減少在比為了得到特性而使用的激勵模式靠低頻側的頻帶產生的瑞利模式的雜散、以及在比上述激勵模式靠高頻側的頻帶產生的高階模式的雜散。彈性波裝置(1)具備支承基板(2)、層疊體(3)以及IDT電極(6)。層疊體(3)包括被層疊的鉭酸鋰壓電體層及鈮酸鋰壓電體層，并且設置于支承基板(2)。IDT電極(6)設置于層疊體(3)，具有多個電極指(63)。在將由多個電極指(63)的間距(P1)決定的彈性波的波長設為λ時，層疊體3的厚度為0.66λ以下。3的厚度為0.66λ以下。3的厚度為0.66λ以下。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】彈性波裝置
[0001]本專利技術通常涉及彈性波裝置，更詳細而言，涉及具備IDT(InterdigitalTransducer，叉指換能器)電極的彈性波裝置。
技術介紹
[0002]在專利文獻1中，記載有以往的彈性波裝置。專利文獻1所記載的彈性波裝置具備高聲速支承基板(支承基板)、壓電膜(壓電體層)以及IDT電極。在專利文獻1所記載的彈性波裝置中，IDT電極形成于壓電膜的一個面。
[0003]在先技術文獻
[0004]專利文獻
[0005]專利文獻1：國際公開第2012/086639號
技術實現思路
[0006]專利技術要解決的問題
[0007]然而，在專利文獻1所記載的以往的彈性波裝置中，存在以下問題：在比為了得到特性而使用的激勵模式靠低頻側的頻帶中可能產生瑞利模式的雜散，并且在比上述激勵模式靠高頻側的頻帶中可能產生高階模式的雜散。由此，設備的特性發生劣化。
[0008]本專利技術是鑒于上述方面而完成的專利技術，本專利技術的目的在于，提供一種能夠減少在比為了得到特性而使用的激勵模式靠低頻側的頻帶中產生的瑞利模式的雜散、以及在比上述激勵模式靠高頻側的頻帶中產生的高階模式的雜散的彈性波裝置。
[0009]用于解決問題的手段
[0010]本專利技術的一方式的彈性波裝置具備支承基板、層疊體以及IDT電極。所述層疊體包含被層疊的鉭酸鋰壓電體層及鈮酸鋰壓電體層，并且設置于所述支承基板。所述IDT電極設置于所述層疊體，具有多個電極指。在將由所述多個電極指的間距決定的彈性波的波長設為λ時，所述層疊體的厚度為0.66λ以下。
[0011]專利技術效果
[0012]根據本專利技術的上述方式的彈性波裝置，能夠減少在比為了得到特性而使用的激勵模式靠低頻側的頻帶中產生的瑞利模式的雜散、以及在比上述激勵模式靠高頻側的頻帶中產生的高階模式的雜散。
附圖說明
[0013]圖1是實施方式1的彈性波裝置的主視圖。
[0014]圖2是上述的彈性波裝置中的圖1的X1
?
X1線剖視圖。
[0015]圖3是示出上述的彈性波裝置的高階模式的相位特性的坐標圖。
[0016]圖4A是示出上述的彈性波裝置的相位特性的坐標圖。圖4B是示出上述的彈性波裝置的瑞利模式的相位特性的坐標圖。圖4C是示出上述的彈性波裝置的主模式的相位特性的
坐標圖。
[0017]圖5A～圖5C是在實施方式2的彈性波裝置中示出電機耦合系數的特性的等高線圖。
[0018]圖6A～圖6C是在實施方式3的彈性波裝置中示出TCF的特性的等高線圖。
[0019]圖7是實施方式4的彈性波裝置的剖視圖。
[0020]圖8A是示出上述的彈性波裝置的相位特性的坐標圖。圖8B是示出上述的彈性波裝置的瑞利模式的相位特性的坐標圖。圖8C是示出上述的彈性波裝置的主模式的相位特性的坐標圖。
[0021]圖9A～圖9C是在實施方式5的彈性波裝置中示出電機耦合系數的特性的等高線圖。
[0022]圖10A～圖10C是在實施方式6的彈性波裝置中示出TCF的特性的等高線圖。
[0023]圖11是實施方式7的彈性波裝置的剖視圖。
[0024]圖12是實施方式8的彈性波裝置的剖視圖。
[0025]圖13是插入有中間層的彈性波裝置的剖視圖。
具體實施方式
[0026]以下，參照附圖對實施方式1～8的彈性波裝置進行說明。在下述的實施方式等中參照的圖1、圖2、圖7、圖11、圖12及圖13是示意圖，圖中的各構成要素的大小、厚度各自的比不一定反映出實際的尺寸比。
[0027](實施方式1)
[0028](1)彈性波裝置
[0029]參照附圖對實施方式1的彈性波裝置1的整體結構進行說明。
[0030]如圖1及圖2所示，實施方式1的彈性波裝置1具備支承基板2、層疊體3、低聲速膜4、高聲速膜5以及IDT(Interdigital Transducer，叉指換能器)電極6。另外，彈性波裝置1還具備兩個反射器7、布線部8以及保護膜(未圖示)。
[0031](2)彈性波裝置的各構成要素
[0032]以下，參照附圖對實施方式1的彈性波裝置1的各構成要素進行說明。
[0033](2.1)支承基板
[0034]如圖2所示，支承基板2具有相互對置的第一主面21及第二主面22。第一主面21和第二主面22在支承基板2的厚度方向(第一方向D1)上對置。在從支承基板2的厚度方向(第一方向D1)的俯視下，支承基板2例如為長方形狀。需要說明的是，支承基板2不限于長方形狀，例如也可以為正方形狀。
[0035]在支承基板2中，在支承基板2傳播的體波的聲速與在第一壓電體層3A及第二壓電體層3B傳播的彈性波的聲速相比為高速。這里，在支承基板2傳播的體波是在支承基板2傳播的多個體波中的聲速最低的體波。
[0036]支承基板2例如是硅基板。支承基板2的厚度優選為10λ(λ：由后述的電極指間距P1決定的彈性波的波長)以上且180μm以下，作為一例，例如為120μm。在支承基板2是硅基板的情況下，支承基板2的第一主面21的面方位例如為(100)面，但不限于此，例如也可以為(110)面、(111)面等。彈性波的傳播方位能夠不受支承基板2的第一主面21的面方位的制約
而設定。
[0037]支承基板2的材料不限于硅。支承基板2包含從由硅、氮化鋁、氧化鋁、碳化硅、氮化硅、藍寶石、鉭酸鋰、鈮酸鋰、水晶、礬土、氧化鋯、堇青石、莫來石、塊滑石、鎂橄欖石、氧化鎂及金剛石構成的組中選擇的至少一種材料即可。
[0038](2.2)層疊體
[0039]如圖2所示，層疊體3包括第一壓電體層3A和第二壓電體層3B。另外，層疊體3具有第一主面31及第二主面32。第一主面31及第二主面32在支承基板2的厚度方向(第一方向D1)上對置。這里，層疊體3的厚度是第一主面31與第二主面32之間的厚度，該第一主面31是層疊體3具有的壓電體層的IDT電極6側的面，該第二主面32是層疊體3具有的壓電體層的支承基板2側的面。
[0040](2.3.1)第一壓電體層
[0041]如圖2所示，第一壓電體層3A經由第二壓電體層3B而設置于支承基板2。更詳細而言，第一壓電體層3A在支承基板2的厚度方向(第一方向D1)上經由第二壓電體層3B、低聲速膜4及高聲速膜5而設置于支承基板2的第一主面21側。
[0042]第一壓電體層3A例如由Y切割X傳播LiTaO3壓電單晶形成。Y切割X傳播LiTaO3壓電單晶是在將LiTaO3壓電單晶的三個晶體軸設為X軸、Y軸、Z軸的情況下沿著以X軸為中心軸從Y軸向Z軸方向旋轉θ1[
°
]之后的Z軸為法線的面切斷而得到的LiTaO3單晶，并且是聲表面波沿X軸方向傳播的單晶。關于第一壓電體層3A的切割角，在將切割角設為Γ1[
°
]、將第一壓電體層3A的歐拉角設為(θ1、ψ1)時，本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】1.一種彈性波裝置，具備：支承基板；層疊體，其包括被層疊的鉭酸鋰壓電體層及鈮酸鋰壓電體層，并且設置于所述支承基板；以及IDT電極，其設置于所述層疊體，具有多個電極指，在將由所述多個電極指的間距決定的彈性波的波長設為λ時，所述層疊體的厚度為0.66λ以下。2.根據權利要求1所述的彈性波裝置，其中，所述鉭酸鋰壓電體層層疊在所述IDT電極側，所述鈮酸鋰壓電體層層疊在所述支承基板側。3.根據權利要求1所述的彈性波裝置，其中，所述鉭酸鋰壓電體層層疊在所述支承基板側，所述鈮酸鋰壓電體層層疊在所述IDT電極側。4.根據權利要求2所述的彈性波裝置，其中，在將所述鉭酸鋰壓電體層的厚度設為T1、將所述鈮酸鋰壓電體層的厚度設為T2、將所述鉭酸鋰壓電體層的第二歐拉角設為θ1、將所述鈮酸鋰壓電體層的第二歐拉角設為θ2的情況下，當所述第二歐拉角θ1為0
°
以上且180
°
以下、并且所述第二歐拉角θ2為0
°
以上且小于180
°
時，機電耦合系數滿足式(1)，當所述第二歐拉角θ1為0
°
以上且180
°
以下、并且所述第二歐拉角θ2為
?
180
°
以上且小于0
°
時，機電耦合系數滿足式(2)，所述第二歐拉角θ1及所述第二歐拉角θ2是所述機電耦合系數成為4.0％以上這樣的值，[數式1]
[數式2]5.根據權利要求3所述的彈性波裝置，其中，
在將所述鈮酸鋰壓電體層的厚度設為T1、將所述鉭酸鋰壓電體層的厚度設為T2、將所述鈮酸鋰壓電體層的第二歐拉角設為θ1、將所述鉭酸鋰壓電體層的第二歐拉角設為θ2的情況下，當所述第二歐拉角θ1為0
°
以上且180
°
以下、并且所述第二歐拉角θ2為0
°
以上且小于180
°
時，機電耦合系數滿足式(3)，當所述第二歐拉角θ1為0
°
以上且180
°
以下、并且所述第二歐拉角θ2為
?
180
°
以上且小于0
°
時，機電耦合系數滿足式(4)，所述第二歐拉角θ1及所述第二歐拉角θ2是所述機電耦合系數成為4.0％以上這樣的值，[數式3][數式4]6.根據權利要求2所述的彈性波裝置，其中，在將所述鉭酸鋰壓電體層的厚度設為T1、將所述鈮酸鋰壓電體層的厚度設為T2、將所述鉭酸鋰壓電體層的第二歐拉角設為θ1、將所述鈮酸鋰壓電體層的第二歐拉角設為θ2的情況下，當所述第二歐拉角θ1為0
°
以上且180
°
以下、并且所述第二歐拉角θ2為0
°
以上且小于...
【專利技術屬性】
技術研發人員：巖本英樹，大門克也，
申請(專利權)人：株式會社村田制作所，
類型：發明
國別省市：
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