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    一種堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻制造技術

    技術編號:34919138 閱讀:39 留言:0更新日期:2022-09-15 07:10
    本實用新型專利技術公開了一種堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻,包括至少兩片堆疊布置的陶瓷PTC熱敏芯片,任意相鄰的兩片陶瓷PTC熱敏芯片之間電性連接。本實用新型專利技術中的堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻,解決了有高電壓、低電阻、大電流沖擊需求的個體,用較厚的個體厚度來解決高電壓需求時,因較厚個體胚片成型密度不均勻帶來的瓷體密度不均勻,進而影響到大電流沖擊時劇冷劇熱的應力變化,最后影響到個體的可靠性問題。最后影響到個體的可靠性問題。最后影響到個體的可靠性問題。

    【技術實現步驟摘要】
    一種堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻


    [0001]本技術涉及一種電阻,尤其涉及一種堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻。

    技術介紹

    [0002]在陶瓷PTC熱敏電阻的應用領域中,經常會有一些對沖擊電流和電阻有特定要求的場合,如:消磁電阻希望有更大的沖擊電流在減少消磁線圈匝數降低成本的同時提供更好的消磁效果;電焊機的預充電路中希望有更大的沖擊電流滿足更快充電速度和充電頻次的要求,在定溫發熱體的應用中希望用更大的沖擊電流提升更快的升溫功率。上述應用場景無一例外希望PTC熱敏在恒定的電壓下以更低的阻值提供更大的沖擊電流。
    [0003]我們知道,當電壓恒定且PTC熱敏電阻的阻值降低10倍時,流過該PTC熱敏電阻的電流也會增加10倍,加在PTC熱敏電阻上的瞬態功率較原功率會增加10倍。這意味著這顆陶瓷PTC熱敏電阻在相同的時間內會有更劇烈的溫升,劇烈的溫升一定要有更均勻的瓷體結構才能承受,這要求我們把芯片做得要薄來提供更均勻的瓷體結構。
    [0004]我們知道,陶瓷PTC熱敏電阻是一種高溫燒成的陶瓷體,由粉沫狀態的BaTiO3、CaTiO3等添加物在模具中壓制成胚片,在胚片的成型過程中會有一條條(請參照圖1、圖2)所示的等壓力線,胚片越厚時等壓力線越明顯,意味著瓷體的一致性會略差;在劇冷劇熱的沖擊場合極易因劇烈的冷熱使陶瓷體產生裂紋導致產品阻值升高并失效。胚片越薄時,等壓力線越均勻,瓷體的一致性會更好,在劇冷劇熱的沖擊場合會有更好的可靠性。
    [0005]我們還知道阻值和面積一定的陶瓷PTC產品中厚度越厚時耐電壓能力會越高,在有高電壓要求的大電流沖擊場合一定會對PTC熱敏電阻提出更高的耐電壓要求。增加產品的厚度是提高耐電壓比較恰當的解決方式。
    [0006]我們也知道在PTC熱敏電阻的幾個串聯個體在相同的動作電流情況下阻值稍高的產品一定會因W=I2Rt而優先動作并最終承擔絕大部分電壓。因此,怎樣在這個串聯的幾個個體中,把最先動作的這顆個體產生的熱量耦合給其它相鄰的個體,使其溫升后阻值升高共同分擔更高的耐電壓而不損壞,并且用更均勻的瓷體密度去承擔更大的沖擊電流的研究就很有必要。

    技術實現思路

    [0007]為了克服現有技術的不足,本技術的目的在于提供一種堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻,解決了有高電壓、低電阻、大電流沖擊需求的個體,用較厚的個體厚度來解決高電壓需求時,因較厚個體胚片成型密度不均勻帶來的瓷體密度不均勻,進而影響到大電流沖擊時劇冷劇熱的應力變化,最后影響到個體的可靠性問題。
    [0008]本技術的目的采用如下技術方案實現:
    [0009]一種堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻,包括:
    [0010]至少兩片堆疊布置的陶瓷PTC熱敏芯片,任意相鄰的兩片所述陶瓷PTC熱敏芯片之間電性連接。
    [0011]進一步地,各片所述陶瓷PTC熱敏芯片均包括PTC陶瓷體和兩個電極,兩個所述電極設置在PTC陶瓷體上。
    [0012]進一步地,兩個所述電極設置在PTC陶瓷體相對的兩側上。
    [0013]進一步地,任意相鄰的兩片陶瓷PTC熱敏芯片之間導電層并實現電性連接。
    [0014]進一步地,所述陶瓷PTC熱敏芯片中最外側的兩片陶瓷PTC熱敏芯片均電性連接有導電元件。
    [0015]進一步地,所述導電元件與陶瓷PTC熱敏芯片之間固定連接。
    [0016]進一步地,所述導電元件與陶瓷PTC熱敏芯片之間活動連接。
    [0017]進一步地,還包括包封層,所述包封層覆蓋在各片所述陶瓷PTC熱敏芯片和兩個所述導電元件的表面上。
    [0018]進一步地,還包括電氣盒,所述電氣盒上設置有收容腔,各片所述陶瓷PTC熱敏芯片和兩個所述導電元件收容于收容腔內且兩個所述導電元件可延伸至收容腔外部。
    [0019]進一步地,各片所述陶瓷PTC熱敏芯片均設置為圓形。相比現有技術,本技術的有益效果在于:
    [0020]通過將兩片或兩片以上的陶瓷PTC熱敏芯片上下或左右堆疊布置并能有效實現該電阻的電氣性能,可解決有高電壓、低電阻、大電流沖擊需求的個體,用較厚的個體厚度來解決高電壓需求時,因較厚個體胚片成型密度不均勻帶來的瓷體密度不均勻,進而影響到大電流沖擊時劇冷劇熱的應力變化,最后影響到個體的可靠性問題。
    附圖說明
    [0021]圖1為厚胚片的等壓線的示意圖;
    [0022]圖2為薄胚片的等壓線的示意圖;
    [0023]圖3為本技術的優選實施例中堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻其PTC陶瓷體的結構示意圖;
    [0024]圖4為本技術的優選實施例中堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻其PTC陶瓷體的俯視結構示意圖;
    [0025]圖5為本技術的優選實施例中堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻其陶瓷PTC熱敏芯片的結構示意圖;
    [0026]圖6為本技術的優選實施例中堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻其陶瓷PTC熱敏芯片的俯視結構示意圖;
    [0027]圖7為本技術的優選實施例中堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻的局部結構示意圖;
    [0028]圖8為本技術的優選實施例中堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻一種實施方式的結構示意圖;
    [0029]圖9為本技術的優選實施例中堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻另一種實施方式的結構示意圖。
    [0030]圖中:1、陶瓷PTC熱敏芯片;2、PTC陶瓷體;3、電極;4、導電層;5、包封層;6、電氣盒;7、引線;8、金屬簧片。
    具體實施方式
    [0031]本部分將詳細描述本技術的具體實施例,本技術之較佳實施例在附圖中示出,附圖的作用在于用圖形補充說明書文字部分的描述,使人能夠直觀地、形象地理解本技術的每個技術特征和整體技術方案,但其不能理解為對本技術保護范圍的限制。
    [0032]在本技術的描述中,需要理解的是,涉及到方位描述,例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系,僅是為了便于描述本技術和簡化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作,因此不能理解為對本技術的限制。
    [0033]在本技術的描述中,多個的含義是一個或者多個,多個的含義是兩個以上,大于、小于、超過等理解為不包括本數,以上、以下、以內等理解為包括本數。如果有描述到第一、第二只是用于區分技術特征為目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數量或者隱含指明所指示的技術特征的先后關系。
    [0034]本技術的描述中,除非另有明確的限定,設置、安裝、連接等詞語應做廣義理解,所屬
    技術人員可以結合技術方案的具體內容合理確定上述詞語在本技術中的具體含義。
    [0035]請參照圖3至圖9,本技術的優選實施例提供一種堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻,包括至少兩片堆疊布置的陶瓷PTC熱敏芯片1,任意相鄰的兩片陶瓷PTC熱敏芯片1之間電性連接。
    [0036]在上述結構的基礎上,通過將兩片或兩片以上的陶瓷PT本文檔來自技高網
    ...

    【技術保護點】

    【技術特征摘要】
    1.一種堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻,其特征在于,包括:至少兩片堆疊布置的陶瓷PTC熱敏芯片(1),任意相鄰的兩片所述陶瓷PTC熱敏芯片(1)之間電性連接。2.如權利要求1所述的堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻,其特征在于,各片所述陶瓷PTC熱敏芯片(1)均包括PTC陶瓷體(2)和兩個電極(3),兩個所述電極(3)設置在PTC陶瓷體(2)上。3.如權利要求2所述的堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻,其特征在于,兩個所述電極(3)設置在PTC陶瓷體(2)相對的兩側上。4.如權利要求1所述的堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻,其特征在于,任意相鄰的兩片陶瓷PTC熱敏芯片(1)之間設置有導電層(4)并實現電性連接。5.如權利要求1所述的堆疊式陶瓷PTC熱敏電阻,其特征在于,所述陶瓷PTC熱敏芯片(1)中最外側的兩片陶瓷PTC熱敏芯片(1)均電性連接有導電...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:沈朝陽
    申請(專利權)人:深圳市勁陽電子有限公司
    類型:新型
    國別省市:

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