涉及襯底處理方法、半導體器件的制造方法、記錄介質及襯底處理裝置?？商岣咝纬捎谝r底上的膜的面內均勻性。包括：在襯底處理裝置中，將襯底設定于距成膜輔助氣體供給部的氣體供給口的距離為第1距離的第1位置，供給成膜輔助氣體使成膜輔助氣體吸附于襯底上的工序；使襯底移動至距原料氣體供給部的氣體供給口的距離為與第1距離不同的第2距離的第2位置，供給原料氣體而在襯底上形成所期望膜厚的薄膜的工序，襯底處理裝置構成為具有處理襯底的處理室；設置于處理室內的襯底支承部；成膜輔助氣體供給部，在將襯底支承于襯底支承部的狀態下向處理室供給成膜輔助氣體；和，原料氣體供給部，在將襯底支承于襯底支承部的狀態下向處理室供給原料氣體。理室供給原料氣體。理室供給原料氣體。
【技術實現步驟摘要】
襯底處理方法、半導體器件的制造方法、記錄介質及襯底處理裝置
[0001]本公開文本涉及襯底處理方法、半導體器件的制造方法、記錄介質及襯底處理裝置。
技術介紹
[0002]半導體器件的制造方法中，使用對襯底進行規定的工藝處理的襯底處理裝置。作為工藝處理，例如有依次供給多種氣體而進行的成膜處理(例如參見專利文獻1及專利文獻2)。
[0003]現有技術文獻
[0004]專利文獻
[0005]專利文獻1：日本專利第5384291號公報
[0006]專利文獻2：日本特開2016
?
9742號公報
技術實現思路
[0007]專利技術要解決的課題
[0008]對襯底進行規定的工藝處理時，根據形成于襯底上的膜的種類、供給的氣體的種類的不同，處理壓力、供給量等的最佳工藝條件也不同。因此，在使用上述這樣的襯底處理裝置的情況下，由于供給氣體的氣體供給口與襯底的距離固定，因而存在形成于襯底上的膜的面內均勻性變差的情況。
[0009]本公開文本的目的在于提供能夠提高形成于襯底上的膜的面內均勻性的技術。
[0010]用于解決課題的手段
[0011]根據本公開文本的一個方式，提供下述技術，其包括：
[0012]在下述襯底處理裝置中，
[0013]將襯底設定于距上述成膜輔助氣體供給部的氣體供給口的距離為第1距離的第1位置，供給成膜輔助氣體而使成膜輔助氣體吸附于上述襯底上的工序；和
[0014]使上述襯底移動至距上述原料氣體供給部的氣體供給口的距離為與上述第1距離不同的第2距離的第2位置，供給原料氣體而在上述襯底上形成所期望膜厚的薄膜的工序，
[0015]所述襯底處理裝置構成為具有：
[0016]處理襯底的處理室；
[0017]襯底支承部，其設置于上述處理室內；
[0018]成膜輔助氣體供給部，其在將襯底支承于上述襯底支承部的狀態下，向上述處理室供給成膜輔助氣體；和，
[0019]原料氣體供給部，其在將襯底支承于上述襯底支承部的狀態下，向上述處理室供給原料氣體。
[0020]專利技術的效果
[0021]根據本公開文本，能夠提高形成于襯底上的膜的面內均勻性。
附圖說明
[0022][圖1]為本公開文本的第1實施方式中優選使用的襯底處理裝置的概略構成圖，并且是以縱向剖視圖的形式示出處理爐部分的圖。
[0023][圖2]為本公開文本的第1實施方式中優選使用的襯底處理裝置的概略構成圖，是以縱向剖視圖的形式示出處理爐部分的圖，且是示出將襯底設定于第1位置的情況的圖。
[0024][圖3]為本公開文本的第1實施方式中優選使用的襯底處理裝置的控制器的概略構成圖，是以框圖的形式示出控制器的控制系統的圖。
[0025][圖4]為示出本公開文本的第1實施方式中優選使用的襯底處理順序的圖。
[0026][圖5]為示出本公開文本的第1實施方式中優選使用的襯底處理順序的變形例的圖。
[0027][圖6]為示出本公開文本的第1實施方式中優選使用的襯底處理順序的變形例的圖。
[0028][圖7]為本公開文本的第2實施方式中優選使用的襯底處理裝置的概略構成圖，是以縱向剖視圖的形式示出的圖。
[0029]附圖標記說明
[0030]100、300襯底處理裝置
[0031]202、302處理容器
[0032]212、310襯底載置臺(襯底支承部)
[0033]280控制器(控制部)
具體實施方式
[0034]以下，使用附圖對實施方式進行說明。需要說明的是，以下的說明中使用的附圖均為示意圖，附圖所示的各要素的尺寸關系、各要素的比率等并不一定與實際情況一致。另外，在多個附圖彼此之間，各要素的尺寸關系、各要素的比率等也不一定一致。
[0035][第1實施方式][0036](1)襯底處理裝置的構成
[0037]如圖1所示，襯底處理裝置100具備處理容器202。處理容器202構成為例如橫截面為圓形且扁平的密閉容器。另外，處理容器202由例如鋁(Al)、不銹鋼(SUS)等金屬材料構成。在作為處理室的處理容器202內，形成有對作為襯底的晶片W進行處理的處理空間205、和在將晶片W搬送至處理空間205時供晶片W通過的搬送空間206。處理容器202由上部容器202a和下部容器202b構成。在上部容器202a與下部容器202b之間，設置有分隔板208。
[0038]在下部容器202b的側面，設置有與閘閥149鄰接的襯底搬入搬出口204，晶片W經由襯底搬入搬出口204而在下部容器202b與未圖示的搬送室之間移動。在下部容器202b的底部，設置有多個提升銷207。
[0039]在處理空間205內配置有對晶片W進行支承的襯底支承部210。襯底支承部210主要具有載置晶片W的襯底載置面211、在表面具有襯底載置面211的襯底載置臺212、作為設置于襯底載置臺212內的加熱源的加熱器213。襯底載置臺212上的與提升銷207相對應的位置
上分別設有供提升銷207貫通的貫通孔214。加熱器213連接有加熱器控制部220，且根據控制器280的指示而加熱至所期望的溫度。
[0040]在處理空間205的上部(上游側)，設置有作為氣體分散機構的簇射頭230。在簇射頭230的蓋231上設置有氣體導入孔231a。氣體導入孔231a與后述的氣體供給管242連通。
[0041]簇射頭230具備用于使氣體分散的作為分散機構的分散板234。該分散板234的上游側為緩沖空間232，下游側為處理空間205。在分散板234上設置有作為氣體供給口的多個貫通孔234a。分散板234被配置成與襯底載置面211相對。分散板234例如構成為圓盤狀。貫通孔234a在遍及分散板234的整個表面的范圍內設置。
[0042]上部容器202a具有凸緣，在凸緣上載置并固定有支承塊233。支承塊233具有凸緣233a，在凸緣233a上載置并固定有分散板234。而且，蓋231固定于支承塊233的上表面。
[0043](氣體供給部)
[0044]以與設置于簇射頭230的蓋231的氣體導入孔231a連通的方式，在蓋231上連接有氣體供給管242。在氣體供給管242上，連接有第1氣體供給管243a、第2氣體供給管244a及第3氣體供給管245a。
[0045](第1氣體供給系統)
[0046]在第1氣體供給管243a上，自上游方向起，依次設置有第1氣體供給源243b、作為流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)243c、及作為開閉閥的閥243d。
[0047]從第1氣體供給管243a，經由MFC243c、閥243d、氣體供給管242、氣體導入孔231a、緩沖空間232、貫通孔234a而向處理空間205供給作為處理氣體的、對后述的第1原料氣體向晶片W表面上的吸附進行輔助的吸附輔助氣體。作為吸附輔助氣體，例如可使用本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.襯底處理方法，其包括：在下述襯底處理裝置中，將襯底設定于距成膜輔助氣體供給部的氣體供給口的距離為第1距離的第1位置，供給成膜輔助氣體而使成膜輔助氣體吸附于所述襯底上的工序；和，使所述襯底移動至距原料氣體供給部的氣體供給口的距離為與所述第1距離不同的第2距離的第2位置，供給原料氣體而在所述襯底上形成所期望膜厚的薄膜的工序，所述襯底處理裝置構成為具有：處理襯底的處理室；襯底支承部，其設置于所述處理室內；成膜輔助氣體供給部，其在將襯底支承于所述襯底支承部的狀態下，向所述處理室供給成膜輔助氣體；和，原料氣體供給部，其在將襯底支承于所述襯底支承部的狀態下，向所述處理室供給原料氣體。2.如權利要求1所述的方法，其中，所述原料氣體包含第1原料氣體和第2原料氣體，在所述襯底上形成所期望膜厚的薄膜的工序中，將包括下述工序的循環進行1次以上：供給所述第1原料氣體而使第1原料吸附于所述襯底上的工序；和，供給所述第2原料氣體而使吸附于所述襯底上的第1原料與第2原料反應的工序。3.如權利要求2所述的方法，其中，將包括下述工序的循環進行1次以上：使成膜輔助氣體吸附于所述襯底上的工序；和，在所述襯底上形成所期望膜厚的薄膜的工序。4.如權利要求2所述的方法，其中，所述成膜輔助氣體對所述第1原料氣體向所述襯底表面上的至少一部分的吸附進行輔助。5.如權利要求2所述的方法，其中，所述成膜輔助氣體阻礙所述第1原料氣體向所述襯底表面上的至少一部分的吸附。6.如權利要求1所述的方法，其中，所述成膜輔助氣體為吸附輔助氣體。7.如權利要求1所述的方法，其中，所述成膜輔助氣體為吸附阻礙氣體。8.如權利要求1所述的方法，其中，所述成膜輔助氣體為容易熱分解的氣體。9.襯底處理方法，其在下述襯底處理裝置中將包括下述工序的循環進行1次以上：將襯底設定于距成膜輔助氣體供給部的氣體供給口的距離為第1距離的第1位置，供給成膜輔助氣體而使成膜輔助氣體吸附于所述襯底上的工序；和，使所述襯底移動至...
【專利技術屬性】
技術研發人員：廣瀨義朗，
申請(專利權)人：株式會社國際電氣，
類型：發明
國別省市：
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