管基島、功率管基島和直連基式島引腳；所述低壓區包括主控芯片基島和分離式基島引腳；
[0005]所述整流二極管基島位于所述高壓區的邊側，所述整流二極管基島上設置有所述直連式基島引腳，所述直連式基島引腳與所述整流二極管基島直接連接；
[0006]所述功率管基島位于所述高壓區另一邊側，且與所述低壓區相鄰，所述功率管基島上連接有所述直連式基島引腳；
[0007]所述主控芯片基島位于所述框架結構的中部，和所述整流二極管基島以及所述功率管基島之間電氣隔離，所述主控芯片基島上連接有所述直連式基島引腳。
[0008]具體的，所述高壓區用于放置基島，所述主控芯片基島上方承載有主控芯片；所述整流二極管基島上方承載有整流橋器件；所述功率管基島上方承載有功率管器件；
[0009]所述框架結構為矩形結構，所述高壓區包括交流高壓區和直流高壓區，所述整流二極管基島為交流高壓區，所述功率管基島為直流高壓區；所述低壓區包括芯片低壓區和引腳低壓區，所述主控芯片基島為芯片低壓區，且位于交流高壓區和直流高壓區之間；所述引腳低壓區呈矩形結構，且位于靠近所述框架結構直角側邊位置；
[0010]具體的，所述引腳低壓區設置有三個所述分離式基島引腳，所述分離式引腳為L形，彼此電氣隔離，且不與所述主控芯片基島以及所述功率管基島直接接觸。
[0011]具體的，所述整流二極管基島包括第一整流二極管基島、第二整流二極管基島和第三整流二極管基島；
[0012]所述第一整流二極管基島和所述第二整流二極管基島為對稱式基島，位于所述交流高壓區的最外側，上方承載有第一整流橋器件和第二整流橋器件；所述第一整流二極管
基島和所述第二整流二極管基島上對稱設置有一個所述直連式基島引腳，作為交流輸入引腳，用于整流電路的交流電壓輸入；
[0013]所述第三整流二極管基島位于所述第一整流二極管基島和所述第二整流二極管基島內側，上方承載有第三整流橋器件，通過打線方式與所述第一整流二極管基島和所述第二整流二極管基島連接，所述第三整流二極管基島上設置有一個所述直連式基島引腳，作為整流輸出引腳，用于輸出整流后的全波正電壓。
[0014]具體的，所述主控芯片基島位于所述第三整流二極管基島和所述功率管基島之間，上方承載主控芯片；所述主控芯片基島上設置有一個所述直連式基島引腳，且與所述第三整流二極管基島的整流輸出引腳位于異側，作為接地引腳，用于全波整流的返回端。
[0015]具體的，所述第一整流二極管基島的交流輸入引腳和所述第三整流二極管基島的整流輸出引腳位于同側，且間距不小于第一閾值距離；所述第二整流二極管基島的交流輸入引腳和所述主控基島的接地引腳位于同側，間距不小于第二閾值距離。
[0016]具體的，所述功率管基島上設置有三個所述直連式基式島引腳，作為功率輸出引腳，用于控制外接變壓器初級繞組的電感電流；
[0017]所述功率管基島的功率輸出引腳與所述第三整流二極管基島的整流輸出引腳位于同側，且間距不小于第三閾值距離；其中，功率輸出引腳之間的間距不小于第四閾值距離。
[0018]具體的，所述分離式基島引腳分別為主控供電引腳、信號反饋引腳以及電流檢測引腳，且和所述功率管基島的功率輸出引腳為異側；
[0019]所述主控供電引腳和所述信號反饋引腳分別通過打線方式與所述主控芯片連接；所述電流檢測引腳通過打線方式分別與所述主控芯片以及功率管器件連接。
[0020]具體的，所述主控芯片基島、所述整流二極管基島、所述功率管基島以及所述分離式基島引腳底部采用鍍鎳處理，并通過合金線/金線與芯片連接；框架結構采用SOP10貼片封裝工藝形成塑封體，塑封體外部的引腳采用鍍銀處理。
[0021]本申請實施例提供的技術方案帶來的有益效果至少包括：將電源系統應用的輸入多個全波/半波整流電路、電源系統主控電路以及開關功率器件合封到一起，實現電源系統高集成度，縮小現有電源系統的體積，降低電源系統成本，同時，為了提高電源系統和封裝可靠性，將整個框架結構劃分為高壓區和低壓區，不同的區域內放置對應基島和半導體器件，且為了避免電壓干擾，各個基島的引腳采用交叉錯位排布的方式進行分布，以達到相應的安全距離；功率管器件通過設置多個分散引腳，可以提高散熱效果和降低封裝時的沖壓應力，提高封裝的效率和良品率。
附圖說明
[0022]圖1是采用SOP10貼片封裝工藝制作的塑封體的示意圖；
[0023]圖2是塑封體內部集成式基島框架結構的示意圖；
[0024]圖3是集成式基島框架結構的詳細示意圖；
[0025]圖4是集成式基島框架結構的電鍍結構圖。
具體實施方式
[0026]為使本申請的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本申請實施方式作進一步地詳細描述。
[0027]在本文中提及的“多個”是指兩個或兩個以上。“和/或”是描述關聯對象的關聯關系，表示可以存在三種關系，例如，A和/或B，可以表示：單獨存在A，同時存在A和B，單獨存在B這三種情況。字符“/”一般表示前后關聯對象是一種“或”的關系。
[0028]在相關技術中，傳統電源方案為整流橋器件與主控和功率管分開為兩個或三個獨立的封裝器件，芯片封裝的集成度不高。封裝器件會占用電源系統的內部空間，且同時因系統應用時器件變多，焊點和連接點變多，會額外增加電源系統的加工成本、故障率和產線作業補焊工序。
[0029]圖1是采用SOP10貼片封裝工藝制作的塑封體。塑封體內部有多基島引線框架，基島框架承載功率器件，主控芯片，功率管等。內部通過框架基島承載功率器件和控制芯片組件按功能需求打線連接塑封后，可形成獨立的芯片封裝結構。該塑封體的外露引腳共10只，分布于塑封體的兩個側邊，且引腳均采用強度增強型引腳且鍍錫處理，各引腳之間留有間隙(特別是高壓區與低壓區引腳之間，高壓區特指220V至850V電壓工作范圍，低壓區特指50V電壓工作范圍)，提高芯片本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種集成式基島框架結構，其特征在于，所述框架結構分為高壓區和低壓區，所述高壓區包括整流二極管基島、功率管基島和直連式基島引腳；所述低壓區包括主控芯片基島和分離式基島引腳；所述整流二極管基島位于所述高壓區的邊側，所述整流二極管基島上設置有所述直連式基島引腳，所述直連式基島引腳與所述整流二極管基島直接連接；所述功率管基島位于所述高壓區另一邊側，且與所述低壓區相鄰，所述功率管基島上連接有所述直連式基島引腳；所述主控芯片基島位于所述框架結構的中部，和所述整流二極管基島以及所述功率管基島之間電氣隔離，所述主控芯片基島上連接有所述直連式基島引腳。2.根據權利要求1所述的集成式基島框架結構，其特征在于，所述高壓區用于放置基島，所述主控芯片基島上方承載有主控芯片；所述整流二極管基島上方承載有整流橋器件；所述功率管基島上方承載有功率管器件；所述框架結構為矩形結構，所述高壓區包括交流高壓區和直流高壓區，所述整流二極管基島為交流高壓區，所述功率管基島為直流高壓區；所述低壓區包括芯片低壓區和引腳低壓區，所述主控芯片基島為芯片低壓區，且位于交流高壓區和直流高壓區之間，所述引腳低壓區呈矩形結構，且位于靠近所述框架結構直角側邊位置。3.根據權利要求2所述的集成式基島框架結構，其特征在于，所述引腳低壓區設置有三個所述分離式基島引腳，所述分離式基島引腳為L形，彼此電氣隔離，且不與所述主控芯片基島以及所述功率管基島直接接觸。4.根據權利要求2所述的集成式基島框架結構，其特征在于，所述整流二極管基島包括第一整流二極管基島、第二整流二極管基島和第三整流二極管基島；所述第一整流二極管基島和所述第二整流二極管基島為對稱式基島，位于所述交流高壓區的最外側，上方承載有第一整流橋器件和第二整流橋器件；所述第一整流二極管基島和所述第二整流二極管基島上對稱設置有一個所述直連式基島引腳，作為交流輸入引腳，用于整流電路的交流電壓輸入；所述第三整流二極管基島位于所述第一整流二極管基島...

【專利技術屬性】
技術研發人員：關竹穎，
申請(專利權)人：無錫華眾芯微電子有限公司，
類型：新型
國別省市：