銀糊及其應用制造技術

根據本公開，可以提供一種銀糊及其應用，其減少在形成銀膜時可能產生的銀膜內部的剝離。此處公開的銀糊為用于在金膜上形成的銀膜的銀糊，所述銀糊至少包含銀顆粒和玻璃，上述玻璃中，該玻璃的軟化點為550℃以上且900℃以下，將由上述玻璃形成的直徑15mm、高度6mm的圓盤狀的試驗片在大氣壓下、以830℃焙燒時，焙燒后的上述試驗片的直徑為0.9倍以上且2.6倍以下。下。下。

【技術實現步驟摘要】
銀糊及其應用


[0001]本專利技術涉及銀糊、具備該銀糊的焙燒體的電極以及該電極的制造方法。

技術介紹

[0002]在電氣/電子部件用的電子元件中，廣泛采用使用導電性材料在絕緣性基板上形成導體膜而不使用導線、且通過該導體膜進行布線的技術。
[0003]例如，金(Au)被用作在熱敏打印頭中用于使電阻器發熱的導體膜(電極)。然而，從削減成本等觀點出發，提出了將電極的一部分由金變更為銀(Ag)。專利文獻1中作為上述構成的一例，公開了如下構成：在與電阻器接觸的位置的電極上配置包含金的電極層(第1層)，在上述第1層上與電阻器隔開地形成包含銀的電極層(第2層)。由于金在電阻器(例如由氧化釕形成的電阻器)中擴散的程度比銀小，因此，通過使與電阻器接觸的部分為包含金的電極層，而其他部分為包含銀的電極層，可以削減成本、并且抑制電阻器和電極層的劣化。
[0004]現有技術文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻1：日本專利申請公開2018
?
103608號公報

技術實現思路

[0007]專利技術要解決的問題
[0008]另一方面，作為在包含金的電極層(金膜)上形成包含銀的電極層(銀膜)的方法的一例，可以舉出在金膜上涂布(包括印刷在內)銀糊并焙燒的方法。然而，本專利技術人等進行了研究，結果發現存在銀膜內部因上述焙燒而產生剝離的課題。由于在銀膜內部產生剝離，因而不僅外觀不良，而且會產生電阻變高、電極劣化變快等問題，故不優選。
[0009]因此，本專利技術是鑒于上述情況而作出的，其目的在于，提供一種減少形成銀膜時可能產生的銀膜內部的剝離的銀糊。另外，另一目的在于，提供一種作為上述銀糊的焙燒物的電極以及上述電極的制造方法。
[0010]用于解決問題的方案
[0011]為了實現上述目的，本專利技術人等進行了研究，結果確認到：由于至少在550℃以上的溫度下對涂布于金膜上的銀糊進行焙燒，從而會在銀膜內部產生剝離。因此，本專利技術人等認為是否可以著眼于使產生的剝離在焙燒過程中粘接(修復)而不是著眼于不產生上述剝離，從而能夠形成減少了剝離的銀膜，并進行了深入研究。其結果發現：通過在銀糊中添加具有規定范圍的軟化點和規定范圍的流動性的玻璃，從而可以形成減少了剝離的銀膜。
[0012]即，此處公開的銀糊為用于在金膜上形成的銀膜的銀糊，所述銀糊至少包含銀顆粒和玻璃，上述玻璃中，該玻璃的軟化點為550℃以上且900℃以下，將由上述玻璃形成的直徑15mm、高度6mm的圓盤狀的試驗片在大氣壓下、以830℃進行焙燒時，焙燒后的上述試驗片的直徑為0.9倍以上且2.6倍以下。
[0013]根據上述構成，銀糊中所含的玻璃的軟化點至少為在銀膜內部產生剝離的溫度(550℃)以上，因此，在銀膜內部產生剝離后玻璃發生軟化。由此，會產生使軟化后的玻璃彼此互相吸引的力。其結果，剝離部周邊的軟化玻璃會粘接剝離部，可以減少剝離。
[0014]此處公開的銀糊的優選一方式中，將上述銀糊整體設為100體積％時，包含0.5體積％以上的上述玻璃。
[0015]通過包含上述范圍的玻璃，從而粘接剝離部的效果變高，因此，可以進一步減少銀膜內部的剝離。
[0016]另外，此處公開的銀糊的優選一方式中，將上述銀糊的整體設為100重量％時，包含60重量％以上的上述銀顆粒。
[0017]根據上述構成，將銀顆粒與玻璃一起配置于剝離部的粘接部分，因此，可提供用于形成減少了剝離部的導電性高的銀膜的銀糊。
[0018]另外，為了實現上述目的，提供電極和該電極的制造方法。此處公開的電極具備此處公開的銀糊的焙燒體。由此，可以實現減少了剝離的電極。
[0019]另外，此處公開的電極的制造方法包括如下工序：將此處公開的銀糊涂布于規定的基材的工序；和，在比上述銀糊中所含的玻璃的軟化點高的溫度下進行焙燒的工序。另外，優選一方式中，上述電極為熱敏打印頭用的電極。由此，可以制造減少了銀膜內部的剝離的電極。
附圖說明
[0020]圖1為示意性示出具備一實施方式的銀糊的焙燒體(銀膜)的電極的構成的剖視圖。
[0021]圖2A為例5的電極在830℃焙燒后的銀膜在倍率1000倍下的FE
?
SEM截面二次電子圖像。
[0022]圖2B為例7的電極在830℃焙燒后的銀膜在倍率1000倍下的FE
?
SEM截面二次電子圖像。
[0023]圖3A為例5的電極在550℃焙燒后的銀膜在倍率5000倍下的FE
?
SEM截面二次電子圖像。
[0024]圖3B為例5的電極在650℃焙燒后的銀膜在倍率5000倍下的FE
?
SEM截面二次電子圖像。
[0025]圖3C為例5的電極在750℃焙燒后的銀膜在倍率5000倍下的FE
?
SEM截面二次電子圖像。
[0026]圖3D為例5的電極在830℃焙燒后的銀膜在倍率5000倍下的FE
?
SEM截面二次電子圖像。
[0027]附圖標記說明
[0028]10 基板
[0029]20 電極
[0030]22 金膜
[0031]24 銀膜
具體實施方式
[0032]以下，對此處公開的技術適合的實施方式進行說明。需要說明的是，本說明書中特別提及的事項(例如銀糊的構成)以外的事項、且實施所需的事項(例如銀糊的供給方法、金膜的制造方法等)可以基于由本說明書啟示的
技術實現思路
、和該領域中的本領域技術人員的一般技術常識來理解。此處公開的技術的內容可以基于本說明書中公開的內容和該領域中的技術常識來實施。需要說明的是，本說明書中表示范圍的“A～B”的表述是指A以上且B以下。因此，包含高于A且低于B的情況。
[0033]此處公開的銀糊是為了在金膜上形成銀膜而優選使用，因此，以下，邊參照附圖邊對具備金膜和銀膜的電極進行說明。需要說明的是，以下附圖中，對發揮相同的作用的構件/部位標注相同的符號，有時省略或簡化重復的說明。另外，各圖中的尺寸關系(長度、寬度、厚度等)未必反映實際的尺寸關系。
[0034][電極][0035]圖1為示意性示出具備此處公開的銀糊的焙燒體(銀膜)的電極的構成的剖視圖。如圖1所示，在基板10的表面形成有電極20。電極20具備金膜22和銀膜24，在基板10上形成有金膜22。另外，電極20具備成為在金膜22上形成有銀膜24的層疊結構(圖1中為2層結構)的部分。通過在金膜22上形成銀膜24，從而可以實現成本削減和電阻減少。需要說明的是，銀膜24不必僅形成于金膜22上，銀膜24也可以具有在基板10上形成的部分。
[0036]基板10沒有特別限制，典型地由絕緣材料形成，例如由陶瓷材料(例：氧化鋁等)構成。另外，可以在基板10的表面進行基于玻璃材料(例：非晶玻璃)的涂覆(所謂上光基板)。金膜22為電傳導性(也簡稱為“導電性”)高的導體膜，例如通過將包含金(Au)的樹脂酸鹽(resinate本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種銀糊，其為用于在金膜上形成的銀膜的銀糊，所述銀糊至少包含銀顆粒和玻璃，所述玻璃中，該玻璃的軟化點為550℃以上且900℃以下，將由所述玻璃形成的直徑15mm、高度6mm的圓盤狀的試驗片在大氣壓下、以830℃焙燒時，焙燒后的所述試驗片的直徑為0.9倍以上且2.6倍以下。2.根據權利要求1所述的銀糊，其中，將所述銀糊整體設為100體積％時，包含0.5體積％以上的所述玻璃。3.根據權利要求1...

【專利技術屬性】
技術研發人員：加藤圣也，山下剛廣，
申請(專利權)人：株式會社則武，
類型：發明
國別省市：