本發明專利技術提供了一種晶圓加熱裝置及加熱方法，包括：腔體；若干頂針，位于所述腔體內，用于承載晶圓，且所述頂針內設置有用于吸附所述晶圓的真空吸附孔；加熱板，位于所述腔體的內壁上，用于加熱所述晶圓，在本發明專利技術提供的晶圓加熱裝置中，將待加熱的晶圓放置在腔體內的頂針上，所述腔體內壁上的加熱板通過熱對流的方式提高所述腔體內的溫度，間接對所述晶圓進行加熱，或者通過熱輻射的方式加熱所述晶圓，加熱過程中所述晶圓不與所述加熱板接觸，避免所述加熱板上的顆粒污染所述晶圓。加熱板上的顆粒污染所述晶圓。加熱板上的顆粒污染所述晶圓。
【技術實現步驟摘要】
一種晶圓加熱裝置及加熱方法
[0001]本專利技術涉及半導體制造
，尤其涉及一種晶圓加熱裝置及加熱方法。
技術介紹
[0002]在半導體工藝制程中，通常采用光刻工藝在晶圓上形成圖形，對所述晶圓上進行光刻膠的涂布及曝光后，需要對光刻膠進行曝光后烘焙(PEB，Post exposure back)，以提高光刻膠的粘附性并促進光刻膠中化學反應的進行，提高光刻膠在離子注入或刻蝕工藝中對晶圓的保護能力。
[0003]現有的晶圓加熱裝置通常將晶圓直接放置在加熱板上，通過熱傳導的方式對所述晶圓進行加熱，但晶圓與加熱板接觸的過程中容易吸附加熱板上的污染物，造成晶圓的污染。
技術實現思路
[0004]本專利技術的目的在于提供一種晶圓加熱裝置及加熱方法，以解決現有晶圓加熱裝置對晶圓進行加熱時會導致晶圓污染的問題。
[0005]為了達到上述目的，本專利技術提供了一種晶圓加熱裝置，包括：
[0006]腔體；
[0007]若干頂針，位于所述腔體內，用于承載晶圓，且所述頂針內設置有用于吸附所述晶圓的真空吸附孔；
[0008]加熱板，位于所述腔體的內壁上，用于加熱所述晶圓。
[0009]可選的，所述加熱板位于所述腔體的頂壁及底壁上。
[0010]可選的，還包括：
[0011]若干進氣孔，位于所述腔體的內壁上，用于向所述腔體內通入預定溫度的保護氣體。
[0012]可選的，所述預定溫度為80℃～100℃。
[0013]可選的，還包括：
[0014]開口，位于所述腔體上，用于供所述晶圓進出；
[0015]蓋板，位于所述腔體上，用于封閉所述開口，當所述蓋板封閉所述開口時，所述腔體密閉。
[0016]可選的，還包括：
[0017]抽氣孔，位于所述腔體的內壁上，并連接一外部抽氣裝置，用于將所述腔體內的氣體抽出。
[0018]可選的，還包括：
[0019]機械臂，位于所述腔體外，用于夾持并轉移所述晶圓。
[0020]本專利技術還提供一種利用所述的晶圓加熱裝置對晶圓進行加熱的方法，包括：
[0021]將晶圓放置在若干頂針上，所述頂針吸附所述晶圓；
[0022]加熱板對所述晶圓進行加熱。
[0023]可選的，腔體的內壁上還具有若干進氣孔，所述加熱板對所述晶圓進行加熱的同時，通過所述進氣孔向所述腔體內部通入預定溫度的保護氣體。
[0024]可選的，所述腔體的內壁上還具有抽氣孔，對所述晶圓加熱之前通過所述抽氣孔將所述腔體內的氣體抽出。
[0025]在本專利技術提供的晶圓加熱裝置中，將待加熱的晶圓放置在腔體內的頂針上，所述腔體內壁上的加熱板通過熱對流的方式提高所述腔體內的溫度，間接對所述晶圓進行加熱，或者通過熱輻射的方式加熱所述晶圓，加熱過程中所述晶圓不與所述加熱板接觸，避免所述加熱板上的顆粒污染所述晶圓。
[0026]進一步地，，在所述腔體的內壁上設置若干進氣孔，在所述加熱板對所述晶圓進行加熱的同時，通過所述進氣孔向所述腔體內通入預定溫度的保護氣體，加快所述腔體內部的氣體流速，進而提高所述腔體升溫的速度，同時，通入所述保護氣體還可以均勻所述腔體內的溫度，使所述晶圓受熱更加均勻。
[0027]進一步地，所述腔體的內壁上設置有抽氣孔，在對所述晶圓進行加熱之前，通過所述抽氣孔將所述腔體內的空氣抽出，使所述腔體內呈真空狀態，使所述加熱板上的熱量可以更好更高效的傳遞到所述晶圓上，提高對所述晶圓加熱的速度。
[0028]進一步地，在所述腔體上還設置有供所述晶圓出入的開口及用于封閉所述開口的蓋板，當所述蓋板封閉所述開口時所述腔體密閉，以減少對所述晶圓加熱過程中的熱量損失。
[0029]進一步地，在所述腔體的頂壁及底壁同時設置所述加熱板可以進一步提高所述晶圓受熱的均勻性，以取得更好的加熱效果。
附圖說明
[0030]圖1為本專利技術實施例一提供晶圓加熱裝置的結構圖；
[0031]圖2為本專利技術實施例一提供的晶圓加熱方法的流程圖；
[0032]圖3為本專利技術實施例二提供的晶圓加熱裝置的結構圖；
[0033]其中，附圖標記為：
[0034]100
?
晶圓；101
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腔體；102
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頂針；103
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開口；104
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加熱板；105
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進氣孔；106
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蓋板；107
?
抽氣孔。
具體實施方式
[0035]下面將結合示意圖對本專利技術的具體實施方式進行更詳細的描述。根據下列描述，本專利技術的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本專利技術實施例的目的。
[0036]在下文中，術語“第一”“第二”等用于在類似要素之間進行區分，且未必是用于描述特定次序或時間順序。要理解，在適當情況下，如此使用的這些術語可替換。類似的，如果本文所述的方法包括一系列步驟，且本文所呈現的這些步驟并非必須是可執行這些步驟的唯一順序，且一些所述的步驟可被省略和/或一些文本未描述的其它步驟可被添加到該方法。
[0037]實施例一
[0038]圖1為本實施例提供的晶圓加熱裝置的結構示意圖，如圖1所示，所述晶圓加熱裝置包括：腔體101、若干頂針102及加熱板104。
[0039]具體的，若干所述頂針102位于所述腔體101內，且所述頂針102內設置有用于吸附所述晶圓100背部的真空吸附孔；所述加熱板104位于所述腔體101的內壁上，用于加熱所述晶圓100。
[0040]本實施例所述晶圓加熱裝置還包括：開口103及機械臂。所述開口103位于所述腔體101上，用于供所述晶圓100進出；所述機械臂位于所述腔體101外，用于夾持所述晶圓100并帶動所述晶圓100進出所述腔體101。
[0041]在所述晶圓100上形成光刻膠層后，所述機械臂夾持所述晶圓100通過所述開口103將所述晶圓100放置在所述頂針102上；所述頂針102吸附并固定所述晶圓100，所述加熱板104開始加熱，靠近所述加熱板104的空氣會被首先加熱，與遠離所述加熱板104的空氣形成熱對流，進而快速提升所述腔體101內部的溫度，以加熱所述晶圓100及所述晶圓100上的光刻膠層，由于加熱過程中所述晶圓100不與所述加熱板104接觸，因此可以也有限避免所述加熱板104上的顆粒污染所述晶圓100。
[0042]當對所述晶圓100加熱結束后，所述機械臂通過所述開口103將所述晶圓100移出所述腔體101，并夾持所述晶圓100直至所述晶圓的溫度降至室溫(22℃～25℃)。
[0043]參閱圖1，本實施例中所述加熱板104位于所述腔體101的頂壁及底壁上，同時加熱所述晶圓100的正面及背面，提高加熱速度的同時使所述晶圓及所述光刻膠層受熱更加均勻，進而保證加熱后所述光刻膠層內化學性質的均勻性。
...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種晶圓加熱裝置，其特征在于，包括：腔體；若干頂針，位于所述腔體內，用于承載晶圓，且所述頂針內設置有用于吸附所述晶圓的真空吸附孔；加熱板，位于所述腔體的內壁上，用于加熱所述晶圓。2.如權利要求1所述的晶圓加熱裝置，其特征在于，所述加熱板位于所述腔體的頂壁及底壁上。3.如權利要求1所述的晶圓加熱裝置，其特征在于，還包括：若干進氣孔，位于所述腔體的內壁上，用于向所述腔體內通入預定溫度的保護氣體。4.如權利要求3所述的晶圓加熱裝置，其特征在于，所述預定溫度為80℃～100℃。5.如權利要求1所述的晶圓加熱裝置，其特征在于，還包括：開口，位于所述腔體上，用于供所述晶圓進出；蓋板，位于所述腔體上，用于封閉所述開口，當所述蓋板封閉所述開口時，所述腔體密閉。6.如權利要求5所述的晶圓加熱裝置，其特征在于，...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張弛，陳成，
申請(專利權)人：上海華力微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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