掩膜板支撐框架、掩膜板及其制作方法技術

本發明專利技術公開了掩膜板支撐框架、掩膜板及其制作方法，包括拉伸焊接在掩膜板框架上的支撐架，所述支撐架為整體開模形成的一體式支撐架，所述一體式支撐架包括呈鏤空網格狀設置的橫向遮擋條和豎向支撐條，所述遮擋條上設置有用于焊接掩膜條的預留位，所述預留位上設置有減重機構。本發明專利技術通過取消一體化掩膜板支撐框架縱向方向邊緣兩條支撐條，由此減小掩膜板框架長邊方向張力，取消縱向方向支撐條的位置做微刻蝕并對應張網更薄支撐條，用以解決現有邊緣混色不良問題。緣混色不良問題。緣混色不良問題。

【技術實現步驟摘要】
掩膜板支撐框架、掩膜板及其制作方法


[0001]本專利技術涉及掩膜板
，具體涉及掩膜板支撐框架、掩膜板及其制作方法。

技術介紹

[0002]掩膜支撐框架用于精密金屬掩膜的張網，支撐掩膜主要分為CH方式和一體化方式，目前，一體化支撐已經成為國內的主流方式，然而，其也存在一定的缺陷，由于一體化支撐一次性張網的特點，其掩膜片邊緣四角的拉力遠遠大于中間部位，因此，容易造成掩膜框架形變量大，或拉力不對稱導致的變形或潛在變形風險，使得在后續FMM張網使用過程中出現問題，容易造成一體化掩膜存在邊緣混色不良現象。

技術實現思路

[0003]本專利技術的目的在于提供掩膜板支撐框架、掩膜板及其制作方法，取消一體化掩膜板支撐框架縱向方向邊緣兩條支撐條，由此減小掩膜板框架長邊方向張力，取消縱向方向支撐條的位置做微刻蝕并對應張網更薄支撐條，用以解決現有邊緣混色不良問題。
[0004]掩膜板支撐框架，包括拉伸焊接在掩膜板框架上的支撐架，所述支撐架為整體開模形成的一體式支撐架，所述一體式支撐架包括呈鏤空網格狀設置的橫向遮擋條和豎向支撐條，所述遮擋條上設置有用于焊接掩膜條的預留位，所述預留位上設置有減重機構。
[0005]進一步地，所述減重機構為沿平行于支撐條的方向開設在所述遮擋條一側上的微蝕刻凹槽，以使掩膜條嵌置在所述微蝕刻凹槽內。
[0006]進一步地，所述減重機構為沿平行于支撐條的方向對稱開設在遮擋條兩側的兩組微蝕刻凹槽A、B。
[0007]進一步地，所述各支撐條均勻間隔設置，兩組微蝕刻凹槽A、B分別距各自相對的支撐條之間的距離L1與各支撐條之間的距離L2相等。
[0008]進一步地，所述掩膜條的厚度與微蝕刻凹槽深度相同，以使掩膜條內嵌與所述微蝕刻凹槽時，所述掩膜條的頂面與遮擋條的頂面齊平。
[0009]進一步地，所述微蝕刻凹槽的深度為30～40μm。
[0010]進一步地，所述支撐條的厚度與所述遮擋條的厚度相同，均為80～100μm。
[0011]進一步地，所述支撐架為具有磁力的磁條。
[0012]一種掩膜板制作方法，具體包括以下步驟：
[0013]提供中部為中空區的掩膜板框架；
[0014]提供支撐架，并采用半刻蝕工藝或/和全刻蝕工藝在所述支撐架的預留位上形成微蝕刻凹槽；
[0015]將所述支撐架焊接在掩膜板框架上，以使所述遮擋條沿橫向方向跨設于所述掩膜板框架的中空區，所述支撐條沿縱向方向跨設于所述框架的中空區，所述支撐條、遮擋條的兩端分別與所述框架連接；
[0016]在對應的微蝕刻凹槽內通過張網拉伸工藝嵌置掩膜條；
[0017]將金屬掩膜單元沿所述橫向方向跨設于所述掩膜板框架的中空區，且所述金屬掩膜單元沿所述橫向方向的兩側分別與所述掩膜板框架連接并由所述支撐架支撐，并將多個所述金屬掩膜沿縱向方向依次排列。
[0018]一種掩膜板，包括掩膜板支撐框架以及覆蓋于所述掩膜板支撐框架上的掩膜層，所述掩膜層包括多個金屬掩膜單元。
[0019]本專利技術具有的有益效果：
[0020]1、由于取消了邊緣位置的支撐條，張網時，對應位置的拉力相應減小，從而減小整體拉力；完成一體化掩膜板支撐框架張網后，在原支撐條位置單獨張網兩條掩膜條。掩膜條厚度為h1，由于單條掩膜條的厚度小于一體化掩膜板支撐框架厚度，因此，張網拉力減小(長邊方向的拉力)，從而減小掩膜板框架形變，進而解決FMM(精細金屬掩膜板)張網出現非矩形形態的異形形變和后續使用時由于平坦度或受力不均等因素導致的PPA變化，單獨張網的支撐條有助于支撐條貼合FMM，進而解決邊緣混色不良的問題；
[0021]2、本專利技術的支撐條是具有磁力的磁條，使得支撐條不僅起到支撐作用，同時還可吸附住掩膜基板，在與玻璃基板貼合之前就緩解掩膜基板存在的皺褶現象，當蒸鍍系統的磁力部件下降吸附時，掩膜基板可以更加緊密的與玻璃基板貼合在一起，從而避免了混色、蒸鍍成膜材料厚度不均等蒸鍍不良情況的發生。
附圖說明
[0022]圖1為本專利技術的支撐架整體結構示意圖；
[0023]圖2為本專利技術的掩膜板結構示意圖；
[0024]圖3為本專利技術的微蝕刻凹槽示意圖；
[0025]圖4為本專利技術的掩膜條嵌置與微蝕刻凹槽時剖面結構示意圖；
[0026]圖5為本專利技術的掩膜版結構示意圖；
[0027]圖6為本專利技術的掩膜板制作方法示意圖；
[0028]附圖說明：1
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支撐架，11
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遮擋條，12
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支撐條，2
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掩膜條，3
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微蝕刻凹槽，4
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掩膜板框架，5
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掩膜層，51
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掩膜單元。
具體實施方式
[0029]下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本專利技術及其應用或使用的任何限制。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。
[0030]除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數字表達式和數值不限制本專利技術的范圍。
[0031]同時，應當明白，為了便于描述，附圖中所示出的各個部分的尺寸并不是按照實際的比例關系繪制的。
[0032]另外，為了清楚和簡潔起見，可能省略了對公知的結構、功能和配置的描述。本領域普通技術人員將認識到，在不脫離本公開的精神和范圍的情況下，可以對本文描述的示
例進行各種改變和修改。
[0033]對于相關領域普通技術人員已知的技術、方法和設備可能不作詳細討論，但在適當情況下，所述技術、方法和設備應當被視為授權說明書的一部分。
[0034]在這里示出和討論的所有示例中，任何具體值應被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實施例的其它示例可以具有不同的值。
[0035]實施例1
[0036]掩膜板支撐框架，包括拉伸焊接在掩膜板框架4上的支撐架1，所述支撐架1為整體開模形成的一體式支撐架1，所述一體式支撐架1包括呈鏤空網格狀設置的橫向遮擋條11和豎向支撐條12，所述遮擋條11上設置有用于焊接掩膜條2的預留位，所述預留位上設置有減重機構
[0037]在現有技術中，大多采用的是交錯設置的支撐條12，各支撐條12交錯在一起形成支撐網。這種單片精密金屬掩膜版在拼焊時，需要先將支撐條12焊接到金屬框架上，起到支撐作用，然后在將精密金屬掩膜搭載在支撐條12上，進行焊接。然而采用此種CH方式往往需要支撐條12的數量越多，越要花大量時間進行拉網焊接；由于交叉排列的支撐條12，存在大量縫隙，蒸鍍時有機材料會進入這些縫隙中，浪費材料，并且不容易清理；單條支撐條12拼焊，支持條交叉重疊，本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.掩膜板支撐框架，其特征在于，包括拉伸焊接在掩膜板框架(4)上的支撐架(1)，所述支撐架(1)為整體開模形成的一體式支撐架(1)，所述一體式支撐架(1)包括呈鏤空網格狀設置的橫向遮擋條(11)和豎向支撐條(12)，所述遮擋條(11)上設置有用于焊接掩膜條(2)的預留位，所述預留位上設置有減重機構。2.根據權利要求1所述的掩膜板支撐框架，其特征在于，所述減重機構為沿平行于支撐條(12)的方向開設在所述遮擋條(11)一側上的微蝕刻凹槽(3)，以使掩膜條(2)嵌置在所述微蝕刻凹槽(3)內。3.根據權利要求2所述的掩膜板支撐框架，其特征在于，所述減重機構為沿平行于支撐條(12)的方向對稱開設在遮擋條(11)兩側的兩組微蝕刻凹槽(3)A、B。4.根據權利要求2所述的掩膜板支撐框架，其特征在于，所述各支撐條(12)均勻間隔設置，兩組微蝕刻凹槽(3)A、B分別距各自相對的支撐條(12)之間的距離L1與各支撐條(12)之間的距離L2相等。5.根據權利要求2所述的掩膜板支撐框架，其特征在于，所述掩膜條(2)的厚度與微蝕刻凹槽(3)深度相同，以使掩膜條(2)內嵌與所述微蝕刻凹槽(3)時，所述掩膜條(2)的頂面與遮擋條(11)的頂面齊平。6.根據權利要求5所述的掩膜板支撐框架，其特征在于，所述微蝕刻凹槽...

【專利技術屬性】
技術研發人員：周俊吉，李哲，趙陽，劉鑫，
申請(專利權)人：成都拓維高科光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：