PIP封裝結構及其制作方法技術

本發明專利技術提供了一種PIP封裝結構及其制作方法，PIP封裝結構包括：中間封裝結構、多個電連接結構、外塑封層、第一預布線基板、第二預布線基板以及無源器件。將各種功能的單獨裸片或者多個裸片先進行一次封裝，即形成單個裸片的一次封裝或者裸片組件的一次封裝，實現一次再布線過程；之后將中間封裝結構進行二次封裝，形成PIP封裝結構。預布線基板包括復雜多電路，這些復雜多電路將中間封裝結構進行再布線，可提高整個PIP封裝結構的性能，還實現了將無源器件納入PIP封裝結構。預布線基板可在封裝之前進行測試，避免使用已知不良預布線基板。預布線基板為預制基板，其制作過程獨立于封裝過程，可節省整個封裝工藝的封裝時間。可節省整個封裝工藝的封裝時間。可節省整個封裝工藝的封裝時間。

【技術實現步驟摘要】
PIP封裝結構及其制作方法


[0001]本專利技術涉及芯片封裝
，尤其涉及一種PIP封裝結構及其制作方法。

技術介紹

[0002]隨著電子設備小型輕量化，具有緊湊結構、小體積的半導體封裝結構受到越來越多的市場青睞。
[0003]隨著芯片的集成度更高，實現的功能更加復雜，芯片的封裝在近年來呈現出越來越復雜的再布線需求，由此會產生因為芯片表面積太小而導致布線困難。另外，由于布線過于密集容易導致微細布線易產生短路，從而影響產品的良率，同時，芯片的使用壽命也較低；特別是在需要形成多層布線層的情況下由于工藝的復雜使過程難以管控。

技術實現思路

[0004]本專利技術的專利技術目的是提供一種PIP(Package in package，封裝體內堆疊封裝體)封裝結構及其制作方法，以解決相關技術中的問題。
[0005]為實現上述目的，本專利技術的第一方面提供一種PIP封裝結構，包括：
[0006]中間封裝結構，具有對外連接端；
[0007]多個電連接結構，位于所述中間封裝結構的側邊，所述電連接結構包括相對的第一端與第二端；
[0008]外塑封層，包覆所述中間封裝結構與所述多個電連接結構，所述外塑封層的正面暴露所述中間封裝結構的對外連接端與所述電連接結構的第一端，所述外塑封層的背面暴露所述電連接結構的第二端；
[0009]第一預布線基板，內設第一預布線線路，所述第一預布線線路包括第一正面電連接點與第一背面電連接點，所述第一正面電連接點暴露在所述第一預布線基板的正面，所述第一背面電連接點暴露在所述第一預布線基板的背面；所述第一預布線基板的背面與所述外塑封層的正面朝向相向；部分數目的所述第一背面電連接點連接于所述電連接結構的第一端，部分數目的所述第一背面電連接點連接于所述中間封裝結構的對外連接端；
[0010]第二預布線基板，內設第二預布線線路，所述第二預布線線路包括第二正面電連接點與第二背面電連接點，所述第二正面電連接點暴露在所述第二預布線基板的正面，所述第二背面電連接點暴露在所述第二預布線基板的背面；所述第二預布線基板的背面與所述外塑封層的背面朝向相向；所述第二背面電連接點連接于所述電連接結構的第二端；以及
[0011]無源器件，電連接于所述第一預布線基板的所述第一正面電連接點或所述第二預布線基板的所述第二正面電連接點。
[0012]可選地，所述中間封裝結構包括：第一裸片，所述第一裸片包括若干第一焊盤，所述第一焊盤位于所述第一裸片的活性面；內塑封層，包覆所述第一裸片，所述內塑封層的正面暴露所述第一裸片的活性面；第一內導電跡線，位于所述第一焊盤以及所述內塑封層的
正面上；第一內導電凸塊，連接于所述第一內導電跡線；以及第一內介電層，包埋所述第一內導電跡線與所述第一內導電凸塊，所述第一內導電凸塊暴露在所述第一內介電層外，所述第一內導電凸塊為所述對外連接端。
[0013]可選地，所述第一裸片的活性面覆蓋有第一保護層，所述第一保護層暴露所述第一焊盤；所述內塑封層的正面暴露所述第一保護層與所述第一焊盤；所述第一內導電跡線還位于所述第一保護層上。
[0014]可選地，所述中間封裝結構為MCM封裝結構，所述MCM封裝結構還包括：第二裸片，所述第二裸片包括若干第二焊盤，所述第二焊盤位于所述第二裸片的活性面；所述內塑封層還包覆所述第二裸片，所述內塑封層的正面還暴露所述第二裸片的活性面；所述第一內導電跡線還位于所述第二焊盤上，用于電連接所述第一裸片與所述第二裸片。
[0015]可選地，所述第一裸片的活性面覆蓋有第一保護層，所述第一保護層暴露所述第一焊盤；所述第二裸片的活性面覆蓋有第二保護層，所述第二保護層暴露所述第二焊盤；所述內塑封層的正面暴露所述第一保護層、所述第一焊盤、所述第二保護層與所述第二焊盤；所述第一內導電跡線位于所述第一保護層與所述第二保護層上。
[0016]可選地，所述電連接結構為導電柱或導電插塞。
[0017]可選地，所述中間封裝結構具有兩個或兩個以上。
[0018]可選地，所述中間封裝結構至少包括第一中間封裝結構與第二中間封裝結構，所述第一中間封裝結構為MCM封裝結構，所述第二中間封裝結構為單芯片封裝結構。
[0019]可選地，所述中間封裝結構還包括：第二內導電跡線，位于所述第一內導電凸塊與所述第一內介電層上；
[0020]第二內導電凸塊，連接于所述第二內導電跡線；
[0021]第二內介電層，包埋所述第二內導電跡線與所述第二內導電凸塊，所述第二內導電凸塊暴露在所述第二內介電層外；所述第二內導電凸塊連接于所述第一背面電連接點，所述第二內導電凸塊為所述對外連接端。
[0022]可選地，所述中間封裝結構還包括：第三內介電層，位于所述第一裸片的活性面、所述電連接結構的第一端以及所述內塑封層的正面；所述第三內介電層暴露所述第一焊盤與所述電連接結構的第一端；所述第一內導電跡線位于所述第一焊盤、所述電連接結構的第一端以及所述第三內介電層上。
[0023]可選地，還包括：第一外介電層，包埋所述第一預布線基板，所述第一預布線基板的正面暴露在所述第一外介電層外；和/或第二外介電層，包埋所述第二預布線基板，所述第二預布線基板的正面暴露在所述第二外介電層外。
[0024]本專利技術的第二方面提供一種PIP封裝結構的制作方法，包括：
[0025]提供多組第一待塑封件，每組所述第一待塑封件包括：中間封裝結構以及位于所述中間封裝結構的側邊的多個導電柱，所述中間封裝結構具有對外連接端；所述導電柱包括相對的第一端與第二端；
[0026]形成外塑封層，所述外塑封層包覆所述多組第一待塑封件，所述外塑封層的正面暴露各個所述中間封裝結構的對外連接端以及各個所述導電柱的第一端，所述外塑封層的背面暴露各個所述導電柱的第二端；
[0027]將各組所述第一待塑封件對應的各個所述第一預布線基板的背面連接于所述外
塑封層的正面，所述第一預布線基板內設有第一預布線線路，所述第一預布線線路包括第一正面電連接點與第一背面電連接點，所述第一正面電連接點暴露在所述第一預布線基板的正面，所述第一背面電連接點暴露在所述第一預布線基板的背面；每個所述第一預布線基板的部分數目的所述第一背面電連接點連接于組內的所述導電柱的第一端，部分數目的所述第一背面電連接點連接于組內的所述中間封裝結構的對外連接端；
[0028]將各組所述第一待塑封件對應的各個第二預布線基板的背面連接于所述外塑封層的背面；所述第二預布線基板內設有第二預布線線路，所述第二預布線線路包括第二正面電連接點與第二背面電連接點，所述第二正面電連接點暴露在所述第二預布線基板的正面，所述第二背面電連接點暴露在所述第二預布線基板的背面；每個所述第二預布線基板的所述第二背面電連接點連接于組內的所述導電柱的第二端；
[0029]將各個無源器件電連接于對應的所述第一預布線基板的所述第一正面電連接點或對應的所述第二預布線基板的所述第二正面電連接點；
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【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種PIP封裝結構，其特征在于，包括：中間封裝結構，具有對外連接端；多個電連接結構，位于所述中間封裝結構的側邊，所述電連接結構包括相對的第一端與第二端；外塑封層，包覆所述中間封裝結構與所述多個電連接結構，所述外塑封層的正面暴露所述中間封裝結構的對外連接端與所述電連接結構的第一端，所述外塑封層的背面暴露所述電連接結構的第二端；第一預布線基板，內設第一預布線線路，所述第一預布線線路包括第一正面電連接點與第一背面電連接點，所述第一正面電連接點暴露在所述第一預布線基板的正面，所述第一背面電連接點暴露在所述第一預布線基板的背面；所述第一預布線基板的背面與所述外塑封層的正面朝向相向；部分數目的所述第一背面電連接點連接于所述電連接結構的第一端，部分數目的所述第一背面電連接點連接于所述中間封裝結構的對外連接端；第二預布線基板，內設第二預布線線路，所述第二預布線線路包括第二正面電連接點與第二背面電連接點，所述第二正面電連接點暴露在所述第二預布線基板的正面，所述第二背面電連接點暴露在所述第二預布線基板的背面；所述第二預布線基板的背面與所述外塑封層的背面朝向相向；所述第二背面電連接點連接于所述電連接結構的第二端；以及無源器件，電連接于所述第一預布線基板的所述第一正面電連接點或所述第二預布線基板的所述第二正面電連接點。2.根據權利要求1所述的PIP封裝結構，其特征在于，所述中間封裝結構包括：第一裸片，所述第一裸片包括若干第一焊盤，所述第一焊盤位于所述第一裸片的活性面；內塑封層，包覆所述第一裸片，所述內塑封層的正面暴露所述第一裸片的活性面；第一內導電跡線，位于所述第一焊盤以及所述內塑封層的正面上；第一內導電凸塊，連接于所述第一內導電跡線；以及第一內介電層，包埋所述第一內導電跡線與所述第一內導電凸塊，所述第一內導電凸塊暴露在所述第一內介電層外，所述第一內導電凸塊為所述對外連接端。3.根據權利要求2所述的PIP封裝結構，其特征在于，所述第一裸片的活性面覆蓋有第一保護層，所述第一保護層暴露所述第一焊盤；所述內塑封層的正面暴露所述第一保護層與所述第一焊盤；所述第一內導電跡線還位于所述第一保護層上。4.根據權利要求2所述的PIP封裝結構，其特征在于，所述中間封裝結構為MCM封裝結構，所述MCM封裝結構還包括：第二裸片，所述第二裸片包括若干第二焊盤，所述第二焊盤位于所述第二裸片的活性面；所述內塑封層還包覆所述第二裸片，所述內塑封層的正面還暴露所述第二裸片的活性面；所述第一內導電跡線還位于所述第二焊盤上，用于電連接所述第一裸片與所述第二裸片。5.根據權利要求4所述的PIP封裝結構，其特征在于，所述第一裸片的活性面覆蓋有第一保護層，所述第一保護層暴露所述第一焊盤；所述第二裸片的活性面覆蓋有第二保護層，所述第二保護層暴露所述第二焊盤；所述內塑封層的正面暴露所述第一保護層、所述第一焊盤、所述第二保護層與所述第二焊盤；所述第一內導電跡線位于所述第一保護層與所述第二保護層上。6.根據權利要求1所述的PIP封裝結構，其特征在于，所述電連接結構為導電柱或導電插塞。
7.根據權利要求1所述的PIP封裝結構，其特征在于，所述中間封裝結構具有兩個或兩個以上。8.根據權利要求7所述的PIP封裝結構，其特征在于，所述中間封裝結構至少包括第一中間封裝結構與第二中間封裝結構，所述第一中間封裝結構為MCM封裝結構，所述第二中間封裝結構為單芯片封裝結構。9.根據權利要求2所述的PIP封裝結構，其特征在于，所述中間封裝結構還包括：第二內導電跡線，位于所述第一內導電凸塊與所述第一內介電層上；第二內導電凸塊，連接于所述第二內導電跡線；第二內介電層，包埋所述第二內導電跡線與所述第二內導電凸塊，所述第二內導電凸塊暴露在所述第二內介電層外，所述第二內導電凸塊為所述對外連接端。10.根據權利要求2所述的PIP封裝結構，其特征在于，所述中間封裝結構還包括：第三內介電層，位于所述第一裸片的活性面、所述電連接結構的第一端以及所述內塑封層的正面；所述第三內介電層暴露所述第一焊盤與所述電連接結構的第一端；所述第一內導電跡線位于所述第一焊盤、所述電連接結構的第一端以及所述第三內介電層上。11.根據權利要求1所述的PIP封裝結構，其特征在于，還包括：第一外介電層，包埋所述第一預布線基板，所述第一預布線基板的正面暴露在所述第一外介電層外；和/或第二外介電層，包埋所述第二預布線基板，所述第二預布線基板的正面暴露在所述第二外介電層外。12.一種PIP封裝結構的制作方法，其特征在于，包括：提供多組第一待塑封件，每組所述第一待塑封件包括：中間封裝結構以及位于所述中間封裝結構的側邊的多個導電柱，所述中間封裝結構具有對外連接端；所述導電柱包括相對的第一端與第二端；形成外塑封層，所述外塑封層包覆所述多組第一待塑封件，所述外塑封層的正面暴露各個所述中間封裝結構的對外連接端以及各個所述導電柱的第一端，所述外塑封層的背面暴露各個所述導電柱的第二端；將各組所述第一待塑封件對應的各個第一預布線基板的背面連接于所述外塑封層的正面；所述第一預布線基板內設有第一預布線線路，所述第一預布線線路包括第一正面電連接點與第一背面電連接點，所述第一正面電連接點暴露在所述第一預布線基板的正面，所述第一背面電連接點暴露在所述第一預布線基板的背面；每個所述第一預布線基板的部分數目的所述第一背面電連接點連接于組內的所述導電柱的第一端，部分數目的所述第一背面電連接點連接于組內的所述中間封裝結構的對外連接端；將各組所述第一待塑封件對應的各個第二預布線基板的背面連接于所述外塑封層的背面；所述第二預布線基板內設有第二預布線線路，所述第二預布線線路包括第二正面電連接點與第二背面電連接點，所述第二正面電連接點暴露在所述第二預布線基板的正面，所述第二背面電連接點暴露在所述第二預布線基板的背面；每個所述第二預布線基板的所述第二背面電連接點連接于組內的所述導電柱的第二端；將各個無源器件電連接于對應的所述第一預布線基板的所述第一正面電連接點或對應的所述第二預布線基板的所述第二正面電連接點；切割形成多個PIP封裝結構，每個所述PIP封裝結構包括一組所述第一待塑封件。13.根據權利要求12所述的PIP封裝結構的制作方法，其特征在于...

【專利技術屬性】
技術研發人員：周輝星，
申請(專利權)人：矽磐微電子重慶有限公司，
類型：發明
國別省市：