一種存儲介質讀寫對象的切換裝置，包括：處理模塊；以及與所述處理模塊分別電性連接的：存儲介質模塊，其與信號轉換模塊電性連接；數據傳輸線檢測模塊，用于檢測數據傳輸線是否插入數據接口中以及為所述信號轉換模塊供電；模擬開關模塊，用于根據所述數據傳輸線的插入狀態切換所述存儲介質模塊的通信對象；本裝置通過處理模塊、存儲介質模塊、信號轉換模塊、數據傳輸線檢測模塊及模擬開關模塊配合，實現存儲介質模塊的讀寫對象快速切換，便于使用者按需求使用。需求使用。需求使用。
【技術實現步驟摘要】
存儲介質讀寫對象的切換裝置
[0001]本技術涉及存儲介質通信
，特別涉及一種存儲介質讀寫對象的切換裝置。
技術介紹
[0002]一般來說，同一顆IC上會有多個封裝，封裝引腳越多，價格就會越貴。研發工程師會根據產品的需求選擇相應的封裝，以達到IC引腳的高利用率，但由于某些引腳復用的關系以及要實現的功能繁多，IC上的SDIO接口以及USB接口出現不夠用的情況，進而無法兼顧數據傳輸以及各功能，因此需要對IC進行重新選型，耗費時間以及精力。
技術實現思路
[0003]基于此，有必要針對上述技術問題，提供一種存儲介質讀寫對象的切換裝置。
[0004]為實現上述目的，本技術提供的一種存儲介質讀寫對象的切換裝置，包括：
[0005]處理模塊；以及與處理模塊分別電性連接的：
[0006]存儲介質模塊，其與信號轉換模塊電性連接；
[0007]數據傳輸線檢測模塊，用于檢測數據傳輸線是否插入數據接口中以及為信號轉換模塊供電；
[0008]模擬開關模塊，用于根據數據傳輸線的插入狀態切換存儲介質模塊的通信對象，模擬開關模塊包括開關芯片U1、電阻R9及電容C2，開關芯片U1的第一引腳與處理模塊連接，電阻R9的第一端與開關芯片U1的第一引腳連接，電阻R9的第二端接地，電容C2連接在開關芯片U1的第十六引腳上；
[0009]其中，當數據傳輸線未插入數據接口中時，存儲介質模塊通過模擬開關模塊與處理模塊進行讀寫操作；
[0010]當數據傳輸線接入數據接口中時，存儲介質模塊通過模擬開關模塊、信號轉換模塊與外部設備進行讀寫操作。
[0011]優選的，處理模塊包括USB_DET接口、VSD_CTRL接口、R_VSD_CTRL接口及 SPI_CTRL接口，USB_DET接口、R_VSD_CTRL接口與數據傳輸線檢測模塊電性連接， VSD_CTRL接口與存儲介質模塊電性連接，SPI_CTRL接口與模擬開關模塊電性連接。
[0012]優選的，數據傳輸線檢測模塊包括相互電性連接的：
[0013]數據傳輸線識別電路，與USB_DET接口電性連接，用于輸入識別電平信號至處理模塊中以判斷數據傳輸線的插入狀態；
[0014]供電電路，與R_VSD_CTRL接口電性連接，用于接收供電電平信號以控制信號轉換模塊啟動或關閉。
[0015]優選的，數據傳輸線識別電路包括USB_5V端、電容C3、電阻R10及電阻R12，電阻R10的第一端與USB_5V端連接，電阻R10的第二端與電阻R12的第一端連接，電容C3與電阻R12并聯，電容C3的第一端與USB_DET接口連接，電容C3的第二端接地；
[0016]電阻R10的第一端、電阻R12的第二端分別與供電電路連接。
[0017]優選的，供電電路包括USB端、場效應管Q2、三極管Q3、電阻R11、電阻R13 及電阻R14，場效應管Q2的漏級與USB端連接，場效應管Q2的柵極分別與電阻R11、電阻R13的第一端連接，電阻R13的第二端與三極管Q3的集電極連接，三極管Q3 的基極通過電阻R14與R_VSD_CTRL接口連接；
[0018]場效應管Q2的源極、電阻R11的第二端、三極管Q3的發射極分別與數據傳輸線識別電路連接。
[0019]優選的，信號轉換模塊包括轉換芯片U2及USB端，轉換芯片U2的供電端與USB 端連接，轉換芯片分別與模擬開關模塊、存儲介質模塊連接。
[0020]優選的，存儲介質模塊包括存儲單元CON1、場效應管Q1、電阻R1、電阻R2 及電容C1，場效應管Q1的柵極通過電阻R2與VSD_CTRL接口連接，場效應管Q1的源極連接3V3端，場效應管Q1的漏級通過電容C1接地，電阻R1的第一端與場效應管Q1的源極連接，電阻R1的第二端與場效應管Q1的柵極連接，存儲單元CON1的第四引腳與場效應管Q1的漏級連接。
[0021]優選的，存儲單元CON1的輸出引腳分別與模擬開關模塊、信號轉換模塊連接，儲存單元CON1的輸出引腳上設有上拉功能電阻。
[0022]優選的，場效應管Q2為P型MOS管。
[0023]本技術具有如下技術效果：本裝置通過處理模塊、存儲介質模塊、信號轉換模塊、數據傳輸線檢測模塊及模擬開關模塊配合，實現存儲介質模塊的讀寫對象快速切換，便于使用者按需求使用。
[0024]下面結合附圖與實施例，對本技術進一步說明。
附圖說明
[0025]為了更清楚地說明本技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0026]圖1是本技術實施例中裝置的第一原理框圖；
[0027]圖2是本技術實施例中裝置的第一原理框圖；
[0028]圖3是本技術實施例中數據傳輸線檢測模塊的電路原理圖；
[0029]圖4是本技術實施例中信號轉換模塊的電路原理圖；
[0030]圖5是本技術實施例中存儲介質模塊的電路原理圖；
[0031]圖6是本技術實施例中模擬開關模塊的電路原理圖；
[0032]圖7是本技術實施例中模擬開關模塊中開關芯片的原理圖；
具體實施方式
[0033]為使本技術的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本技術的具體實施方式做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本技術。但是本技術能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本技術內涵的情況下做類似改進，因此本技術不受下面公
開的具體實施例的限制。
[0034]在本技術的描述中，需要理解的是，術語“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本技術和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本技術的限制。
[0035]在本技術的描述中，需要理解的是，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。在本技術的描述中，“多個”的含義是至少兩個，例如兩個，三個等，除非另有明確具體的限定。
[0036]在本技術實施例中，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術語應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種存儲介質讀寫對象的切換裝置，其特征在于，包括：處理模塊；以及與所述處理模塊分別電性連接的：存儲介質模塊，其與信號轉換模塊電性連接；數據傳輸線檢測模塊，用于檢測數據傳輸線是否插入數據接口中以及為所述信號轉換模塊供電；模擬開關模塊，用于根據所述數據傳輸線的插入狀態切換所述存儲介質模塊的通信對象，所述模擬開關模塊包括開關芯片U1、電阻R9及電容C2，所述開關芯片U1的第一引腳與所述處理模塊連接，所述電阻R9的第一端與所述開關芯片U1的第一引腳連接，所述電阻R9的第二端接地，所述電容C2連接在所述開關芯片U1的第十六引腳上；其中，當數據傳輸線未插入數據接口中時，所述存儲介質模塊通過所述模擬開關模塊與所述處理模塊進行讀寫操作；當數據傳輸線接入數據接口中時，所述存儲介質模塊通過所述模擬開關模塊、信號轉換模塊與外部設備進行讀寫操作。2.根據權利要求1所述的存儲介質讀寫對象的切換裝置，其特征在于，所述處理模塊包括USB_DET接口、VSD_CTRL接口、R_VSD_CTRL接口及SPI_CTRL接口，所述USB_DET接口、R_VSD_CTRL接口與所述數據傳輸線檢測模塊電性連接，所述VSD_CTRL接口與所述存儲介質模塊電性連接，所述SPI_CTRL接口與所述模擬開關模塊電性連接。3.根據權利要求2所述的存儲介質讀寫對象的切換裝置，其特征在于，所述數據傳輸線檢測模塊包括相互電性連接的：數據傳輸線識別電路，與所述USB_DET接口電性連接，用于輸入識別電平信號至所述處理模塊中以判斷數據傳輸線的插入狀態；供電電路，與所述R_VSD_CTRL接口電性連接，用于接收供電電平信號以控制所述信號轉換模塊啟動或關閉。4.根據權利要求3所述的存儲介質讀寫對象的切換裝置，其特征在于，所述數據傳輸線識別電路包括USB_5V端、電容C3、電阻R10及電阻R12，所述電阻R10的第一端與所述USB_5V端連接，所述電阻R10的第二端與所述電阻R12...
【專利技術屬性】
技術研發人員：胡明，蔡偉明，陳閏，
申請(專利權)人：優利德科技中國股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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