本發明專利技術涉及一種氨水輔助退膜方法,所述方法為在基板水平通過退膜槽時,氨水在以噴淋方式對板面進行噴淋,所述噴淋方向為上下向中間噴射氨水進行輔助退膜的方法。具體包括如下步驟,S1:氨水保存,將氨水保存在塑料桶中;S2:通過負壓機接入導管,將氨水通入退膜槽中,氨水在力的作用下進入退膜槽;S3:在基板水平通過退膜槽時,氨水在堿性條件下使得氨水平衡左移釋放出部分氨氣,并在后續不斷噴進的氨水打入擠壓,氨氣不斷產生、不斷擠壓退膜藥水垂直打向板面,氨氣在板面不斷放出的同時沖擊未被腐蝕殘留的退膜藥水,完成退膜。本發明專利技術氨水輔助退膜方法具有退膜干凈、不易被腐蝕和造成殘留等優點。等優點。
【技術實現步驟摘要】
一種氨水輔助退膜方法
[0001]本專利技術涉及PCB制作退膜
,具體為一種氨水輔助退膜方法。
技術介紹
[0002]退膜是在曝光之后,將需要的線路上干膜進行固化,然后退化掉沒有固化掉的干膜,再通過蝕刻等技術將裸露出的銅進行咬蝕掉,實現電路制作過程,然而在退膜過程中,由于退膜液呈現堿性,堿性偏弱會導致退膜不干凈進而導致蝕刻不盡,如果堿性過強,如pH超過10會導致線路被腐蝕,尤其在IC載板方面,其線寬線距低于50微米,甚至會造成化學物質殘留,不易被清除。
[0003]為解決上述問題,有人提出一種新式無機環保型退膜液的中國專利申請(申請號:2017111658206),其公開了一種包含退膜加速劑的退膜液,其中,退膜加速劑為胺類化合物氨水
……
等中的一種或兩種以上的混合。該退膜液在退膜使用后在一定程度降低廢液的處理難度,但其退膜仍不干凈,易有殘留。
技術實現思路
[0004]本專利技術提供一種具有退膜干凈、不易被腐蝕和造成殘留的氨水輔助退膜方法。
[0005]為了實現上述目的,通過以下技術方案實現。
[0006]一種氨水輔助退膜方法,所述方法為在基板水平通過退膜槽時,氨水在以噴淋方式對板面進行噴淋,所述噴淋方向為上下向中間噴射氨水進行輔助退膜的方法。本專利技術氨水輔助退膜方法中采用的氨水為濃氨水,其在基板水平通過退膜槽時,以噴淋方式對板面上下同步噴淋,使膜加述脫離板面,實現有效輔助退膜。具體地,本專利技術采用噴淋方式從板面上下方向向中間噴淋,帶動退膜槽內的退膜藥水垂直打向板面,由于本專利技術采用的是濃氨水,其在板面噴淋的過程中會不斷地揮發出氨氣進行沖擊未被腐蝕殘留的退膜藥水,且不斷放出的氨氣對固化干膜與未固化干膜的交界處具有垂直切力,其使得固化干膜邊緣更加平整垂直,對于后續工藝的蝕刻具有很好地促進作用,使板面不僅退膜干凈,而且不易被腐蝕和造成殘留。
[0007]進一步地,所述氨水輔助退膜方法包括如下步驟,S1:氨水保存,將氨水保存在塑料桶中;由于氨水易揮發出氨氣,且隨溫度升高和放置時間延長而揮發率增加,而且會隨濃度的增大揮發量增加,本專利技術中采用的是濃氨水,為減少其保存過程中發生揮發現象,將氨水保存在塑料桶中,以減少或避免氨水的揮發。
[0008]S2:通過負壓機接入導管,將氨水通入退膜槽中,氨水在力的作用下進入退膜槽;負壓機啟動后,氨水在負壓的作用力下,通過導管進入退膜槽中,并通過導管噴淋至板的上下表面,噴淋過程中不斷揮發出的氨氣,揮發的氨氣不斷地沖擊板面未被腐蝕殘留的退膜藥水,且不斷放出的氨氣對固化干膜與未固化干膜的交界處具有垂直切力,其使得固化干膜邊緣更加平整垂直,對于后續工藝的蝕刻具有很好地促進作用。
[0009]S3:在基板水平通過退膜槽時,氨水在堿性條件下使得氨水平衡左移釋放出部分
氨氣,并在后續不斷噴進的氨水打入擠壓,氨氣不斷產生、不斷擠壓退膜藥水垂直打向板面,氨氣在板面不斷放出的同時沖擊未被腐蝕殘留的退膜藥水,完成退膜。進一步地,所述導管包括上導管和下導管,所述上導管和下導管分別位于所述基板的上下方向所在位置,且所述上導管和下導管的相對面均開設有噴淋孔。采用包括上導管和下導管的導管設置,上導管和下導管分別位于基板的上下方向,使氨水在不斷地揮發過程中,揮發出的氨氣不斷地向基板的上下兩面沖擊,使膜加述脫離板面,實現有效輔助退膜。
[0010]進一步地,所述上導管上的噴淋壓力為2.5
?
3.5kg/cm2,所述下導管上的噴淋壓力為3
?
4kg/cm2。采用上導管噴淋壓力小于下導管上的噴淋壓力的設置,使基板在退膜藥水中上下受力保持平衡,進而確保氨水的噴淋均勻度,使退膜均勻度好,產品質量高。
[0011]進一步地,所述退膜藥水的溫度為40
?
50攝氏度。所述退膜藥水在此溫度范圍內時,氨水在噴淋至退膜藥水中后會加速揮發產生氨氣,使氨水盡可能發揮最大作用,提升氨水的利用率及退膜的質量;由于氨水具有制冷效果,需要升高溫度來控制藥水的反應速率,如退膜藥水的溫度低于40攝氏度,則氨水揮發出的氨氣有限,無法帶動退膜藥水向板面上下沖擊,其起不到噴淋的效果;而如果所述退膜藥水的溫度高于50攝氏度后,則會導致氨水快速揮發,而超出壓力噴射范圍,反而也無法起作用。
[0012]進一步地,所述退膜槽上設置有一排直徑約為1mm的小孔,所述小孔處設有導氣管,所述導氣管與裝有濃鹽酸的玻璃儀器連接。退膜槽上小孔,以及與小孔連通的導氣管,退膜槽內的氨氣自小孔排出經導氣管后進入玻璃儀器,采用玻璃儀器進行收集退膜槽中多出的氨氣。
[0013]進一步地,所述玻璃儀器吸收氨氣后,加熱玻璃儀器,使玻璃儀器產生的氯化銨蒸發分解通入到氫氧化鈉溶液中,分離鹽酸和氨氣,鹽酸被氫氧化鈉吸收,氨氣被釋放出來,再通入到氨水保存塑料箱中進行循環使用。
[0014]進一步地,所述氫氧化鈉溶液的濃度為10mol/L。使經玻璃儀器內產生的氯化氨能夠完全分離出鹽酸和氨氣。
[0015]進一步地,所述的氨水輔助退膜方法中,每隔一個小時補加5%的退膜添加劑溶液。使退膜槽的退膜藥水的濃度保持。
[0016]本專利技術氨水輔助退膜方法及方法與現有技術相比,具有如下有益效果:本專利技術氨水輔助退膜方法中采用的氨水為濃氨水,其在基板水平通過退膜槽時,以噴淋方式對板面上下同步噴淋,使膜加述脫離板面,實現有效輔助退膜。具體地,本專利技術采用噴淋方式從板面上下方向向中間噴淋,帶動退膜槽內的退膜藥水垂直打向板面,由于本專利技術采用的是濃氨水,其在板面噴淋的過程中會不斷地揮發出氨氣進行沖擊未被腐蝕殘留的退膜藥水,且不斷放出的氨氣對固化干膜與未固化干膜的交界處具有垂直切力,其使得固化干膜邊緣更加平整垂直,對于后續工藝的蝕刻具有很好地促進作用,使板面不僅退膜干凈,而且不易被腐蝕和造成殘留。
具體實施方式
[0017]下面將結合具體實施例對本專利技術氨水輔助退膜方法作進一步詳細描述。
[0018]一種氨水輔助退膜方法,所述方法為在基板水平通過退膜槽時,氨水在以噴淋方
式對板面進行噴淋,所述噴淋方向為上下向中間噴射氨水進行輔助退膜的方法。本專利技術氨水輔助退膜方法中采用的氨水為濃氨水,其在基板水平通過退膜槽時,以噴淋方式對板面上下同步噴淋,使膜加述脫離板面,實現有效輔助退膜。具體地,本專利技術采用噴淋方式從板面上下方向向中間噴淋,帶動退膜槽內的退膜藥水垂直打向板面,由于本專利技術采用的是濃氨水,其在板面噴淋的過程中會不斷地揮發出氨氣進行沖擊未被腐蝕殘留的退膜藥水,且不斷放出的氨氣對固化干膜與未固化干膜的交界處具有垂直切力,其使得固化干膜邊緣更加平整垂直,對于后續工藝的蝕刻具有很好地促進作用,使板面不僅退膜干凈,而且不易被腐蝕和造成殘留。
[0019]進一步地,所述氨水輔助退膜方法包括如下步驟,S1:氨水保存,將氨水保存在塑料桶中;由于氨水易揮發出氨氣,且隨溫度升高和放置時間延長而揮發率增加,而且會隨濃度的增大揮發量增加,本專利技術中采用的是濃氨水,為減少其保存本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種氨水輔助退膜方法,其特征在于,所述方法為在基板水平通過退膜槽時,氨水在以噴淋方式對板面進行噴淋,所述噴淋方向為上下向中間噴射氨水進行輔助退膜的方法。2.根據權利要求1所述的氨水輔助退膜方法,其特征在于,包括如下步驟,S1:氨水保存,將氨水保存在塑料桶中;S2:通過負壓機接入導管,將氨水通入退膜槽中,氨水在力的作用下進入退膜槽;S3:在基板水平通過退膜槽時,氨水在堿性條件下使得氨水平衡左移釋放出部分氨氣,并在后續不斷噴進的氨水打入擠壓,氨氣不斷產生、不斷擠壓退膜藥水垂直打向板面,氨氣在板面不斷放出的同時沖擊未被腐蝕殘留的退膜藥水,完成退膜。3.根據權利要求2所述的氨水輔助退膜方法,其特征在于,所述導管包括上導管和下導管,所述上導管和下導管分別位于所述基板的上下方向,且所述上導管和下導管的相對面均開設有噴淋孔。4.根據權利要求3所述的氨水輔助退膜方法,其特征在于,所述上導管上的噴淋壓力為2.5
...
【專利技術屬性】
技術研發人員:鄒佳祁,廖潤秋,羅練軍,王哲毅,
申請(專利權)人:勝宏科技惠州股份有限公司,
類型:發明
國別省市:
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。