本實用新型專利技術公開了一種改善腔體加熱效果的裝置，針對等離子刻蝕設備通過電熱絲加熱腔體內受熱不均的問題，提供了以下技術方案，包括密封腔體和設置于密封腔體內的載片臺，載片臺通過支撐架懸掛固定于密封腔體的內部，密封腔體的底部開設透光口，透光口遠離載片臺的方向設置多個加熱燈泡，加熱燈泡的周側設置用于反射光源至等離子蝕刻加工區域的反射鏡。通過設置多個加熱燈泡，通過燈泡的光傳熱代替電熱絲加熱，能夠大幅提高傳熱效率和傳熱效果，有助于保證密封腔體內的溫度分布均勻，提高設備的生產效率；通過設置反射鏡，能夠使光線全部匯聚到蝕刻加工區域，有助于提高能源利用效率，同時通過反射鏡匯聚光線，還能夠增強加熱光源的升溫能力。光源的升溫能力。光源的升溫能力。
【技術實現步驟摘要】
一種改善腔體加熱效果的裝置
[0001]本技術涉及等離子蝕刻領域，更具體地說，它涉及一種改善腔體加熱效果的裝置。
技術介紹
[0002]等離子蝕刻，是干法蝕刻中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區域的氣體形成等離子體，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力量與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。
[0003]進行干式蝕刻工藝的設備包括反應室、射頻、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應室。氣體被導入通過射頻激發成等離子體。等離子體在工件表面發生反應，反應的揮發性副產物被真空泵抽走。溫度是影響蝕刻速率及副產物揮發速率的一大因素。
[0004]目前，授權公告號為CN214099574U的中國專利公開了一種等離子刻蝕裝置，它包括刻蝕腔，刻蝕腔內設置有晶圓托盤和與晶圓托盤相對設置的上電極，晶圓托盤用于支撐并夾持待刻蝕的晶圓，上電極用于通入刻蝕氣體并解離通入的刻蝕氣體形成等離子體；刻蝕腔的腔體壁中設置有加熱模塊。
[0005]這種等離子刻蝕裝置雖然通過對腔體壁進行加熱，從而使腔體內保持一定的溫度，但腔體內受熱不均，容易造成蝕刻效率低、蝕刻不均勻的現象。
技術實現思路
[0006]針對現有技術存在的不足，本技術的目的在于提供一種改善腔體加熱效果的裝置，具有升溫快且能夠保證腔體內溫度分布均勻的優點。
[0007]為實現上述目的，本技術提供了如下技術方案：
[0008]一種改善腔體加熱效果的裝置，包括密封腔體和設置于密封腔體內的載片臺，載片臺通過支撐架懸掛固定于密封腔體的內部，密封腔體的底部開設透光口，透光口遠離載片臺的方向設置多個加熱燈泡，加熱燈泡的周側設置用于反射光源至等離子蝕刻加工區域的反射鏡。
[0009]采用上述技術方案，通過設置多個加熱燈泡，通過燈泡的光傳熱代替電熱絲加熱，能夠大幅提高傳熱效率和傳熱效果，有助于保證密封腔體內的溫度分布均勻，同時還能夠減少等離子蝕刻設備的預熱時間，提高設備的生產效率；通過設置反射鏡，能夠使光線全部匯聚到蝕刻加工區域，減少熱源的損失，有助于提高能源利用效率，節能減排，同時通過反射鏡匯聚光線，還能夠增強加熱光源的升溫能力，提高密封腔體內的溫度，進一步提高設備的蝕刻速度和蝕刻效果，有助于提高設備的加工效率及良品率。
[0010]進一步，所述透光口中嵌入設置用于封閉密封腔體的擋板，所述擋板的材料為透光材料。
[0011]擋板采用透光材料，能夠防止擋板對于光線的產生阻擋效果，防止因設置擋板對
加熱產生影響，同時擋板和密封腔體能夠阻擋粒子束，防止粒子束損壞加熱燈炮，有助于保證設備的正常運行。
[0012]進一步，加熱燈泡的排列方式為環形排列。
[0013]采用上述技術方案，加熱燈泡采用環形排列的方式進行排列安裝，能夠使光源分布更加均勻，使傳遞到加工區域的光線的分布保持均勻，有助于進一步保證腔體內的溫度分布均勻，提高裝置的加熱效果和傳熱效率。
[0014]進一步，密封腔體的外壁設置溫度檢測器。
[0015]采用上述技術方案，便于監控密封腔體內的溫度，便于操作人員或中空電腦能夠根據腔體內的溫度調整加熱燈泡的發熱功率，防止腔體內溫度不達標，有助于增強裝置的運行穩定性；由于溫度檢測器設置于密封腔體的外壁，密封腔體內的粒子束不會對溫度檢測器產生影響，有助于保證溫度檢測器的正常運行。
[0016]進一步，密封腔體外設置保溫層。
[0017]采用上述技術方案，通過在密封腔體外設置保溫層，能夠防止密封腔體內熱量散失，有助于進一步保證腔體內溫度能夠保持穩定，減少能源的投入，便于進一步實現節能減排。
[0018]進一步，載片臺中安裝有電熱元件。
[0019]采用上述技術方案，通過在載片臺中安裝電熱組件，能夠進行輔助加熱，進一步提高加熱效率。
[0020]進一步，電熱元件的電源線設置于支撐架內并從通過支撐架從密封腔體內引出。
[0021]采用上述技術方案，通過將電熱元件的電源線設置在支撐架內，能夠有效減少電子束對電源線產生的影響，有助于保證電熱元件正常運行。
[0022]綜上所述，本技術具有以下有益效果：
[0023]1.本裝置能夠保證密封腔體內溫度分布均勻，提高等離子蝕刻設備的蝕刻效率和蝕刻效果；
[0024]2.本裝置升溫快，加熱效率高；
[0025]3.本裝置保溫效果好，能夠減少熱量損耗，實現裝置節能減排。
附圖說明
[0026]圖1為本技術中一種改善腔體加熱效果的裝置的剖面圖；
[0027]圖2為本技術中加熱燈泡的排布方式的示意圖；
[0028]圖中：1、密封腔體；2、保溫層；3、溫度檢測器；4、載片臺；5、電熱元件；6、電源線；7、擋板；8、反射鏡；9、加熱燈炮；10、支撐架；11、安裝腔；12、透光口。
具體實施方式
[0029]下面結合附圖及實施例，對本技術進行詳細描述。
[0030]本具體實施例僅僅是對本技術的解釋，其并不是對本技術的限制，本領域技術人員在閱讀完本說明書后可以根據需要對本實施例做出沒有創造性貢獻的修改，但只要在本技術的權利要求范圍內都受到專利法的保護。
[0031]參見圖1，一種改善腔體加熱效果的裝置，包括密封腔體1和設置于密封腔體1內的
載片臺4，載片臺4通過支撐架10懸掛固定于密封腔體1的內部，密封腔體1的底部開設透光口12，透光口12遠離載片臺的方向設置多個加熱燈泡9，加熱燈泡9的周側設置用于反射光源至等離子蝕刻加工區域的反射鏡8。密封腔體1的外壁設置用于檢測密封腔體1溫度的溫度檢測器3。
[0032]具體的，參見圖1，密封腔體1為立方體的腔體，作為等離子蝕刻的加工場所，加工前密封腔體1需要抽真空。密封腔體1外包覆有一層保溫層2，保溫層2采用聚氨酯發泡塑料，具有良好的保溫隔熱性能。載片臺4為圓柱形的金屬柱體，采用鋁合金材料制作，載片臺4設置于密封腔體1的中心位置，載片臺4的底部通過鏤空的支撐架10固定在密封腔體1的腔體側壁，支撐架10為鋁合金材質的金屬架體。載片臺4的頂面面積大小大于晶圓的面積大小，晶圓能夠穩固度地被放置于載片臺4上。載片臺4中設置用于輔助加熱的電熱元件5，電熱元件5采用陶瓷加熱棒，能夠對載片臺4進行輔助加熱，能夠進一步提高裝置的加熱效果，電熱元件5的電源線6設置于支撐架10的內部，并通過支撐架10從密封腔體1內引出。
[0033]參見圖1至圖2，密封腔體1的底部固定連接用于安裝加熱燈炮9的安裝腔11，加熱燈泡9呈環形排列的方式安裝于安裝腔11上，加熱燈泡9共有九個，其中安裝腔11的中心位置處設置一個加熱燈泡9，其余八個加熱燈泡9呈環形分布于位于中心處的加熱燈泡9的周圍，這八個加熱燈泡9等距分布。在這九個加熱燈泡9外設置有一個圈型的反射鏡8，反射鏡8呈斗狀，與安裝腔11固定連接，反射鏡8采用金屬反射鏡，具有本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種改善腔體加熱效果的裝置，包括密封腔體(1)和設置于密封腔體(1)內的載片臺(4)，其特征在于：所述載片臺(4)通過支撐架(10)懸掛固定于密封腔體(1)的內部，所述密封腔體(1)的底部開設透光口(12)，所述透光口(12)遠離載片臺的方向設置多個加熱燈泡(9)，所述加熱燈泡(9)的周側設置用于反射光源至等離子蝕刻加工區域的反射鏡(8)。2.根據權利要求1所述的一種改善腔體加熱效果的裝置，其特征在于：所述透光口(12)中嵌入設置用于封閉密封腔體(1)的擋板(7)，所述擋板(7)的材料為透光材料。3.根據權利要求1所述的一種改善腔體加熱效果...
【專利技術屬性】
技術研發人員：方亮，王吉奎，翁林，
申請(專利權)人：無錫宇邦半導體科技有限公司，
類型：新型
國別省市：
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