一種sheet掩膜版的制作方法技術

本申請公開了一種sheet掩膜版的制作方法，包括以下步驟：S1:取厚度為h0的基材,金屬基材的A面為上表面，B面為下表面；S2:在基材上涂覆光阻膜，曝光，顯影，蝕刻后形成基板，基板包括有效區和將有效區包圍在內的輔助區，有效區與輔助區之間設有焊接區，有效區為由橫向骨架和縱向骨架形成的鏤空的網格狀；S3:對S2形成的基板減薄處理。本申請方法制成的掩膜版張網焊接時用較小的拉力可以使sheet整平，使得F

【技術實現步驟摘要】
一種sheet掩膜版的制作方法


[0001]本申請涉及蒸鍍領域，特別涉及一種sheet掩膜版的制作方法及一種F
?
mask掩膜版的制作方法。

技術介紹

[0002]有機電致發光器件(OLED)由于具有亮度高、色彩飽和、輕薄、可彎曲等優點在顯示面板領域占比逐漸增大。
[0003]OLED或AMOLED制程工藝中，蒸鍍為決定OLED或AMOLED性能關鍵的工藝之一，與蒸鍍系統配合的掩膜版(Mask)是決定蒸鍍系統性能的關鍵，FMM的主要作用是在OLED生產過程中沉積RGB有機物質并形成像素，準確和精細地沉淀有機物質，提高分辨率和良率。FMM的開孔直接決定OLED顯示屏的像素高低，開孔越小，像素越高。
[0004]FMM在使用過程中，由于重力和受熱膨脹的原因，會有500μm的下垂量，下垂量越大，造成的混色的比例和風險越大，分辨率越高，影響越嚴重。在實際生產過程中，為了減少下垂量，采用F
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mask(由Frame和sheet組成)來支撐FMM。由于F
?
mask剛度大，下垂量比FMM小，約為200μm。F
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mask的使用在一定程度上減少了FMM的下垂量，降低了混色的比例和影響程度。但是現有的F
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mask使用后蒸鍍質量的穩定性較差。
[0005]上述
技術介紹
是為了便于理解本專利技術，并非是申請本專利技術之前已向普通公眾公開的公知技術。

技術實現思路

[0006]基于上述問題，本申請提供一種sheet掩膜版的制作方法，該方法制作的掩膜版張網焊接時用較小的拉力可以使sheet整平，使得F
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mask本體不易發生變形，從而提高了蒸鍍質量的穩定性。
[0007]一種sheet掩膜版的制作方法，包括以下步驟：
[0008]S1:取厚度為h0的基材,金屬基材的A面為上表面，B面為下表面；S2:在基材上涂覆光阻膜，曝光，顯影，蝕刻后形成基板，基板包括有效區和將有效區包圍在內的輔助區，有效區與輔助區之間設有焊接區，有效區為由橫向骨架和縱向骨架形成的鏤空的網格狀；
[0009]S3:對S2形成的基板減薄處理。
[0010]可選地，所述S3中，基板減薄處理為A面減薄處理或/和B面減薄處理。
[0011]可選地，所述減薄處理幅度<30％。
[0012]可選地，所述S3中，基板減薄處理為輔助區處理。
[0013]可選地，所述sheet掩膜版的制作方法還包括以下步驟：
[0014]S4:有效區的橫向骨架及縱向骨架減寬處理。
[0015]可選地，所述減寬為由中心向兩邊寬度逐漸變窄。
[0016]可選地，所述sheet掩膜版的制作方法還包括以下步驟：
[0017]S4:輔助區的A面或/和B面蝕刻圖案。
[0018]可選地，所述圖案的長度由中間向四角逐漸變短。
[0019]可選地，所述sheet掩膜版的制作方法還包括以下步驟：
[0020]S4:有效區的橫向骨架及縱向骨架減寬處理，輔助區的A面或/和B面蝕刻圖案。
[0021]可選地，所述減寬為由中心向兩邊寬度逐漸變窄；圖案的長度由中間向四角逐漸變短。
[0022]本專利技術還提供一種sheet掩膜版，包括由厚度為h0的基材形成的基板，該基板包括有效區和將有效區包圍在內的輔助區，有效區與輔助區之間設有焊接區，有效區為由橫向骨架和縱向骨架形成的鏤空的網格狀，所述橫向骨架，其厚度>0.7h0，且<h0；縱向骨架，其厚度>0.7h0，且<h0。
[0023]可選地，所述橫向骨架的上表面與焊接區的上表面之間具有高度差，縱向骨架的上表面與焊接區的上表面之間具有高度差。
[0024]可選地，所述橫向骨架的下表面與焊接區的下表面之間具有高度差，縱向骨架的下表面與焊接區的下表面之間具有高度差。
[0025]可選地，所述橫向骨架的上表面與焊接區的上表面之間具有高度差，縱向骨架的上表面與焊接區的上表面之間具有高度差；橫向骨架的下表面與焊接區的下表面之間具有高度差，縱向骨架的下表面與焊接區的下表面之間具有高度差。
[0026]可選地，所述橫向骨架寬度沿sheet掩膜版橫向中心線向外漸次減少，縱向骨架寬度沿sheet掩膜版縱向中心線向外漸次減少。
[0027]可選地，所述橫向骨架的上表面與焊接區的上表面之間具有高度差，縱向骨架的上表面與焊接區的上表面之間具有高度差。
[0028]可選地，所述橫向骨架的下表面與焊接區的下表面之間具有高度差，縱向骨架的下表面與焊接區的下表面之間具有高度差。
[0029]可選地，所述橫向骨架的上表面與焊接區的上表面之間具有高度差，縱向骨架的上表面與焊接區的上表面之間具有高度差；所述橫向骨架的下表面與焊接區的下表面之間具有高度差，縱向骨架的下表面與焊接區的下表面之間具有高度差。
[0030]可選地，所述輔助區厚度<h0，其中，所述輔助區的上表面與焊接區的上表面之間具有高度差。
[0031]可選地，所述輔助區厚度<h0，其中，所述輔助區的下表面與焊接區的下表面之間具有高度差。
[0032]可選地，所述輔助區厚度<h0，其中，所述輔助區的上表面與焊接區的上表面之間具有高度差，所述輔助區的下表面與焊接區的下表面之間具有高度差。
[0033]可選地，所述輔助區的上表面上刻蝕刻有若干第一凹槽，第一凹槽包括橫向的第一凹槽和縱向的第一凹槽，橫向的第一凹槽的長度沿sheet掩膜版橫向中心線向外漸次減少，縱向的第一凹槽的長度沿sheet掩膜版縱向中心線向外漸次減少。
[0034]可選地，所述輔助區的下表面若干第二凹槽，第二凹槽與第一凹槽交錯排列，第二凹槽包括橫向的第二凹槽和縱向的第二凹槽，橫向的第二凹槽的長度沿sheet掩膜版橫向中心線向外漸次減少，縱向的第二凹槽的長度沿sheet掩膜版縱向中心線向外漸次減少。
[0035]本申請還提供一種F
?
mask掩膜版。
[0036]一種F
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mask掩膜版，包括sheet掩膜版和Frame框，所述sheet掩膜版為上述的
sheet掩膜版。
[0037]專利技術原理及有益效果：
[0038]本申請專利技術人經研究發現，F
?
mask的sheet在張網焊接到Frame的過程中，需要施加很大的拉力使其平坦度達到設定值以下(通常是50μm)，同時給Frame施加相反方向的推力，然后將sheet焊接到Frame上。這個一對持續力的作用結果，導致后期使用過程中，F
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mask本體發生變形，從而影響蒸鍍工藝質量，導致蒸鍍質量的穩定性較差。
[0039]本申請通過對sheet掩膜版的有效區的骨架及輔助區域進行化學蝕刻減薄處理，張網焊接時用較小的拉力可本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種sheet掩膜版的制作方法，包括以下步驟：S1:取厚度為h0的基材,金屬基材的A面為上表面，B面為下表面；S2:在基材上涂覆光阻膜，曝光，顯影，蝕刻后形成基板(1)，基板(1)包括有效區(2)和將有效區(2)包圍在內的輔助區(3)，有效區(2)與輔助區(3)之間設有焊接區(6)，有效區(2)為由橫向骨架(4)和縱向骨架(5)形成的鏤空的網格狀；S3:對S2形成的基板(1)減薄處理。2.根據權利要求1所述的sheet掩膜版的制作方法，其特征在于，所述S3中，基板(1)減薄處理為A面減薄處理或/和B面減薄處理；優選所述減薄處理幅度<30％。3.根據權利要求2所述的sheet掩膜版的制作方法，其特征在于，所述S3中，基板(1)減薄處理為輔助區(3)處理。4.根據權利要求1
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3任一所述的sheet掩膜版的制作方法，其特征在于，所述sheet掩膜版的制作方法還包括以下步驟：S4:有效區(2)的橫向骨架(4)及縱向骨架(5)減寬處理；優選所述減寬為由中心向兩邊寬度逐漸變窄。5.根據權利要求1
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3任一所述的sheet掩膜版的制作方法，其特征在于，所述sheet掩膜版的制作方法還包括以下步驟：S4:輔助區(3)的A面或/和B面蝕刻圖案；優選圖案的長度由中間向四角逐漸變短。6.根據權利要求1
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3任一所述的sheet掩膜版的制作方法，其特征在于，所述sheet掩膜版的制作方法還包括以下步驟：S4:有效區(2)的橫向骨架(4)及縱向骨架(5)減寬處理，輔助區(3)的A面或/和B面蝕刻圖案，優選所述減寬為由中心向兩邊寬度逐漸變窄；優選圖案的長度由中間向四角逐漸變短。7.根據權利要求1...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉鑫，李博，趙陽，吳義超，楊凡，李哲，
申請(專利權)人：成都拓維高科光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：