一種減小Mask形變的掩膜板制作方法、支撐掩膜板及掩膜板技術

本發明專利技術公開了一種減小Mask形變的掩膜板制作方法、支撐掩膜板及掩膜板，具體包括以下步驟：S1、獲得張網拉伸后實驗支撐掩膜板的至少部分掩膜開口的偏移量；S2、計算所述掩膜開口的位置精度；S3、根據所述掩膜開口的位置精度、偏移量獲得對應于掩膜開口的補償量；S4、根據所述掩膜開口的補償量，將支撐掩膜板上預設的掩膜開口位置進行補償處理得到補償后的掩膜開口位置，并根據補償后的掩膜開口位置在支撐掩膜板上形成掩膜開口。本發明專利技術通過減小四周拉力后，在滿足平坦度要求的同時使得框架翹曲量減小，同時減小一體化支撐掩膜板整體垂直度變化的可能性。變化的可能性。變化的可能性。

【技術實現步驟摘要】
一種減小Mask形變的掩膜板制作方法、支撐掩膜板及掩膜板


[0001]本專利技術涉及掩膜板
，具體涉及一種減小Mask形變的掩膜板制作方法、支撐掩膜板及掩膜板。

技術介紹

[0002]精密金屬掩膜用于RGB有機材料蒸鍍，其支撐掩膜板主要有CH支撐和一體化支撐，目前，一體化支撐已經成為支撐掩膜的主要方式，一體化支撐掩膜板由掩膜板框架和掩膜板焊接組成。但是一體化支撐同樣存在問題，由于一體化支撐掩膜板拉力在掩膜四角邊緣部位集中，導致邊緣部拉力遠遠大于中間位置拉力，掩膜框架整體產生較大形變，進而發生翹起；此外，在現有邊角位置拉力遠大于中間位置情況下，由于以下原因：1、掩膜板框架在熱處理后可能導致晶格不均勻；2、掩膜板和掩膜板框架制作存在偏差；3、掩膜板設計不對稱；使得一體化掩膜板和掩膜板框架焊接后，掩膜板整體垂直度不能保證的情況的可能性增加，更容易出現非矩形形態；或存在朝著非矩形形態方向變化的趨勢，在后續的精密金屬掩膜張網過程中或蒸鍍清洗的反復使用后，出現精密金屬掩膜像素位置精度變化。

技術實現思路

[0003]本專利技術的目的在于提供一種減小Mask形變的掩膜板制作方法、支撐掩膜板及掩膜板，減小四周拉力后，在滿足掩膜板平坦度要求的同時使得框架翹曲量減小，同時減小一體化支撐掩膜板整體垂直度變化的可能性，用以解決現有的問題。
[0004]一種減小Mask形變的掩膜板制作方法，具體包括以下步驟：
[0005]S1、獲得張網拉伸后實驗支撐掩膜板的至少部分掩膜開口的偏移量；
[0006]S2、計算所述掩膜開口的位置精度；
[0007]S3、根據所述掩膜開口的位置精度、偏移量獲得對應于掩膜開口的補償量；
[0008]S4、根據所述掩膜開口的補償量，將支撐掩膜板上預設的掩膜開口位置進行補償處理得到補償后的掩膜開口位置，并根據補償后的掩膜開口位置在支撐掩膜板上形成掩膜開口。
[0009]進一步地，所述步驟S2之前還包括分區處理，將所述支撐掩膜板的掩膜開口分為中心區域與非中心區域，所述中心區域為位于支撐掩膜板中心預設區域內的掩膜開口，所述非中心區域為支撐掩膜板非中心預設區域內的掩膜開口。
[0010]進一步地，所述步驟S3具體包括以下步驟：
[0011]判斷所述掩膜開口是否屬于中心區域；
[0012]若是，則直接根據所述掩膜開口的偏移量計算平移補償量；
[0013]若否，則根據所述掩膜開口的位置精度進行判定；
[0014]若所述位置精度大于預設值，則根據所述掩膜開口的偏移量計算旋轉補償量、卷翹補償量以及平移補償量中的至少一種；
[0015]若所述位置精度小于預設值，則根據掩膜開口的偏移量計算平移補償量。
[0016]進一步地，所述掩膜開口為矩形，所述補償處理為以下操作中的至少一種：
[0017]一：根據所述旋轉補償量，將支撐掩膜板上預設的掩膜開口其中相對兩短邊的位置進行相應的旋轉，獲得旋轉后的掩膜開口位置；
[0018]二：根據所述卷翹補償量，將支撐掩膜板上預設的掩膜開口另外相對兩長邊的位置進行相應的卷翹，獲得卷翹后的掩膜開口位置；
[0019]三：根據所述平移補償量，將支撐掩膜板上預設的掩膜開口進行相應的平移，獲得平移后的掩膜開口位置。
[0020]進一步地，所述支撐掩膜板的張網拉伸張網為作用于支撐掩膜板各個側邊的張網拉力，其中四角處的拉力值遠遠大于其他位置，其中：
[0021]基于旋轉補償量進行旋轉的操作為:相對兩短邊以旋轉角度Z1趨向于各自對應偏移的相反方向進行旋轉，
[0022]基于卷翹補償量進行卷翹的操作為：相對兩長邊以弧度Z2(圖示沒有標示)趨向于各自對應偏移的相反方向進行卷翹；
[0023]基于平移補償量進行卷翹的操作為：整個掩膜開口以長度L沿各自對應偏移的相反方向進行平移，即整個掩膜開口向遠離支撐掩膜板中心方向平移。
[0024]進一步地，所述補償量滿足：
[0025]遠離中心區域越遠，旋轉角度Z1越大，弧度Z2越大，長度L越大。
[0026]具體的，所述補償后的掩膜開口位置為弧型開口；
[0027]簡化地，所述補償后的掩膜開口位置為V型開口；
[0028]簡化地，簡化后補償的掩膜開口位置為平行四邊形開口。
[0029]進一步地，還包括平坦度補償，具體包括以下方式的至少一種：
[0030]在支撐掩膜板的邊緣增加Dummy開口；
[0031]在支撐掩膜板的上部采用半刻方式，以減薄部分區域；
[0032]在支撐掩膜板的下部采用Cover或Howling方式支撐；
[0033]在掩膜板上采用Coating方式施加應力。
[0034]一種支撐掩膜板，所述支撐掩膜板包括至少一個掩膜開口；所述掩膜開口根據上述減小Mask形變的掩膜板制作方法形成。
[0035]一種支撐掩膜板，所述支撐掩膜板包括陣列排布的掩膜開口，掩膜開口與各自對應的預設的掩膜開口位置具有位置和/或形狀的補償量，所述補償量包括以下至少一種：
[0036]旋轉補償量，被配置為掩膜開口的相對兩短邊分別與對應的預設掩膜開口的相對兩短邊的旋轉角度Z1，以及旋轉方向；
[0037]卷翹補償量，被配置為掩膜開口的相對兩長邊卷翹的弧度Z2，以及卷翹方向；
[0038]平移補償量，被配置為整個掩膜開口的基準點M與對應的預設掩膜開口的基準點在拉力方向上的距離L。
[0039]一種掩膜板，包括所述的支撐掩膜板；所述支撐掩膜板焊接在掩膜板框架上。
[0040]需要說明的是，本申請中的補償是專利技術點，不僅有開口位置的補償，還有開口形狀的補償，當開口位置精度超過設定值時將掩膜開口設為弧形的掩膜開口，當然，簡化的可以是V型的掩膜開口，再簡化就是平行四邊形的掩膜開口。
[0041]本專利技術具有的有益效果：
[0042]1、在張網過程中減小四周拉力后，在滿足掩膜板平坦度要求的同時使得掩膜板框架翹曲量減小，同時減小一體化支撐掩膜板整體垂直度變化的可能性；
[0043]2、通過對支撐掩膜板進行張網拉伸實驗，獲取張網拉伸模擬位移數據，并根據張網拉伸模擬位移數據計算支撐掩膜板張網拉伸后的掩膜開口的偏移量，根據掩膜開口的偏移量和預設掩膜開口位置在支撐掩膜板上形成掩膜開口，使得支撐掩膜板經過張網拉伸后，掩膜開口位于預設掩膜開口位置。本專利技術實施例在支撐掩膜板的制作過程中，對掩膜開口在張網拉伸過程中出現的偏移量進行預補償，保證在張網拉伸后，掩膜開口的較高位置精度，進而保證通過支撐掩膜板蒸鍍的像素的較高位置精度，避免因為像素精度降低引起的彩斑、色偏等顯示異常問題。
附圖說明
[0044]圖1為本專利技術的標準支撐掩膜板示意圖；
[0045]圖2為本專利技術的實驗支撐掩膜板的結構示意圖；
[0046]圖3為本專利技術的反向曲線補償示意圖；
[0047]圖4為本專利技術的補償后支撐掩膜板的結構
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【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種減小Mask形變的掩膜板制作方法，其特征在于，具體包括以下步驟：S1、獲得張網拉伸后實驗支撐掩膜板的至少部分掩膜開口的偏移量；S2、計算所述掩膜開口的位置精度；S3、根據所述掩膜開口的位置精度、偏移量獲得對應于掩膜開口的補償量；S4、根據所述掩膜開口的補償量，將支撐掩膜板上預設的掩膜開口位置進行補償處理得到補償后的掩膜開口位置，并根據補償后的掩膜開口位置在支撐掩膜板上形成掩膜開口。2.根據權利要求1所述的一種減小Mask形變的掩膜板制作方法，其特征在于，所述步驟S2之前還包括分區處理，將所述支撐掩膜板的掩膜開口分為中心區域與非中心區域，所述中心區域為位于支撐掩膜板中心預設區域內的掩膜開口，所述非中心區域為支撐掩膜板非中心預設區域內的掩膜開口。3.根據權利要求2所述的一種減小Mask形變的掩膜板制作方法，其特征在于，所述步驟S3具體包括以下步驟：判斷所述掩膜開口是否屬于中心區域；若是，則直接根據所述掩膜開口的偏移量計算平移補償量；若否，則根據所述掩膜開口的位置精度進行判定；若所述位置精度大于預設值，則根據所述掩膜開口的偏移量計算旋轉補償量、卷翹補償量以及平移補償量中的至少一種；若所述位置精度小于預設值，則根據掩膜開口的偏移量計算平移補償量。4.根據權利要求3所述的一種減小Mask形變的掩膜板制作方法，其特征在于，所述掩膜開口為矩形，所述補償處理為以下操作中的至少一種：一：根據所述旋轉補償量，將支撐掩膜板上預設的掩膜開口其中相對兩短邊的位置進行相應的旋轉，獲得旋轉后的掩膜開口位置；二：根據所述卷翹補償量，將支撐掩膜板上預設的掩膜開口另外相對兩長邊的位置進行相應的卷翹，獲得卷翹后的掩膜開口位置；三：根據所述平移補償量，將支撐掩膜板上預設的掩膜開口進行相應的平移，獲得平移后的掩膜開口位置。5.根據權利要求4所述的一種減小Mask形變的掩膜板制作方法，其特征在于，所述支撐掩膜板的張網拉伸為作用于支撐掩膜板各個側邊的張網拉力，其中四角處的拉力值大于...

【專利技術屬性】
技術研發人員：黃世雄，謝濤峰，胡明，鄭慶靚，李胤粹，李哲，周俊吉，王鑫，
申請(專利權)人：成都拓維高科光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：