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    一種晶體拉制裝置制造方法及圖紙

    技術(shù)編號:34862578 閱讀:31 留言:0更新日期:2022-09-08 08:06
    本實用新型專利技術(shù)提供一種晶體拉制裝置,包括:導(dǎo)流筒,所述導(dǎo)流筒形成為筒狀且底端設(shè)有氣流出口;水冷熱屏,所述水冷熱屏形成為筒狀且所述水冷熱屏的外壁貼合于所述導(dǎo)流筒的內(nèi)壁;熱屏環(huán),所述熱屏環(huán)可拆卸地貼設(shè)在所述水冷熱屏內(nèi)壁底端。本實用新型專利技術(shù)實施例的晶體拉制裝置通過在水冷熱屏的內(nèi)壁底端可拆卸地設(shè)置熱屏環(huán),從而通過將熱屏環(huán)貼設(shè)在水冷熱屏內(nèi)壁上或?qū)崞镰h(huán)從水冷熱屏內(nèi)壁拆下,以適應(yīng)不同尺寸晶體的拉制需求,避免了儲備不同規(guī)格的水冷熱屏和頻繁更換水冷熱屏,降低了生產(chǎn)成本,提高了生產(chǎn)效率。生產(chǎn)效率。生產(chǎn)效率。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
    一種晶體拉制裝置


    [0001]本技術(shù)涉及光伏
    ,具體涉及一種晶體拉制裝置。

    技術(shù)介紹

    [0002]隨著光伏行業(yè)平價上網(wǎng)大幕開啟,硅晶產(chǎn)品趨向于多樣化和大尺寸方向發(fā)展,在日趨激烈的競爭中,如何制造出低成本、高輸出功率的大尺寸產(chǎn)品是硅晶產(chǎn)品制造商亟待解決的問題。
    [0003]現(xiàn)有技術(shù)中,通常在晶體爐的清爐階段更換水冷熱屏以拉制不同尺寸的晶體。
    [0004]然而,通過更換水冷熱屏的方法費時費力,并且由于需要應(yīng)變不同尺寸硅晶的拉制,需要配備多個水冷熱屏,這對成本和庫存都造成了不小的壓力,同時更換水冷熱屏降低了晶體拉制的生產(chǎn)效率。

    技術(shù)實現(xiàn)思路

    [0005]有鑒于此,本技術(shù)提供一種晶體拉制裝置,以解決晶體生產(chǎn)工藝中,需配備多個水冷熱屏,且為適應(yīng)晶體的不同尺寸而需頻繁更換水冷熱屏,導(dǎo)致晶體拉制工藝的成本高、生產(chǎn)效率低的問題。
    [0006]為了實現(xiàn)上述目的,本技術(shù)采用以下技術(shù)方案:
    [0007]根據(jù)本技術(shù)實施例的晶體拉制裝置,包括:
    [0008]導(dǎo)流筒,所述導(dǎo)流筒形成為筒狀且底端設(shè)有氣流出口;
    [0009]水冷熱屏,所述水冷熱屏形成為筒狀且所述水冷熱屏的外壁貼合于所述導(dǎo)流筒的內(nèi)壁;
    [0010]熱屏環(huán),所述熱屏環(huán)可拆卸地貼設(shè)在所述水冷熱屏內(nèi)壁底端。
    [0011]進(jìn)一步地,所述熱屏環(huán)的底端內(nèi)徑小于頂端內(nèi)徑。
    [0012]進(jìn)一步地,所述熱屏環(huán)包括:位于上端的第一環(huán)體以及連接在所述第一環(huán)體下端的第二環(huán)體,其中,所述第一環(huán)體從底端向至頂端呈漸闊形。<br/>[0013]進(jìn)一步地,所述第一環(huán)體從底端至頂端壁厚逐漸減小。
    [0014]進(jìn)一步地,所述熱屏環(huán)一體成型。
    [0015]進(jìn)一步地,所述熱屏環(huán)包括多個,多個所述熱屏環(huán)的內(nèi)徑尺寸各異且外徑尺寸統(tǒng)一,多個所述熱屏環(huán)擇一地貼設(shè)在所述水冷熱屏內(nèi)壁底端。
    [0016]進(jìn)一步地,所述水冷熱屏的壁厚方向上形成有中空的第一腔體。
    [0017]進(jìn)一步地,所述水冷熱屏包括:與所述第一環(huán)體對應(yīng)的上筒體以及與所述第二環(huán)體相對應(yīng)的下筒體,所述第一環(huán)體貼設(shè)在所述上筒體的內(nèi)壁且所述第二環(huán)體貼設(shè)在所述下筒體的內(nèi)壁上。
    [0018]進(jìn)一步地,所述導(dǎo)流筒包括:
    [0019]內(nèi)膽,所述內(nèi)膽連接所述水冷熱屏;
    [0020]外膽,所述外膽設(shè)置在所述內(nèi)膽外側(cè),以在所述內(nèi)膽與所述外膽之間形成有第二
    腔體;
    [0021]導(dǎo)流筒附件,所述導(dǎo)流筒附件一端連接所述外膽的底端,另一端連接所述內(nèi)膽的底端。
    [0022]進(jìn)一步地,所述熱屏環(huán)的底端的內(nèi)徑小于所述氣流出口的內(nèi)徑。
    [0023]本技術(shù)的上述技術(shù)方案至少具有如下有益效果之一:
    [0024]1、根據(jù)本技術(shù)實施例的晶體拉制裝置,包括導(dǎo)流筒、水冷熱屏和熱屏環(huán),導(dǎo)流筒形成為筒狀且底端設(shè)有氣流出口,水冷熱屏形成為筒狀且水冷熱屏的外壁貼合于導(dǎo)流筒的內(nèi)壁,熱屏環(huán)可拆卸地貼設(shè)在水冷熱屏內(nèi)壁底端。本技術(shù)實施例的晶體拉制裝置通過在水冷熱屏的內(nèi)壁底端可拆卸地設(shè)置熱屏環(huán),從而可以根據(jù)所需要拉制的晶體尺寸,相應(yīng)地將熱屏環(huán)貼設(shè)在水冷熱屏內(nèi)壁上或?qū)崞镰h(huán)從水冷熱屏內(nèi)壁拆下,以適應(yīng)不同尺寸晶體的拉制需求,避免了儲備不同規(guī)格的水冷熱屏和頻繁更換水冷熱屏,降低了生產(chǎn)成本,提高了生產(chǎn)效率。
    [0025]2、根據(jù)本技術(shù)實施例的晶體拉制裝置,水冷熱屏和導(dǎo)流筒的氣流出口之間需要用導(dǎo)流筒附件進(jìn)行包覆銜接,銜接結(jié)構(gòu)導(dǎo)致此處形成內(nèi)凹,當(dāng)氬氣流經(jīng)這里的時候會在此處形成流速不一的渦流,對成晶界面的穩(wěn)定性造成影響。通過在水冷熱屏的內(nèi)壁上設(shè)置熱屏環(huán),當(dāng)氣流到達(dá)內(nèi)凹處時,氣流可直接被引導(dǎo)流出導(dǎo)流筒,避免了在導(dǎo)流筒附近產(chǎn)生渦流,提高了晶體成晶率。
    附圖說明
    [0026]圖1為本技術(shù)實施例的晶體拉直裝制的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。
    [0027]附圖標(biāo)記:
    [0028]100.導(dǎo)流筒;110.內(nèi)膽;120.外膽;130.導(dǎo)流筒附件;200.水冷熱屏;210. 上筒體;220.下筒體;300.熱屏環(huán);310.第一環(huán)體;320.第二環(huán)體。
    具體實施方式
    [0029]為使本技術(shù)實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合本技術(shù)實施例的附圖,對本技術(shù)實施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然,所描述的實施例是本技術(shù)的一部分實施例,而不是全部的實施例。基于所描述的本技術(shù)的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實施例,都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。
    [0030]除非另作定義,本技術(shù)中使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本技術(shù)所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本技術(shù)中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性,而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣,“一個”或者“一”等類似詞語也不表示數(shù)量限制,而是表示存在至少一個。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接,而是可以包括電性的連接,不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系,當(dāng)被描述對象的絕對位置改變后,則該相對位置關(guān)系也相應(yīng)地改變。
    [0031]下面首先結(jié)合附圖具體描述本技術(shù)實施例的晶體拉制裝置。
    [0032]如圖1所示,根據(jù)本技術(shù)實施例的晶體拉制裝置,包括導(dǎo)流筒100、水冷熱屏200和熱屏環(huán)300。
    [0033]其中,導(dǎo)流筒100形成為筒狀且底端設(shè)有氣流出口,水冷熱屏200形成為筒狀且水冷熱屏200的外壁貼合于導(dǎo)流筒100的內(nèi)壁,熱屏環(huán)300可拆卸地貼設(shè)在水冷熱屏200內(nèi)壁底端。也就是說,導(dǎo)流筒100底端設(shè)置了氣流出口,氣流出口用于為晶體的拉制提供空間。晶體拉制裝置自外向內(nèi)依次設(shè)置有導(dǎo)流筒100、水冷熱屏200和熱屏環(huán)300,導(dǎo)流筒100和水冷熱屏200均設(shè)置為筒狀以便于兩者互相配合連接,熱屏環(huán)300可拆卸地貼合在水冷熱屏200內(nèi)壁底端,當(dāng)需要拉制小尺寸的晶體時,則將熱屏環(huán)300貼合在水冷熱屏200的內(nèi)壁底端,熱屏環(huán)300的內(nèi)徑與該待拉制的晶體所需的口徑匹配;當(dāng)需要拉制大尺寸的晶體時,則將熱屏環(huán)300從水冷熱屏200的內(nèi)壁底端取出,水冷熱屏200的內(nèi)徑與該待拉制的晶體所需的口徑匹配。從而只需通過將熱屏環(huán)300貼合在水冷熱屏200的內(nèi)壁上,或從水冷熱屏200的內(nèi)壁上取出即可實現(xiàn)不同尺寸晶體的拉制,避免了更換不同尺寸的水冷熱屏,提高了晶體拉制的生產(chǎn)效率。
    [0034]本技術(shù)實施例的晶體拉制裝置通過將熱屏環(huán)300可拆卸地貼合在水冷熱屏200上,從而可以改變待拉制晶體所需的口徑,避免了在晶體拉制工藝中配備多個型號的水冷熱屏以及頻繁更換水冷熱屏,節(jié)約了生產(chǎn)成本,提高了晶體拉制的生產(chǎn)效率。
    [0035]進(jìn)一步地,作為本技術(shù)的一些實施例,熱屏環(huán)300的底端內(nèi)徑小于頂端內(nèi)徑。也就是說,如圖1所示,熱屏環(huán)300從頂端向至底端的內(nèi)徑越來越小,這種結(jié)構(gòu)有利于引導(dǎo)拉晶過程中的料塊直接滑入堝中,提高了成晶質(zhì)量。<本文檔來自技高網(wǎng)
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    【技術(shù)保護(hù)點】

    【技術(shù)特征摘要】
    1.一種晶體拉制裝置,其特征在于,包括:導(dǎo)流筒,所述導(dǎo)流筒形成為筒狀且底端設(shè)有氣流出口;水冷熱屏,所述水冷熱屏形成為筒狀且所述水冷熱屏的外壁貼合于所述導(dǎo)流筒的內(nèi)壁;熱屏環(huán),所述熱屏環(huán)可拆卸地貼設(shè)在所述水冷熱屏內(nèi)壁底端。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體拉制裝置,其特征在于,所述熱屏環(huán)的底端內(nèi)徑小于頂端內(nèi)徑。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的所述的晶體拉制裝置,其特征在于,所述熱屏環(huán)包括:位于上端的第一環(huán)體以及連接在所述第一環(huán)體下端的第二環(huán)體,其中,所述第一環(huán)體從底端向至頂端呈漸闊形。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體拉制裝置,其特征在于,所述第一環(huán)體從底端至頂端壁厚逐漸減小。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體拉制裝置,其特征在于,所述熱屏環(huán)一體成型。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體拉制裝置,其特征在于,所述熱屏環(huán)包括多個,多個所述熱屏環(huán)的內(nèi)徑尺寸各異且...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:宋克冉董朝海顏玉峰
    申請(專利權(quán))人:曲靖晶龍電子材料有限公司
    類型:新型
    國別省市:

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