一種LV7745DEV晶體振蕩器老煉板制造技術(shù)

本公開提供一種LV7745DEV晶體振蕩器老煉板，包括：至少一個用于安裝LV7745DEV晶體振蕩器的試驗工位以及用于進行所述LV7745DEV晶體振蕩器老煉的試驗回路，其中：所述試驗回路包括試驗電源、第一負載電阻以及第二負載電阻；所述試驗電源電連接所述LV7745DEV晶體振蕩器的電源端，所述試驗電源通過所述第一負載電阻電連接所述LV7745DEV晶體振蕩器的使能端，所述LV7745DEV晶體振蕩器的接地端接地設(shè)置。本公開通過合理的電路、試驗工位設(shè)計，能夠完成多個LV7745DEV晶體振蕩器的功率老煉試驗。多個LV7745DEV晶體振蕩器的功率老煉試驗。多個LV7745DEV晶體振蕩器的功率老煉試驗。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種LV7745DEV晶體振蕩器老煉板


[0001]本技術(shù)涉及電子元件可靠性測試領(lǐng)域，尤其涉及一種LV7745DEV晶體振蕩器老煉板。

技術(shù)介紹

[0002]老煉試驗?zāi)軌蚩s短器件早期失效的時間，能充分暴露器件絕大部分的失效機理，是提高器件使用可靠性的有效措施。由于LV7745DEV晶體振蕩器采用LCC(Leadless Chip Carriers，無引線芯片座)陶瓷封裝，封裝特殊，其內(nèi)部包含一個晶體振蕩器，輸出差分信號。因此對LV7745DEV晶體振蕩器進行高溫老煉難度較大，導(dǎo)致其一直處于缺項試驗狀態(tài)，該器件的使用可靠性無法滿足實際需。

技術(shù)實現(xiàn)思路

[0003]有鑒于此，本技術(shù)的目的在于提出一種LV7745DEV晶體振蕩器老煉板，以解決或部分解決上述技術(shù)問題。
[0004]基于上述目的，本技術(shù)提供了一種LV7745DEV晶體振蕩器老煉板，包括：至少一個用于安裝LV7745DEV晶體振蕩器的試驗工位以及用于進行所述LV7745DEV晶體振蕩器老煉的試驗回路，其中：
[0005]所述試驗回路包括試驗電源、第一負載電阻以及第二負載電阻；
[0006]所述試驗電源電連接所述LV7745DEV晶體振蕩器的電源端，所述試驗電源通過所述第一負載電阻電連接所述LV7745DEV晶體振蕩器的使能端，所述LV7745DEV晶體振蕩器的接地端接地設(shè)置；
[0007]所述LV7745DEV晶體振蕩器的輸出端與所述第二負載電阻電連接，所述第二負載電阻接地設(shè)置。
[0008]進一步地，還包括檢測源，所述檢測源電連接于所述LV7745DEV晶體振蕩器的輸出端與所述第二負載電阻之間的線路上。
[0009]進一步地，所述試驗回路還包括濾波電容，所述濾波電容一端與所述試驗電源電相連，另一端接地設(shè)置。
[0010]進一步地，所述LV7745DEV晶體振蕩器包括兩個所述輸出端，所述試驗回路包括兩個所述第二負載電阻，每一所述輸出端與一所述第二負載電阻電連接，所述第二負載電阻接地設(shè)置，每一所述輸出端與一所述第二負載電阻電連接之間的線路上對應(yīng)設(shè)置一所述檢測源。
[0011]進一步地，所述試驗工位采用抱式簧片夾緊固定所述LV7745DEV晶體振蕩器。
[0012]進一步地，所述LV7745DEV晶體振蕩器在老煉板上豎向安裝。
[0013]進一步地，所述第一負載電阻以及所述第二負載電阻在老煉板上立式安裝。
[0014]從上面所述可以看出，本技術(shù)提供的LV7745DEV晶體振蕩器老煉板，包括：至少一個用于安裝LV7745DEV晶體振蕩器的試驗工位以及用于進行所述LV7745DEV晶體振蕩
器老煉的試驗回路，所述試驗回路包括試驗電源、第一負載電阻以及第二負載電阻。其中，所述試驗電源電連接所述LV7745DEV晶體振蕩器的電源端，所述LV7745DEV晶體振蕩器的接地端接地設(shè)置，所述LV7745DEV晶體振蕩器的輸出端與所述第二負載電阻電連接，所述第二負載電阻接地設(shè)置，形成提供LV7745DEV晶體振蕩器老煉試驗所需功率的閉合回路。所述試驗電源通過所述第一負載電阻電連接所述LV7745DEV晶體振蕩器的使能端，形成開合閉合回路的開關(guān)。閉合回路以及閉合回路開關(guān)的協(xié)同作用，實現(xiàn)了LV7745DEV晶體振蕩器的工作啟停，從而完成對LV7745DEV晶體振蕩器的功率老煉。
附圖說明
[0015]為了更清楚地說明本技術(shù)實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術(shù)的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1為本技術(shù)實施例LV7745DEV晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2為本技術(shù)實施例LV7745DEV晶體振蕩器功率老煉原理示意圖；
[0018]圖3為本技術(shù)實施例LV7745DEV晶體振蕩器老煉板的頂層結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖4為本技術(shù)實施例LV7745DEV晶體振蕩器老煉板的底層結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
[0020]為使本技術(shù)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本技術(shù)進一步詳細說明。
[0021]需要說明的是，除非另外定義，本技術(shù)實施例使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本公開所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”和類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當(dāng)被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。
[0022]LV7745DEV晶體振蕩器的高溫老煉是指在設(shè)定的溫度、功率下對LV7745DEV晶體振蕩器進行老化試驗。在經(jīng)過一段時間的高溫功率老煉后，存有缺陷的LV7745DEV晶體振蕩器，其缺陷就會顯露出來，它們本身的性能或參數(shù)與標準性能或參數(shù)相比也會發(fā)生變化。對LV7745DEV晶體振蕩器來說，LV7745DEV晶體振蕩器會交替輸出相位相反的逆相波形信號(即兩組頻率電壓信號)，這兩個相位相反的逆相波形從LV7745DEV晶體振蕩器的兩個輸出端分別輸出，由此通過檢測源對兩個輸出端輸出的頻率電壓信號進行檢測，并將輸出端輸出的頻率電壓信號與標準頻率、電壓進行比對，能夠判斷LV7745DEV晶體振蕩器的好壞，從而剔除不合格的LV7745DEV晶體振蕩器。
[0023]參見圖1，LV7745DEV晶體振蕩器采用LCC陶瓷封裝，封裝形式特殊，其內(nèi)部包含一個晶體振蕩器，輸出差分信號。因此在設(shè)計老煉板時應(yīng)考慮到試驗所對應(yīng)試驗設(shè)備的負載
能力、高溫環(huán)境下的器件內(nèi)部散熱、工作的穩(wěn)定性等，同時還需要考慮該老煉板能否滿足LV7745DEV晶體振蕩器批量試驗的需求，并對試驗工位進行合理、可靠的安排。
[0024]有鑒于此，本公開一個或多個實施例提供了一種LV7745DEV晶體振蕩器老煉板，通過合理的電路設(shè)計實現(xiàn)對LV7745DEV晶體振蕩器的功率老煉。
[0025]以下，通過具體的實施例來詳細說明本公開一個或多個實施例的技術(shù)方案，參見圖2，一種LV7745DEV晶體振蕩器老煉板，包括：至少一個用于安裝LV7745DEV晶體振蕩器的試驗工位以及用于進行所述LV7745DEV晶體振蕩器老煉的試驗回路。其中，在試驗工位上安裝LV7745DEV晶體振蕩器時，只需按照老煉板所示極性方向?qū)V7745DEV晶體振蕩器插入試驗工位上的試驗夾具內(nèi)即可。用于進行所述LV7745DEV晶體本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種LV7745DEV晶體振蕩器老煉板，其特征在于，包括：至少一個用于安裝LV7745DEV晶體振蕩器的試驗工位以及用于進行所述LV7745DEV晶體振蕩器老煉的試驗回路，其中：所述試驗回路包括試驗電源、第一負載電阻以及第二負載電阻；所述試驗電源電連接所述LV7745DEV晶體振蕩器的電源端，所述試驗電源通過所述第一負載電阻電連接所述LV7745DEV晶體振蕩器的使能端，所述LV7745DEV晶體振蕩器的接地端接地設(shè)置；所述LV7745DEV晶體振蕩器的輸出端與所述第二負載電阻電連接，所述第二負載電阻接地設(shè)置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LV7745DEV晶體振蕩器老煉板，其特征在于，還包括檢測源，所述檢測源電連接于所述LV7745DEV晶體振蕩器的輸出端與所述第二負載電阻之間的線路上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LV7745DEV晶體振蕩器老煉板，其特征在于，所述試驗回...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：楊露佳，寧凱，賈民杰，張凡，
申請(專利權(quán))人：航天科工防御技術(shù)研究試驗中心，
類型：新型
國別省市：