一種陪片、陪片制備方法及使用陪片鍍膜的方法技術

本申請公開了一種陪片、陪片制備方法及使用陪片鍍膜的方法。其中，該陪片包含鍍膜端面和堆疊面，該堆疊面用于與正片接觸以形成該正片與該陪片交替堆疊的堆疊體：該鍍膜端面，與該堆疊面垂直，且在該堆疊體中與該正片的鍍膜端面相鄰；在該堆疊面上遠離該鍍膜端面的區域形成有凸起，以使所形成的該堆疊體中該陪片與該正片之間在該鍍膜端面側存在縫隙。實施本申請實施例，可以提高半導體器件的鍍膜效率和質量。量。量。

【技術實現步驟摘要】
一種陪片、陪片制備方法及使用陪片鍍膜的方法


[0001]本專利技術涉及半導體芯片
，尤其涉及一種陪片及使用陪片鍍膜的方法。

技術介紹

[0002]半導體激光器(也稱激光二極管)具有體積小，壽命長，運轉可靠性高，電光轉化效率高，易于大規模生產等優點，在激光切割，激光通信，光存儲，激光打印，激光雷達，激光測距等方面得到廣泛應用。
[0003]半導體激光器依靠激光芯片(Die)發光。其中一種邊射型激光二極管的激光芯片的兩個平行端面需進行鍍膜，以提高光反射效率，進而提高器件的發光性能。在對激光芯片進行鍍膜時，需要陪片與正片(激光芯片)交替堆疊形成堆疊體，再對該堆疊體的端面進行鍍膜，鍍膜完成后再將激光芯片與陪片剝離。
[0004]然而，因鍍膜端面上正片與陪片材料不同、兩者交界處不平整等原因，鍍膜膜層在交界處易產生脫落。正片上形成的膜層脫落，從而影響激光二極管的發光效率。

技術實現思路

[0005]本申請實施例提供一種陪片、陪片制備方法及使用陪片鍍膜的方法，可減少使用該陪片對堆疊體鍍膜時正片上形成的膜層脫落的情況，從而提高激光二極管的鍍膜效率和質量，提高激光二極管的發光效率。
[0006]第一方面，本申請實施例提供了一種陪片，所述陪片包含鍍膜端面和堆疊面，其中：所述堆疊面用于與正片接觸以形成所述正片與所述陪片交替堆疊的堆疊體：所述鍍膜端面，與所述堆疊面垂直，且在所述堆疊體中與所述正片的鍍膜端面相鄰；在所述堆疊面上遠離所述鍍膜端面的區域形成有凸起，以使所形成的所述堆疊體中所述陪片與所述正片之間在所述鍍膜端面側存在縫隙。
[0007]可選的，所述凸起呈長方體狀、梯形體狀或者弧形體狀。
[0008]可選的，所述凸起與所述陪片上其他部分一體成型，由對基底進行刻蝕工藝形成。
[0009]可選的，所述凸起由沉積工藝形成，與所述陪片上其他部分材料不同，所述沉積工藝包含蒸發、濺射和化學氣相沉積CVD工藝中的一種或多種。
[0010]可選的，所述凸起的材料為金、鎳、鋁、銅、鈦和鉑中的一個或多個。
[0011]可選的，所述凸起的高度為1
?
50微米。
[0012]可選的，所述陪片包含兩個所述堆疊面，每一所述堆疊面上遠離所述鍍膜端面的區域形成有凸起，所述堆疊面垂直于所述堆疊體的堆疊方向。
[0013]第二方面，本申請實施例提供了一種使用陪片鍍膜的方法，所述陪片包含鍍膜端面和堆疊面，其中在所述堆疊面上遠離所述鍍膜端面的區域形成有凸起，所述鍍膜端面與所述堆疊面垂直，所述方法包括：
[0014]將正片與所述陪片交替堆疊形成堆疊體；所述堆疊體中所述陪片與所述正片通過所述凸起接觸，從而所述陪片與所述正片之間在所述鍍膜端面側存在縫隙；
[0015]對所述堆疊體的鍍膜端面進行鍍膜，所述堆疊體的鍍膜端面包含所述陪片的鍍膜端面和所述正片的鍍膜端面；
[0016]將鍍膜后的所述堆疊體中所述正片與所述陪片分離，獲得鍍膜后的所述正片。
[0017]可選的，所述將正片與所述陪片交替堆疊形成堆疊體之前，所述方法還包括：
[0018]在晶圓上形成圖案化的保護層；
[0019]通過所述圖案化的保護層對所述晶圓進行刻蝕，以形成刻蝕后的所述晶圓；刻蝕后的所述晶圓包含通過切割道連接的多個陪片，所述陪片經刻蝕后在堆疊面上遠離所述鍍膜端面的區域形成有凸起；
[0020]對刻蝕后的所述晶圓進行裂片，以獲得多個陪片。
[0021]可選的，所述將正片與所述陪片交替堆疊形成堆疊體之前，所述方法還包括：
[0022]在晶圓上形成圖案化的光刻膠；
[0023]在所述圖案化的光刻膠上形成材料層；
[0024]將所述光刻膠從所述晶圓上剝離，以在所述晶圓上形成多個包含凸起的陪片；
[0025]對所述晶圓進行激光切割和/或裂片，以獲得多個陪片。
[0026]第三方面，本申請實施例提供了一種陪片制備方法，所述方法包括：
[0027]在晶圓上形成圖案化的保護層；
[0028]通過所述圖案化的保護層對所述晶圓進行刻蝕，以形成刻蝕后的所述晶圓；刻蝕后的所述晶圓包含通過切割道連接的多個陪片，所述陪片包含相互垂直的所述鍍膜端面與所述堆疊面，所述陪片經刻蝕后在堆疊面上遠離所述鍍膜端面的區域形成有凸起；
[0029]對刻蝕后的所述晶圓進行裂片，以獲得多個包含所述凸起的所述陪片。
[0030]第四方面，本申請實施例提供了另一種陪片制備方法，所述方法包括：
[0031]在晶圓上形成圖案化的光刻膠；所述圖案化的光刻膠在對應每個陪片上形成凹陷；
[0032]在所述圖案化的光刻膠上形成材料層；
[0033]將所述光刻膠從所述晶圓上剝離，保留所述凹陷中的所述材料層，以在所述晶圓上形成多個包含凸起的陪片；對所述晶圓進行裂片，以獲得多個包含所述凸起的所述陪片。
[0034]可以看出，本申請實施例提供的陪片、陪片制備方法及使用陪片鍍膜的方法，可獲得用于對正片進行鍍膜的陪片。該陪片與正片形成堆疊體進行鍍膜并分離后，得到的鍍膜后的正片上膜層脫落的情況減少。陪片與正片之間在鍍膜端面上存在縫隙。其中，該縫隙使得陪片的鍍膜端面和正片的鍍膜端面之間通過該縫隙完全分隔開，陪片的鍍膜端面和正片的鍍膜端面不直接接觸。從而在鍍膜時，減少因正片和陪片材料不同產生膜層脫落的情況，從而提升正片的鍍膜質量。
附圖說明
[0035]圖1A是本申請實施例提供的一種激光二極管芯片的結構示意圖；
[0036]圖1B是本申請實施例提供的一種陪片與正片交替堆疊形成的堆疊體的結構示意圖；
[0037]圖2是本申請實施例提供的另一種陪片與正片交替堆疊形成的堆疊體10的結構示意圖；
[0038]圖3是本申請實施例提供的堆疊體的側視示意圖；
[0039]圖4是本申請實施例提供的堆疊體的正視示意圖；
[0040]圖5是本申請實施例提供的一種陪片的結構正視示意圖；
[0041]圖6是本申請實施例提供的又一種陪片與正片交替堆疊形成的堆疊體的結構示意圖；
[0042]圖7是本申請實施例提供的又一種陪片與正片交替堆疊形成的堆疊體的結構示意圖；
[0043]圖8是本申請實施例提供的又一種陪片與正片交替堆疊形成的堆疊體的結構示意圖；
[0044]圖9是本申請實施例提供的一種使用陪片鍍膜的方法的流程示意圖；
[0045]圖10是本申請實施例提供的一種鍍膜方法的流程示意圖；
[0046]圖11是本申請實施例提供的一種鍍膜并分離后正片的結構示意圖；
[0047]圖12是本申請實施例提供的一種制備陪片的方法流程示意圖；
[0048]圖13
?
圖19是本申請實施例提供的制備陪片流程中結構示意圖；
[0049]圖20是本申請實施例提供的另一種制備陪片的方法流程示意圖；
[0050]圖21
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圖25是本本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種陪片，其特征在于，所述陪片包含鍍膜端面和堆疊面，其中：所述堆疊面用于與正片接觸以形成所述正片與所述陪片交替堆疊的堆疊體；所述鍍膜端面，與所述堆疊面垂直，且在所述堆疊體中與所述正片的鍍膜端面相鄰；在所述堆疊面上遠離所述鍍膜端面的區域形成有凸起，以使所形成的所述堆疊體中所述陪片與所述正片之間在所述鍍膜端面側存在縫隙。2.根據權利要求1所述的陪片，其特征在于，所述凸起呈長方體狀、梯形體狀或者弧形體狀。3.根據權利要求1所述的陪片，其特征在于，所述凸起與所述陪片上其它部分一體成型，由對基底進行刻蝕工藝形成。4.根據權利要求1所述的陪片，其特征在于，所述凸起由沉積工藝形成，與所述陪片上其它部分材料不同，所述沉積包含蒸發、濺射和化學氣相沉積CVD工藝中的一種或多種。5.根據權利要求4所述的陪片，其特征在于，所述凸起的材料包含金、鎳、鋁、銅、鈦和鉑中的一個或多個。6.根據權利要求1
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5任一項所述的陪片，其特征在于，所述陪片包含兩個所述堆疊面，每一所述堆疊面上遠離所述鍍膜端面的區域形成有凸起，所述堆疊面垂直于所述堆疊體的堆疊方向。7.根據權利要求1
?
5任一項所述的陪片，其特征在于，所述凸起的高度為1
?
50微米。8.一種使用陪片鍍膜...

【專利技術屬性】
技術研發人員：譚蓮燕，常進，
申請(專利權)人：武漢優一等半導體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：