一種掩膜版的制作方法技術

本申請公開了一種掩膜版的制作方法，包括以下步驟：S1:基板,面A向上，面B為面A的相對面；S2:分別在面A及面B上涂覆光阻膜，曝光，顯影，同時對面A及面B噴刻蝕液同步刻蝕，刻蝕完成后去除光阻膜，形成第一凹部和預凹部；S3:再次在面A及面B上涂覆光阻膜，曝光，顯影，然后從面A或面B中的一面向基板噴射刻蝕，刻蝕后形成第二凹部，第一凹部與第二凹部貫通。本申請制作的掩膜版用于蒸鍍，使得內陰影寬度減小,從而蒸鍍膜厚均勻，消除了要求較高的顯示屏發光時出現顯示異常的現象。時出現顯示異常的現象。時出現顯示異常的現象。

【技術實現步驟摘要】
一種掩膜版的制作方法


[0001]本申請涉及蒸鍍領域，特別涉及一種掩膜版的制作方法。

技術介紹

[0002]有機電致發光器件(OLED)由于具有亮度高、色彩飽和、輕薄、可彎曲等優點在顯示面板領域占比逐漸增大。
[0003]隨著OLED顯示對于窄邊框及無邊框的需求越來越高，對于公共層掩膜版的精度需求也越來越高，為了滿足高精度的蒸鍍需求，掩膜版制作廠商正努力提高公共層掩膜版制作精度。
[0004]現有技術中，公共層掩膜版通過照相平板印刷術在金屬基板上刻蝕出貫通孔，形成基板的開口，此種工藝制作出的公共層掩膜版如圖1，圖1中，基板1經過兩步刻蝕在基板1上形成若干貫通孔，貫通孔朝向面A的為第一凹部2，貫通孔朝向面B的為第二凹部3，第一凹部2的深度為h1,第二凹部3的深度為h2,第二凹部3的寬度<第一凹部2的寬度，h2>h1,第一凹部2與第二凹部3的底面并不在同一平面，第一凹部2的底面與第二凹部3的底面之間為尖銳部5，尖銳部5深度為h3，h3＝基板1的高度
?
h1
?
h2，h3為10μm左右，尖銳部5圍成開口4，開口4形狀為由面B至面A漸擴，第二凹部3弧線的端點連線與水平面的夾角與面B的夾角為α，尖銳部5與垂直方向(或法線方向)的夾角為θ。
[0005]圖1的公共層掩膜版用于蒸鍍，形成的產品在要求較高的顯示屏發光時出現顯示異常。

技術實現思路

[0006]基于上述問題，本申請提供一種掩膜版的制作方法，該方法使得內陰影寬度減小,從而蒸鍍膜厚均勻，消除了要求較高的顯示屏發光時出現顯示異常的現象。
[0007]一種掩膜版的制作方法，包括以下步驟：
[0008]S1:基板,面A向上，面B為面A的相對面；
[0009]S2:分別在面A及面B上涂覆光阻膜，曝光，顯影，同時對面A及面B噴刻蝕液同步刻蝕，刻蝕完成后去除光阻膜，形成第一凹部和預凹部；
[0010]S3:再次在面A及面B上涂覆光阻膜，曝光，顯影，然后從面A或面B中的一面向基板噴射刻蝕，刻蝕后形成第二凹部，第一凹部與第二凹部貫通。
[0011]可選地，所述S3中，刻蝕時，面B向上，刻蝕液從下方向面A噴射。
[0012]可選地，S3中，刻蝕前，面A待蝕刻區域的面積小于面B待蝕刻區域的面積。
[0013]本申請還提高一種掩膜版，該掩膜版由上述的方法制備而成。
[0014]一種掩膜版，包括基板，該基板上由面A到面B方向設置有若干貫通孔，每一貫通孔朝向面A的為第一凹部，貫通孔朝向面B的為第二凹部，第一凹部的深度為h1,第二凹部的深度為h2，所述第一凹部的底面與第二凹部的底面之間距離h3＝基板的高度h0?
h1?
h2，h3趨近于0。
[0015]可選地，所述第二凹部的寬度<第一凹部的寬度。
[0016]可選地，所述h2>h1。
[0017]可選地，所述第一凹部的水平截面外輪廓線為圓形，第二凹部的水平截面外輪廓線為圓形。
[0018]可選地，所述所述第一凹部的水平截面外輪廓線為偶數邊形的凸多邊形，第二凹部的水平截面外輪廓線為偶數邊形的凸多邊形。
[0019]可選地，所述第一凹部由面A向面B方向收縮，第二凹部由面B向面A方向收縮掩膜版。
[0020]可選地，所述基板材料為Invar或SUS。
[0021]本申請還提供一種過渡掩膜版。
[0022]一種過渡掩膜版，所述過渡掩膜版包括基板，該基板上設置有朝向面A開口的若干第一凹部，該基板上還設置有與每一第一凹部相對應的朝向面B開口的至少1個預凹部，預凹部的深度與第一凹部的深度之和小于基板高度。
[0023]可選地，所述預凹部為兩個。
[0024]可選地，所述預凹部的深度為10～20μm，寬度為1～4mm。
[0025]專利技術原理及有益效果：
[0026]本申請專利技術人經研究發現，圖1的公共層掩膜版用于蒸鍍，形成的產品在要求較高的顯示屏發光時出現顯示異常的原因在于：h2厚度不利于控制蒸鍍內陰影，而內陰影會導致內陰影區域蒸鍍膜厚相對正常區域薄，從而使得蒸鍍膜厚不均勻，最終導致要求較高的顯示屏發光時出現顯示異常。
[0027]本申請通過兩次蝕刻，形成h3高度更小(基本為0)的斷面，從而使得內陰影寬度減小,從而蒸鍍膜厚均勻，消除了要求較高的顯示屏發光時出現顯示異常的現象。
附圖說明
[0028]圖1為本專利技術
技術介紹
掩膜版結構示意圖；
[0029]圖2為本專利技術基板結構示意圖；
[0030]圖3為本專利技術第一步蝕刻后的結構示意圖；
[0031]圖4為本專利技術第二次蝕刻后的結構示意圖(面B朝上)；
[0032]圖5為本專利技術為本專利技術第二次蝕刻后的結構示意圖(面A朝上)。
具體實施方式
[0033]下面將結合附圖對本申請作進一步說明。
[0034]在本專利技術的描述中，需要說明的是，術語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎向”、“縱向”、“側向”、“水平”、“內”、“外”、“前”、“后”、“頂”、“底”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，或者是該專利技術產品使用時慣常擺放的方位或位置關系，僅是為了便于描述本專利技術和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本專利技術的限制。此外，術語“第一”、“第二”、“第三”等僅用于區分描述，而不能理解為指示或暗示相對重要性。
[0035]在本專利技術的描述中，還需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“設置”、
“
開有”、“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本專利技術中的具體含義。
[0036]一種掩膜版的制備方法，包括以下步驟：
[0037]S1:取100～200μm金屬原材(材料優選為Invar或SUS)，如圖2，基板1高度為h0,面A向上，面B為面A的相對面。
[0038]S2:分別在面A及面B上涂覆光阻膜(干法或濕法)，曝光，顯影，同時對面A及面B噴刻蝕液同步刻蝕，刻蝕完成后去除光阻膜，形成如圖3的結構，圖3中，為了滿足蒸鍍時掩膜版無劃傷玻璃的效果和盡可能減小蒸鍍陰影的需求，第一凹部2的深度h1為10～20μm，第一凹部2的寬度L1為客戶要求或設計的寬度，預凹部4至少有2個，預凹部4的深度h
y
為10～20μm，每一個預凹部4的寬度Ly優選為1～4mm。
[0039]S3:再次在面A及面B上涂覆光阻膜(干法或濕法)，曝光，顯影(顯影后，面A待蝕刻區域的面積小于面B待蝕刻區域的面積)，然后將掩膜版翻轉，翻轉后面B向上(翻轉1本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種掩膜版的制作方法，包括以下步驟：S1:基板(1),面A向上，面B為面A的相對面；S2:分別在面A及面B上涂覆光阻膜，曝光，顯影，同時對面A及面B噴刻蝕液同步刻蝕，刻蝕完成后去除光阻膜，形成第一凹部(2)和預凹部(4)；S3:再次在面A及面B上涂覆光阻膜，曝光，顯影，然后從面A向基板(1)噴射刻蝕液，刻蝕后形成第二凹部(3)，第一凹部(2)與第二凹部(3)貫通。2.根據權利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述S3中，刻蝕時，面B向上，刻蝕液從下方向面A噴射。3.根據權利要求2所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，S3中，刻蝕前，面A待蝕刻區域的面積小于面B待蝕刻區域的面積。4.根據權利要求1
?
3任一所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，該方法制作形成的掩膜版包括基板(1)，該基板(1)上由面A到面B方向設置有若干貫通孔，每一貫通孔朝向面A的為第一凹部(2)，貫通孔朝向面B的為第二凹部(3)，第一凹部(2)的深度為h1,第二凹部(3)的深度為h2，其特征在于：所述...

【專利技術屬性】
技術研發人員：姜太赫，周俊吉，楊凡，李博，李哲，
申請(專利權)人：成都拓維高科光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：