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    蒸發(fā)源裝置及蒸鍍設(shè)備制造方法及圖紙

    技術(shù)編號:34862579 閱讀:33 留言:0更新日期:2022-09-08 08:06
    本申請公開了一種蒸發(fā)源裝置及蒸鍍設(shè)備,其中,所述蒸發(fā)源裝置包括:坩堝,所述坩堝包括坩堝殼體和用于輸出蒸鍍材料的開口,所述坩堝蓋可拆卸安裝于所述開口;材料承載組件,所述材料承載組件包括安裝架和至少一個承載平臺,所述安裝架安裝于所述坩堝內(nèi)部,所述安裝架自所述開口向所述坩堝殼體的底部延伸,所述承載平臺可拆卸安裝于所述安裝架上,所述承載平臺用于承載所述蒸鍍材料。通過上述方式,本申請能夠減少蒸鍍材料的浪費(fèi),增加坩堝的使用壽命。命。命。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
    蒸發(fā)源裝置及蒸鍍設(shè)備


    [0001]本申請涉及顯示
    ,尤其是涉及一種蒸發(fā)源裝置及蒸鍍設(shè)備。

    技術(shù)介紹

    [0002]目前具有可折疊柔性AMOLED(有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體)顯示屏幕的手機(jī),逐漸成為年輕人喜愛的產(chǎn)品。其中AMOLED發(fā)光原理即在期間的陰陽極施加電壓,使得器件結(jié)構(gòu)中的電子和空穴向中間的發(fā)光層傳輸并在發(fā)光層位置結(jié)合產(chǎn)生激子,激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變至基態(tài),并輻射出光子。而目前所有AMOLED生產(chǎn)線中,作為陰極膜層的注入層,Yb(金屬鐿)材料幾乎在所有的生產(chǎn)線中都會進(jìn)行蒸鍍成膜。而關(guān)于蒸鍍金屬鐿,Yb表面一般會存在致密的氧化膜,在蒸鍍過程中氧化膜因溫度不夠,殘留在坩堝內(nèi),在實際生產(chǎn)中,為減少Yb氧化膜的量,提高生產(chǎn)良率,一般會使用錠狀Yb材料(同質(zhì)量下,錠狀比顆粒狀表面積小很多),而一個坩堝一般可裝多個錠狀Yb材料,直接放置在坩堝內(nèi),在生產(chǎn)結(jié)束后,坩堝內(nèi)剩余的金屬Yb材料會燒結(jié)在一起,且也會與坩堝底部連接,因處理Yb存在危險性且也會損壞坩堝,故一般是將剩余Yb材料和坩堝送去清洗,這樣就會存在生產(chǎn)浪費(fèi)和坩堝的使用壽命降低等風(fēng)險。

    技術(shù)實現(xiàn)思路

    [0003]本申請主要解決的技術(shù)問題是提供一種蒸發(fā)源裝置及蒸鍍設(shè)備,能夠減少蒸鍍材料的浪費(fèi),增加坩堝的使用壽命。
    [0004]為解決上述技術(shù)問題,本申請采用的第一技術(shù)方案是提供一種蒸發(fā)源裝置,所述蒸發(fā)源裝置包括:坩堝,所述坩堝包括坩堝殼體和用于輸出蒸鍍材料的開口;材料承載組件,所述材料承載組件包括安裝架和至少一個承載平臺,所述安裝架安裝于所述坩堝內(nèi)部,所述安裝架自所述開口向所述坩堝殼體的底部延伸,所述承載平臺可拆卸安裝于所述安裝架上,所述承載平臺用于承載所述蒸鍍材料。
    [0005]其中,所述安裝架包括平行且間隔設(shè)置的第一支撐柱和第二支撐柱,所述第一支撐柱和所述第二支撐柱自所述開口向所述坩堝殼體的底部延伸;所述第一支撐柱和所述第二支撐柱遠(yuǎn)離所述坩堝殼體的側(cè)壁的一側(cè)上均設(shè)置有若干個支撐槽,若干個所述支撐槽沿所述第一支撐柱和所述第二支撐柱的延伸方向布置,所述第一支撐柱上的若干個支撐槽與所述第二支撐柱上的若干個支撐槽一一對應(yīng),所述承載平臺的兩端能夠插置于對應(yīng)的所述第一支撐柱的支撐槽與所述第二支撐柱的支撐槽內(nèi);優(yōu)選的,所述蒸發(fā)源裝置還包括過濾組件,所述過濾組件設(shè)置于所述坩堝殼體內(nèi)且靠近所述開口一側(cè),所述第一支撐柱和所述第二支撐柱的一端固定設(shè)置于所述過濾組件上,所述第一支撐柱和所述第二支撐柱的另一端向所述坩堝殼體的底部延伸;優(yōu)選的,所述安裝架還包括設(shè)置于所述第一支撐柱和所述第二支撐柱靠近所述開口一端的支撐外沿,所述支撐外沿套設(shè)在所述開口上。
    [0006]其中,距離所述過濾組件最遠(yuǎn)的所述承載平臺與所述坩堝殼體的底部之間具有間隙;所述第一支撐柱和所述第二支撐柱朝向所述坩堝殼體的側(cè)壁的一側(cè)與所述坩堝殼體的
    側(cè)壁之間具有間隙。
    [0007]其中,所述承載平臺包括兩個相對設(shè)置的第一側(cè)邊,兩個所述第一側(cè)邊之間具有兩個相對設(shè)置的第二側(cè)邊;所述承載平臺的兩個所述第一側(cè)邊之間的最大長度大于對應(yīng)的所述第一支撐柱的支撐槽與所述第二支撐柱的支撐槽之間的最小距離,所述承載平臺的兩個第二側(cè)邊之間的最大長度小于對應(yīng)的所述第一支撐柱的支撐槽與所述第二支撐柱的支撐槽之間的最小距離。
    [0008]其中,所述第一側(cè)邊為曲線形邊,兩個所述第二側(cè)邊之間具有兩個切口,形成兩個所述第二側(cè)邊,所述第二側(cè)邊為直邊;所述支撐槽在與所述安裝架的延伸方向相垂直的方向上的截面為與所述第一側(cè)邊的形狀相匹配的弓形。
    [0009]其中,所述承載平臺的兩個所述第一側(cè)邊處設(shè)置有卡扣,所述支撐槽內(nèi)設(shè)置有與所述卡扣相配合的卡槽。
    [0010]其中,所述承載平臺的厚度小于所述支撐槽的高度,且所述承載平臺的厚度與所述支撐槽的高度之間的差值小于0.5mm。
    [0011]其中,所述承載平臺上具有沿所述安裝架的延伸方向開設(shè)的至少一個鏤空區(qū),所述至少一個鏤空區(qū)對稱設(shè)置于所述承載平臺上;和/或,所述承載平臺上具有沿所述安裝架的延伸方向開設(shè)的通孔;所述承載平臺的通透率大于等于75%。
    [0012]為解決上述技術(shù)問題,本申請采用的第二技術(shù)方案是提供一種蒸鍍設(shè)備,所述蒸鍍設(shè)備包括上述任意一種蒸發(fā)源裝置。
    [0013]本申請的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù),本申請?zhí)峁┮环N蒸發(fā)源裝置及蒸鍍設(shè)備,蒸發(fā)源裝置包括坩堝以及材料承載組件,坩堝包括坩堝殼體和用于輸出蒸鍍材料的開口,材料承載組件包括安裝架和至少一個承載平臺,安裝架安裝于坩堝內(nèi)部,安裝架自開口向坩堝殼體的底部延伸,承載平臺可拆卸安裝于安裝架上,承載平臺用于承載蒸鍍材料。通過在坩堝內(nèi)部設(shè)置材料承載組件,可以在不影響材料蒸鍍的前提下避免蒸鍍材料與坩堝連接,在生產(chǎn)結(jié)束后不需要將剩余的蒸鍍材料和坩堝進(jìn)行清洗,這樣可以減少蒸鍍材料的浪費(fèi),并避免影響坩堝的使用壽命。
    附圖說明
    [0014]為了更清楚地說明本申請實施例中的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
    [0015]圖1是本申請蒸發(fā)源裝置的一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
    [0016]圖2是本申請蒸發(fā)源裝置的另一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
    [0017]圖3a是圖2中的第一支撐柱和第二支撐柱的一實施方式的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖;
    [0018]圖3b是圖2中的第一支撐柱和第二支撐柱的一實施方式的俯視結(jié)構(gòu)示意圖;
    [0019]圖4是圖2中的承載平臺的一實施方式的俯視結(jié)構(gòu)示意圖;
    [0020]圖5是圖2中的承載平臺安裝于支撐槽中的一實施方式的安裝示意圖;
    [0021]圖6是圖2中的承載平臺安裝于支撐槽中的另一實施方式的安裝示意圖;
    [0022]圖7是本申請蒸發(fā)源裝置的再一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
    具體實施方式
    [0023]下面將結(jié)合本申請實施例中的附圖,對本申請實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本申請中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,均屬于本申請保護(hù)的范圍。
    [0024]在本申請實施例中使用的術(shù)語是僅僅出于描述特定實施例的目的,而非旨在限制本申請。在本申請實施例和所附權(quán)利要求書中所使用的單數(shù)形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數(shù)形式,除非上文清楚地表示其他含義,“多種”一般包含至少兩種,但是不排除包含至少一種的情況。
    [0025]應(yīng)當(dāng)理解,本文中使用的術(shù)語“和/或”僅僅是一種描述關(guān)聯(lián)對象的關(guān)聯(lián)關(guān)系,表示可以存在三種關(guān)系,例如,A和/或B,可以表示:單獨(dú)存在A,同時存在A和B,單獨(dú)存在B這三種情況。另外,本文中字符“/”,一般表示前后關(guān)聯(lián)對象是一種“或”的關(guān)系。
    [0026]應(yīng)當(dāng)理解,本文中使用的術(shù)語“包括”、“包含”或者其他任何變體意在涵蓋非排他性本文檔來自技高網(wǎng)
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    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    【技術(shù)特征摘要】
    1.一種蒸發(fā)源裝置,其特征在于,所述蒸發(fā)源裝置包括:坩堝,所述坩堝包括坩堝殼體和用于輸出蒸鍍材料的開口;材料承載組件,所述材料承載組件包括安裝架和至少一個承載平臺,所述安裝架安裝于所述坩堝內(nèi)部,所述安裝架自所述開口向所述坩堝殼體的底部延伸,所述承載平臺可拆卸安裝于所述安裝架上,所述承載平臺用于承載所述蒸鍍材料。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,所述承載平臺的數(shù)量為多個,多個所述承載平臺沿所述安裝架的延伸方向平行且間隔設(shè)置于所述安裝架上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,所述安裝架包括平行且間隔設(shè)置的第一支撐柱和第二支撐柱,所述第一支撐柱和所述第二支撐柱自所述開口向所述坩堝殼體的底部延伸;所述第一支撐柱和所述第二支撐柱遠(yuǎn)離所述坩堝殼體的側(cè)壁的一側(cè)上均設(shè)置有若干個支撐槽,若干個所述支撐槽沿所述第一支撐柱和所述第二支撐柱的延伸方向布置,所述第一支撐柱上的若干個支撐槽與所述第二支撐柱上的若干個支撐槽一一對應(yīng),所述承載平臺的兩端能夠插置于對應(yīng)的所述第一支撐柱的支撐槽與所述第二支撐柱的支撐槽內(nèi);優(yōu)選的,所述蒸發(fā)源裝置還包括過濾組件,所述過濾組件設(shè)置于所述坩堝殼體內(nèi)且靠近所述開口一側(cè),所述第一支撐柱和所述第二支撐柱的一端固定設(shè)置于所述過濾組件上,所述第一支撐柱和所述第二支撐柱的另一端向所述坩堝殼體的底部延伸;優(yōu)選的,所述安裝架還包括設(shè)置于所述第一支撐柱和所述第二支撐柱靠近所述開口一端的支撐外沿,所述支撐外沿套設(shè)在所述開口上。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的蒸發(fā)源裝置,其特征在于,距離所述過濾組件最遠(yuǎn)的所述承載平臺與所述坩堝殼體的底...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:劉全寶毋炳輝金躍康王傳俊高松彭兆基
    申請(專利權(quán))人:昆山國顯光電有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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