公開一種蒸鍍掩模清洗裝置。蒸鍍掩模清洗裝置包括：處理水缸，盛裝浸泡蒸鍍掩模的處理水；處理水產生部，將處理水供應于所述處理水缸；處理水供應配管，連接所述處理水缸和所述處理水產生部；以及泡沫產生部，配置于所述處理水供應配管，并使得所述處理水中產生泡沫，所述處理水包括臭氧水、氫水、氨氫水以及碳酸水中的至少一種，所述泡沫包括氣泡直徑為50μm以下的微泡沫以及氣泡直徑為1μm以下的納米泡沫中的至少一種。泡沫中的至少一種。泡沫中的至少一種。
【技術實現(xiàn)步驟摘要】
蒸鍍掩模清洗裝置
[0001]本技術涉及一種蒸鍍掩模清洗裝置以及蒸鍍掩模清洗方法。
技術介紹
[0002]顯示裝置隨著多媒體的發(fā)展，其重要性增加。順應于此，使用液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有機發(fā)光顯示元件(Organic Light Emitting Didode，OLED)、量子點顯示器(Quantum
?
dot Light Emitting Display，QLED)等之類各種種類的顯示裝置。
[0003]在應用所述有機發(fā)光顯示元件的顯示裝置的情況下，構成有機發(fā)光顯示面板的有機發(fā)光層、平坦化層或絕緣層等之類有機層由耐化學性弱的有機物質構成，因此可以通過不是現(xiàn)有技術的光刻工藝，而是利用蒸鍍掩模，例如FMM(Fine Metal Mask；精細金屬掩模)的蒸鍍工藝形成。
[0004]在如上的蒸鍍工藝中，在蒸鍍掩模的表面可能殘留異物，例如使用于蒸鍍的有機物質或清洗物質等，因此必須要求蒸鍍掩模的清洗。
技術實現(xiàn)思路
[0005]本技術要解決的課題是提供一種能夠有效地清洗殘留于蒸鍍掩模的異物的蒸鍍掩模清洗裝置以及蒸鍍掩模清洗方法。
[0006]本技術的課題不限于以上提及的課題，本領域技術人員可以從下面的記載明確地理解未提及的其它技術課題。
[0007]用于解決所述課題的根據(jù)一實施例的蒸鍍掩模清洗裝置包括：處理水缸，盛裝浸泡蒸鍍掩模的處理水；處理水產生部，將所述處理水供應于所述處理水缸；處理水供應配管，連接所述處理水缸和所述處理水產生部；以及泡沫產生部，配置于所述處理水供應配管，并使得所述處理水中產生泡沫，所述處理水包括臭氧水、氫水、氨氫水以及碳酸水中的至少一種，所述泡沫包括氣泡直徑為50μm以下的微泡沫以及氣泡直徑為1μm以下的納米泡沫中的至少一種。
[0008]可以是，所述蒸鍍掩模清洗裝置還包括配置于所述處理水缸內并與所述處理水供應配管連接的噴嘴以及配置于所述處理水缸內的噴灑部中的至少一個。
[0009]可以是，所述蒸鍍掩模清洗裝置還包括：超純水供應部，將超純水供應于所述處理水產生部；處理氣體產生部，將處理氣體供應于所述處理水產生部；以及濃度測定部，配置于所述處理水供應配管，并測定通過所述處理水供應配管的處理水中的處理物質的濃度。
[0010]可以是，所述泡沫包括第一尺寸的第一泡沫以及與所述第一尺寸不同的第二尺寸的第二泡沫，向所述處理水缸內同時供應所述第一泡沫以及所述第二泡沫。
[0011]可以是，向所述處理水缸內，在第一預設時間期間供應所述第一泡沫，在與所述第一預設時間不同的第二預設時間期間供應所述第二泡沫。
[0012]可以是，所述泡沫產生部包括改變所述泡沫的尺寸的泡沫尺寸改變部。
[0013]可以是，所述蒸鍍掩模清洗裝置包括：有機溶劑缸，盛裝清洗液；以及超純水缸，盛
裝超純水。
[0014]可以是，所述處理水缸、所述有機溶劑缸以及所述超純水缸以所述有機溶劑缸、所述處理水缸以及所述超純水缸的順序排列。
[0015]可以是，所述泡沫具有每分鐘1mm～3mm的上升速度。
[0016]可以是，所述處理水產生部和所述泡沫產生部為一個裝置。
[0017]其它實施例的具體事項包括于詳細的說明以及附圖。
[0018]根據(jù)一實施例的蒸鍍掩模清洗裝置以及蒸鍍掩模清洗方法能夠有效地清洗殘留于蒸鍍掩模的異物。
[0019]根據(jù)實施例的效果不限于以上示例的內容，更多種效果包括在本說明書內。
附圖說明
[0020]圖1是根據(jù)一實施例的蒸鍍掩模清洗裝置的截面圖。
[0021]圖2是根據(jù)一實施例的蒸鍍掩模清洗方法的順序圖。
[0022]圖3是根據(jù)一實施例的蒸鍍掩模的立體圖。
[0023]圖4是沿著圖3的A
?
A'截取的截面圖。
[0024]圖5是根據(jù)一實施例的處理水缸的截面圖。
[0025]圖6是根據(jù)另一實施例的處理水缸的截面圖。
[0026]圖7是圖6的處理槽的立體圖。
[0027]圖8是圖6的處理槽的平面圖。
[0028]圖9是根據(jù)又另一實施例的蒸鍍掩模清洗裝置的截面圖。
[0029]圖10是根據(jù)又另一實施例的蒸鍍掩模清洗方法的順序圖。
[0030]圖11是根據(jù)又另一實施例的蒸鍍掩模清洗裝置的截面圖。
[0031]圖12是根據(jù)又另一實施例的蒸鍍掩模清洗方法的順序圖。
[0032]圖13是根據(jù)又另一實施例的蒸鍍掩模清洗裝置的截面圖。
[0033]圖14是根據(jù)又另一實施例的蒸鍍掩模清洗裝置的截面圖。
[0034](附圖標記說明)
[0035]1：蒸鍍掩模清洗裝置
[0036]MSK：蒸鍍掩模
[0037]BTH_C：有機溶劑缸
[0038]BTH_OW：臭氧水缸
[0039]BTH_DW：超純水缸
[0040]DRD：干燥裝置
具體實施方式
[0041]若參照與所附的附圖一起詳細后述的實施例，則本技術的優(yōu)點和特征以及實現(xiàn)它們的方法將變得明確。但是，本技術不限于以下公開的實施例，將以彼此不同的各種形式實現(xiàn)，本實施例僅使得本技術的公開完整，為了向在本技術所屬的
中具有通常知識的人完整地告知技術的范疇而提供，本技術僅通過權利要求書的范疇來界定。
[0042]指稱元件(elements)或層在其它元件或層“上(on)”的情況將直接在其它元件之上或在中間介有其它層或其它元件的情況全部包括。貫穿說明書整體，相同附圖標記指稱相同構成要件。在用于說明實施例的附圖中公開的形狀、尺寸、比例、角度、數(shù)量等為示例性的，因此本技術不限于圖示的事項。
[0043]以下，參照所附的附圖，針對具體的實施例進行說明。
[0044]圖1是根據(jù)一實施例的蒸鍍掩模清洗裝置的截面圖。圖2是根據(jù)一實施例的蒸鍍掩模清洗方法的順序圖。
[0045]參照圖1，蒸鍍掩模清洗裝置1可以包括浸泡蒸鍍掩模MSK的整體或一部分，并盛裝用于蒸鍍掩模MSK的清洗的彼此不同的溶液的多個沉淀缸BTH_C、BTH_DW、BTH_OW。
[0046]多個沉淀缸BTH_C、BTH_DW、BTH_OW可以包括有機溶劑缸BTH_C、處理水缸BTH_OW、超純水缸BTH_DW。
[0047]有機溶劑缸BTH_C、處理水缸BTH_OW以及超純水缸BTH_DW可以分別具有向上側開放的內部空間，并在所述內部空間盛裝用于蒸鍍掩模MSK的清洗的溶液。在圖1中，有機溶劑缸BTH_C、處理水缸BTH_OW以及超純水缸BTH_DW可以在截面上具有上方向上側開放的大致矩形的槽形狀，但是不限于此。
[0048]蒸鍍掩模MSK可以根據(jù)蒸鍍掩模清洗方法的順序，依次浸泡于有機溶劑缸BTH_C、處理水缸BTH_OW以及超純水缸BTH_DW并取出。盡管未圖示，但是蒸鍍掩本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種蒸鍍掩模清洗裝置，其中，包括：處理水缸，盛裝浸泡蒸鍍掩模的處理水；處理水產生部，將所述處理水供應于所述處理水缸；處理水供應配管，連接所述處理水缸和所述處理水產生部；以及泡沫產生部，配置于所述處理水供應配管，并使得所述處理水中產生泡沫，所述處理水包括臭氧水、氫水、氨氫水以及碳酸水中的至少一種，所述泡沫包括氣泡直徑為50μm以下的微泡沫以及氣泡直徑為1μm以下的納米泡沫中的至少一種。2.根據(jù)權利要求1所述的蒸鍍掩模清洗裝置，其中，所述蒸鍍掩模清洗裝置還包括配置于所述處理水缸內并與所述處理水供應配管連接的噴嘴以及配置于所述處理水缸內的噴灑部中的至少一個。3.根據(jù)權利要求1或2所述的蒸鍍掩模清洗裝置，其中，所述蒸鍍掩模清洗裝置還包括：超純水供應部，將超純水供應于所述處理水產生部；處理氣體產生部，將處理氣體供應于所述處理水產生部；以及濃度測定部，配置于所述處理水供應配管，并測定通過所述處理水供應配管的處理水中的處理物質的濃度。4.根據(jù)權利要求1或2所述的蒸鍍掩模清洗裝置，其中...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：金栽豐，姜爀，安昶昱，洪宰敏，
申請(專利權)人：三星顯示有限公司，
類型：新型
國別省市：
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