一種直拉單晶爐熱場結構制造技術

一種直拉單晶爐熱場結構，包括單晶爐體、保溫桶、水冷屏、導流筒、導流筒蓋板、保溫桶蓋板、碳碳支撐環、水冷屏提升裝置和加熱器；保溫桶設于單晶爐體內，設有缺口；水冷屏和導流筒均設于保溫桶內，且二者相連；導流筒蓋板覆蓋在導流筒端部，保溫桶蓋板覆蓋在保溫桶的缺口處，與導流筒蓋板之間存在3

【技術實現步驟摘要】
一種直拉單晶爐熱場結構


[0001]本技術屬于晶體制備
，具體涉及一種直拉單晶爐熱場結構。

技術介紹

[0002]現有技術單晶爐是一種在惰性氣體(氮氣、氦氣為主)環境中，用石墨加熱器將多晶硅材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶的設備。多晶體硅料經加熱熔化，待硅料全熔化完全后，經過籽晶浸入、熔接，引晶、放肩、轉肩、等徑、收尾等步驟，完成一根單晶棒的拉制。目前，單晶拉制過程中，加熱器的上沿到導流筒的下沿的高度H，對拉制單晶影響很大，會影響單晶的成品率。在籽晶浸入前，會將導流筒隨著水冷屏一起下降，當下降到一定高度后，無法繼續下降。可見，一旦熱場設計完后，這個加熱器的上沿到導流筒的下沿的高度是固定的，不利于后續的工藝和熱場優化，影響單晶的成品率。

技術實現思路

[0003]針對上述問題，本技術提出一種直拉單晶爐熱場結構，能夠不斷改變導流筒下沿與加熱器上沿之間的距離，最終找到匹配熱場的最優高度，利于后續的工藝和熱場優化，提高單晶的成品率。
[0004]為了實現上述技術目的，達到上述技術效果，本技術通過以下技術方案實現：
[0005]一種直拉單晶爐熱場結構，包括：
[0006]單晶爐體；
[0007]保溫桶，設于所述單晶爐體內，設有缺口，所述缺口用于加料和供單晶棒進出；
[0008]水冷屏，設于所述保溫桶內；
[0009]導流筒，設于所述保溫桶內，且與所述水冷屏相連；
[0010]導流筒蓋板，覆蓋在所述導流筒的端部，呈環形狀；
[0011]保溫桶蓋板，覆蓋在所述保溫桶上的缺口處，其與所述導流筒蓋板之間存在3
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15mm的空隙；
[0012]碳碳支撐環，位于所述保溫桶內，與所述保溫桶蓋板貼合，且二者靠近導流筒的端部平齊；
[0013]水冷屏提升裝置，與所述導流筒蓋板相連；
[0014]加熱器，設于所述保溫桶內，且位于導流筒下方，其上沿與導流筒下沿之間的高度差為可變值。
[0015]可選地，所述碳碳支撐環還與保溫桶內壁貼合。
[0016]可選地，所述保溫桶內還設有坩堝和碳碳堝邦，所述碳碳堝邦包裹在坩堝的外壁上。
[0017]可選地，所述坩堝為石英坩堝。
[0018]可選地，所述加熱器位于碳碳堝邦的外側。
[0019]可選地，當所述水冷屏提升裝置帶動所述導流筒和水冷屏運動時，所述導流筒蓋
板的下邊沿的運動范圍包括碳碳支撐環下邊沿的上方至下方。
[0020]與現有技術相比，本技術的有益效果：
[0021]本技術提出一種直拉單晶爐熱場結構，能夠不斷改變導流筒下沿與加熱器上沿之間的距離，最終找到匹配熱場的最優高度，利于后續的工藝和熱場優化，提高單晶的成品率。
附圖說明
[0022]為了使本專利技術的內容更容易被清楚地理解，下面根據具體實施例并結合附圖，對本專利技術作進一步詳細的說明，其中：
[0023]圖1為本技術一種實施例的直拉單晶爐熱場結構的結構示意圖；
[0024]圖2為圖1中A處的放大示意圖
[0025]其中：1
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單晶爐體，2
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水冷屏，3
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導流筒，4
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坩堝，5
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碳碳堝邦，6
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加熱器，7
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保溫桶，8
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碳碳支撐環，9
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保溫桶蓋板，10
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水冷屏提升裝置，11
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導流筒蓋板。
具體實施方式
[0026]為了使本技術的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合實施例，對本技術進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本技術，并不用于限定本技術的保護范圍。
[0027]在本技術專利的描述中，需要說明的是，術語“上”、“下”、“左”、“右”、“水平”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本技術專利和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本技術專利的限制。
[0028]在本技術專利的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以通過具體情況理解上述術語在本技術中的具體含義。
[0029]下面結合附圖對本技術的應用原理作詳細的描述。
[0030]如圖1
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2所示，本技術提供了一種直拉單晶爐熱場結構，包括：
[0031]單晶爐體1；
[0032]保溫桶7，設于所述單晶爐體1內，設有缺口，該缺口與單晶爐體1的入料口位置相對應，實現入料至位于保溫桶7內的坩堝4，以及供單晶棒進出；
[0033]水冷屏2，設于所述保溫桶7內；
[0034]導流筒3，設于所述保溫桶7內，且與所述水冷屏2相連；
[0035]導流筒蓋板11，覆蓋在所述導流筒3的端部，呈環形狀；
[0036]保溫桶蓋板9，覆蓋在所述保溫桶7上的缺口處，其與所述導流筒蓋板11之間存在3
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15mm的空隙，以實現導流筒可以上下移動，實現加熱器上沿與導流筒下沿之間的高度差為可變值；
[0037]碳碳支撐環8，位于所述保溫桶7內，與所述保溫桶蓋板9貼合，且二者靠近導流筒3
的端部平齊；在實際應用過程中，所述碳碳支撐環8還與保溫桶7內壁貼合；
[0038]水冷屏提升裝置10，與所述導流筒蓋板11相連；所述水冷屏提升裝置10的結構為現有技術，市面上可以直接采購獲得，只要能夠實現當所述水冷屏提升裝置10帶動所述導流筒3和水冷屏2運動時，所述導流筒蓋板11上邊沿的運動范圍包括碳碳支撐環8下邊沿的上方至下方即可；
[0039]加熱器6，設于所述保溫桶7內，且位于導流筒3下方，其上沿與導流筒3下沿之間的高度差為可變值，即當水冷屏提升裝置10帶動所述導流筒3和水冷屏2運動時，會不斷改變加熱器6上沿與導流筒3下沿之間的高度，以滿足不同的生產需求，提高產品質量。
[0040]在本技術的一種具體實施例中，所述保溫桶7內還設有坩堝4和碳碳堝邦5，所述碳碳堝邦5包裹在坩堝4的外壁上。所述坩堝4可以選用石英坩堝4；所述加熱器6位于碳碳堝邦5的外側。
[0041]本技術的直拉單晶爐熱場結構的工作原理具體為：
[0042](1)啟動水冷屏提升裝置10；
[0043](2)利用水冷屏提升裝置10，控制導流筒3帶動水冷屏2在保溫桶7內做垂直向上或向下運動，直至加熱器6上沿與導流筒3下沿之間的高度差滿足試驗要求；在導流筒3本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種直拉單晶爐熱場結構，其特征在于，包括：單晶爐體；保溫桶，設于所述單晶爐體內，設有缺口，所述缺口用于加料和供單晶棒進出；水冷屏，設于所述保溫桶內；導流筒，設于所述保溫桶內，且與所述水冷屏相連；導流筒蓋板，覆蓋在所述導流筒的端部，呈環形狀；保溫桶蓋板，覆蓋在所述保溫桶上的缺口處，其與所述導流筒蓋板之間存在3
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15mm的空隙；碳碳支撐環，位于所述保溫桶內，與所述保溫桶蓋板貼合，且二者靠近導流筒的端部平齊；水冷屏提升裝置，與所述導流筒蓋板相連；加熱器，設于所述保溫桶內，且位于導流筒下方，其上沿與導流筒下沿之間的高度差為可變值。2.根據權...

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳紅榮，趙玉兵，張華利，汪晨，周潔，
申請(專利權)人：江蘇協鑫硅材料科技發展有限公司，
類型：新型
國別省市：