蒸鍍掩模單元的制造方法技術

本發(fā)明專利技術提供一種容易進行位置修正的蒸鍍掩模單元的制造方法。本發(fā)明專利技術的蒸鍍掩模單元的制造方法包括：在支承基板上形成剝離層的步驟；基于曝光數(shù)據(jù)，在所述剝離層上形成抗蝕劑圖案的步驟；和在所述剝離層上的沒有形成所述抗蝕劑圖案的區(qū)域形成金屬圖案的步驟，所述曝光數(shù)據(jù)基于參數(shù)進行了修正，其中，所述參數(shù)用于對平行四邊形畸變、長邊畸變和短邊畸變中的至少一者進行修正。至少一者進行修正。至少一者進行修正。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
蒸鍍掩模單元的制造方法


[0001]本專利技術的一個實施方式涉及蒸鍍掩模單元的制造方法。

技術介紹

[0002]作為平板型顯示裝置，可以列舉液晶顯示裝置和有機電致發(fā)光顯示裝置。這些顯示裝置是在基板上層疊絕緣體、半導體、導電體等包含各種材料的薄膜而得到的結構體，通過將這些薄膜適當?shù)剡M行圖案化并連接，能夠實現(xiàn)作為顯示裝置的功能。
[0003]形成薄膜的方法大致可以分為氣相法、液相法、固相法。氣相法可以分為物理氣相法和化學氣相法，作為物理氣相法的例子，已知有蒸鍍法。蒸鍍法中最簡便的方法是真空蒸鍍法，通過在高真空下對材料進行加熱，使材料升華或蒸發(fā)(下面將升華和蒸發(fā)統(tǒng)稱為氣化)而生成材料的蒸氣，通過使該蒸氣在目標區(qū)域(下面稱為蒸鍍區(qū)域)進行固化、沉積，能夠獲得材料的薄膜。此時，為了有選擇地在蒸鍍區(qū)域形成薄膜，并且不使材料沉積在蒸鍍區(qū)域以外的區(qū)域(下面稱為非蒸鍍區(qū)域)，可以使用將非蒸鍍區(qū)域物理遮蔽的掩模(參照專利文獻1、2)。該掩模被稱為蒸鍍掩模等。
[0004]現(xiàn)有技術文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻1：日本特開2009
?
87840號公報
[0007]專利文獻2：日本特開2013
?
209710號公報

技術實現(xiàn)思路

[0008]專利技術要解決的技術問題
[0009]蒸鍍掩模一般是通過在由SUS等構成的基板上涂敷抗蝕劑后，利用使用光掩模的光刻法在基板上形成抗蝕劑圖案，利用鍍敷在基板上形成金屬膜來制作的。利用鍍敷形成的金屬膜例如由鎳(Ni)或作為含鎳的合金的因瓦合金(Fe/Ni合金)等構成。這樣的金屬膜的應力會由于金屬膜中包含的添加劑和/或雜質量等而發(fā)生變化，因此，有時在制造出的每個金屬膜中會產生應力差。由于該應力差，每個蒸鍍掩模的開口尺寸位置會發(fā)生偏差，顯示裝置的成品率有時會下降。為了防止成品率的下降，需要每天進行光掩模的更換和/或在曝光機中的位置修正。但是，光掩模的制作需要1～2周的前置時間(lead time)，而且制作會花費成本。因此，難以應用與蒸鍍掩模的每天的應力變化相應的位置修正。
[0010]本專利技術的一個實施方式要解決的技術問題之一是提供一種容易進行位置修正的蒸鍍掩模單元的制造方法。例如，本專利技術的一個實施方式要解決的技術問題之一是提供一種用于高效率、高成品率、并且低成本地制造蒸鍍掩模單元的方法。
[0011]用于解決技術問題的手段
[0012]本專利技術的一個實施方式的蒸鍍掩模單元的制造方法包括：在支承基板上形成剝離層的步驟；基于曝光數(shù)據(jù)，在所述剝離層上形成抗蝕劑圖案的步驟；和在所述剝離層上的沒有形成所述抗蝕劑圖案的區(qū)域形成金屬圖案的步驟，所述曝光數(shù)據(jù)基于參數(shù)進行了修正，
其中，所述參數(shù)用于對平行四邊形畸變、長邊畸變和短邊畸變中的至少一者進行修正。
[0013]本專利技術的一個實施方式的蒸鍍掩模單元的制造方法包括：在支承基板上形成剝離層的步驟；基于曝光數(shù)據(jù)，在所述剝離層上形成抗蝕劑圖案的步驟；和在所述剝離層上的沒有形成所述抗蝕劑圖案的區(qū)域形成金屬圖案的步驟，所述曝光數(shù)據(jù)基于修正值進行了修正，其中，所述修正值是基于過去制造的蒸鍍掩模單元與想要的蒸鍍掩模單元之間的偏差的大小而得到的。
附圖說明
[0014]圖1A是能夠應用利用本專利技術的一個實施方式的方法制造的蒸鍍掩模單元的蒸鍍裝置的俯視示意圖。
[0015]圖1B是能夠應用利用本專利技術的一個實施方式的方法制造的蒸鍍掩模單元的蒸鍍裝置的側視示意圖。
[0016]圖2是利用本專利技術的一個實施方式的方法制造的蒸鍍掩模單元的俯視示意圖。
[0017]圖3A是表示本專利技術的一個實施方式的蒸鍍掩模單元的制造方法的截面示意圖。
[0018]圖3B是表示本專利技術的一個實施方式的蒸鍍掩模單元的制造方法的截面示意圖。
[0019]圖3C是表示本專利技術的一個實施方式的蒸鍍掩模單元的制造方法的截面示意圖。
[0020]圖3D是表示本專利技術的一個實施方式的蒸鍍掩模單元的制造方法的截面示意圖。
[0021]圖3E是表示本專利技術的一個實施方式的蒸鍍掩模單元的制造方法的截面示意圖。
[0022]圖3F是表示本專利技術的一個實施方式的蒸鍍掩模單元的制造方法的截面示意圖。
[0023]圖3G是表示本專利技術的一個實施方式的蒸鍍掩模單元的制造方法的截面示意圖。
[0024]圖3H是表示本專利技術的一個實施方式的蒸鍍掩模單元的制造方法的截面示意圖。
[0025]圖3I是表示本專利技術的一個實施方式的蒸鍍掩模單元的制造方法的截面示意圖。
[0026]圖3J是表示本專利技術的一個實施方式的蒸鍍掩模單元的制造方法的截面示意圖。
[0027]圖3K是表示本專利技術的一個實施方式的蒸鍍掩模單元的制造方法的截面示意圖。
[0028]圖3L是表示本專利技術的一個實施方式的蒸鍍掩模單元的制造方法的截面示意圖。
[0029]圖4是表示將掩模圖案配置在xy坐標平面上的情況的圖。
[0030]圖5是表示將掩模圖案配置在xy坐標平面上的情況的圖。
[0031]附圖標記說明
[0032]100：蒸鍍掩模單元，102：蒸鍍掩模組，102a：蒸鍍掩模，104：開口部，110：支承框架，110a：窗，160：蒸鍍腔室，162：負載鎖定門，164：蒸鍍源，166：開閉門，168：移動機構，170：保持件，180：基板，301：支承基板，303：剝離層，305：抗蝕劑圖案，307：掩模圖案，308：虛設圖案，309：抗蝕劑圖案，311：接合層，317：連接部。
具體實施方式
[0033]下面，參照附圖等對本專利技術的各實施方式進行說明。但是，本專利技術可以在不脫離其主旨的范圍內以各種方式實施，不應限定于下面例示的實施方式的記載內容來解釋。
[0034]為了使說明更明確，有時附圖與實際的方式相比，示意性地表示各部分的寬度、厚度、形狀等，但是，附圖只不過是一個例子，并不是對本專利技術的解釋進行限定。在本說明書和各圖中，對于與關于已經出現(xiàn)的圖在前面說明過的構成要素相同的構成要素，有時標注相
同的附圖標記而適當省略重復說明。
[0035]在本說明書和權利要求書中，在表達在某個結構體上配置另一個結構體的方式時，在僅記載為“在
……
上”的情況下，只要沒有特別說明，就認為包含下述兩種情況：以與某個結構體接觸的方式，在該結構體的正上方配置另一個結構體的情況；和在某個結構體的上方，隔著其它結構體配置另一個結構體的情況。
[0036]下面，“某個結構體從另一個結構體露出”的表述，是指某個結構體的一部分沒有被另一個結構體覆蓋的方式，也包括該沒有被另一個結構體覆蓋的部分被其它結構體覆蓋的方式。
[0037]下面，對本專利技術的一個實施方式的蒸鍍掩模單元100的制造方法進行說明。
[0038](第1實施方式)
[0039][蒸鍍裝置][0040]利用本制造方法制造的蒸鍍掩模單本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種蒸鍍掩模單元的制造方法，其特征在于，包括：在支承基板上形成剝離層的步驟；基于曝光數(shù)據(jù)，在所述剝離層上形成抗蝕劑圖案的步驟；和在所述剝離層上的沒有形成所述抗蝕劑圖案的區(qū)域形成金屬圖案的步驟，所述曝光數(shù)據(jù)基于參數(shù)進行了修正，其中，所述參數(shù)用于對平行四邊形畸變、長邊畸變和短邊畸變中的至少一者進行修正。2.如權利要求1所述的蒸鍍掩模單元的制造方法，其特征在于：所述參數(shù)能夠基于過去制造的蒸鍍掩模單元的平行四邊形畸變的大小、長邊畸變的大小或短邊畸變的大小進行變更。3.如權利要求2所述的蒸鍍掩模單元的制造方法，其特征在于：所述過去制造的蒸鍍掩模單元是緊接著當前制造的蒸鍍掩模單元之前制造的蒸鍍掩模單元。4.如權利...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：山田哲行，
申請(專利權)人：株式會社日本顯示器，
類型：發(fā)明
國別省市：