掩膜版及其制作方法、清潔裝置、清潔方法制造方法及圖紙

本申請實施例提供一種掩膜版及其制作方法、清潔裝置、清潔方法。所述掩膜版包括設有避讓通孔的承載基板，所述避讓通孔沿所述掩膜版的厚度方向貫穿所述承載基板，以及固定至所述承載基板一側的硅基膜板，所述硅基膜板設有一個以上的蒸鍍開口。其中，所述避讓通孔至少暴露出一個所述蒸鍍開口。利用承載基板實現對硅基膜板的固定，再結合硅基膜板自身具有較高的剛度等特性，以獲得高PPI、高可靠性的掩膜版。高可靠性的掩膜版。高可靠性的掩膜版。

【技術實現步驟摘要】
掩膜版及其制作方法、清潔裝置、清潔方法


[0001]本文涉及顯示
，具體涉及一種掩膜版及其制作方法、清潔裝置、清潔方法。

技術介紹

[0002]目前，主流的蒸鍍掩膜版采用的是精細金屬掩膜版(Fine metal mask，FMM)。FMM一般采用金屬材料制作，由于金屬材料本身厚度較厚，像素密度(pixels per inch，PPI)一般在600ppi左右，如果采用電鑄的方式制作掩膜版，PPI可以提高到800ppi至1000ppi，但是，很難再有突破。

技術實現思路

[0003]以下是對本文詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。
[0004]本申請實施例提供一種掩膜版及其制作方法、清潔裝置、清潔方法。
[0005]本申請實施例提供了一種掩膜版。所述掩膜版包括：
[0006]設有避讓通孔的承載基板，所述避讓通孔沿所述掩膜版的厚度方向貫穿所述承載基板；以及
[0007]固定至所述承載基板一側的硅基膜板，所述硅基膜板設有一個以上的蒸鍍開口；
[0008]其中，所述避讓通孔至少暴露出一個所述蒸鍍開口。
[0009]在一示例性實施例中，所述承載基板與所述硅基膜板的材料不同，且所述承載基板的剛度小于所述硅基膜板的剛度。
[0010]在一示例性實施例中，所述硅基膜板粘接至所述承載基板。
[0011]在一示例性實施例中，所述掩膜版還包括設于所述承載基板靠近所述硅基膜板一側的第一膠層，所述第一膠層環繞所述避讓通孔設置，且呈封閉的環形。
[0012]在一示例性實施例中，所述掩膜版還包括設于所述承載基板與所述第一膠層之間的第一支撐，所述第一支撐設于所述承載基板的一側，且向著所述第一膠層的方向凸起；
[0013]其中，所述第一膠層在所述承載基板所在平面的正投影與所述第一支撐在所述承載基板所在平面的正投影存在交疊。
[0014]在一示例性實施例中，所述第一膠層在所述承載基板所在平面的正投影位于所述第一支撐在所述承載基板所在平面的正投影的中部。
[0015]在一示例性實施例中，所述第一支撐包括多個支撐結構，多個所述支撐結構沿所述避讓通孔的周向間隔設置。
[0016]在一示例性實施例中，所述支撐結構為實心凸起。
[0017]在一示例性實施例中，所述支撐結構包括：
[0018]位于遠離所述承載基板一端的頂壁；
[0019]與所述頂壁相對設置的底壁；以及
[0020]連接所述頂壁與所述底壁的側壁；
[0021]其中，所述支撐結構還設有凹槽，所述凹槽位于所述頂壁且向著所述底壁的一側凹陷；所述第一膠層填滿所述凹槽。
[0022]在一示例性實施例中，所述凹槽貫穿所述底壁，且沿著所述避讓通孔的周向貫穿所述側壁。
[0023]在一示例性實施例中，所述凹槽包括相對設置的第一槽壁和第二槽壁，所述第一槽壁和所述第二槽壁沿所述掩膜版厚度方向的尺寸不同。
[0024]在一示例性實施例中，所述硅基膜板的外邊緣內縮于所述承載基板的外邊緣以形成臺階特征，所述臺階特征用于所述硅基膜板免于擠壓。
[0025]在一示例性實施例中，所述掩膜版還包括設有安裝槽的補平板，所述補平板與所述硅基膜板位于所述承載基板的同一側；
[0026]其中，所述硅基膜板嵌入所述安裝槽，且不超出所述安裝槽。
[0027]在一示例性實施例中，所述硅基膜板包括沿著遠離所述承載基板方向依次疊設的襯底、連接層以及覆蓋層。
[0028]在一示例性實施例中，所述掩膜版還包括設有避讓區域的掩膜版框架；所述承載基板固定至所述掩膜版框架，且所述避讓區域至少暴露出一個所述蒸鍍開口；
[0029]其中，所述硅基膜板位于遠離所述掩膜版框架的一側。
[0030]本申請實施例提供了一種掩膜版的制作方法。所述制作方法包括：
[0031]制作硅基膜板以及承載基板；所述硅基膜板設有一個以上的蒸鍍開口，所述承載基板設有沿所述掩膜版的厚度方向貫穿的避讓通孔；
[0032]將所述硅基膜板固定至所述承載基板的一側，且所述避讓通孔至少暴露出一個所述蒸鍍開口；
[0033]將所述承載基板固定至掩膜版框架的一側。
[0034]本申請實施例提供了一種清潔裝置。所述清潔裝置應用于前述任一實施例所述的掩膜版。所述清潔裝置包括：
[0035]加熱器，設置為用于加熱所述硅基膜板；以及
[0036]抽吸裝置，用于抽吸從所述硅基膜板上脫落的雜質。
[0037]在一示例性實施例中，所述加熱器的加熱端與所述硅基膜板間存在間隔，所述加熱器通過熱輻射的方式以加熱所述硅基膜板。
[0038]本申請實施例提供了一種清潔方法。所述清潔方法應用于前述任一實施例所述的掩膜版。所述清潔方法包括：
[0039]對所述硅基膜板進行加熱；
[0040]利用吸力將從所述硅基膜板脫落下的雜質吸除。
[0041]本申請實施例提供了一種掩膜版及其制作方法、清潔裝置、清潔方法。所述掩膜版通過將硅基膜板和承載基板利用拼接的方式結合在一起，承載基板和硅基膜板采用不同的材料，利用承載基板將硅基膜板固定到掩膜版框架上，避免在蒸鍍等操作過程中對硅基膜板的操作，降低硅基膜板發生碎裂的幾率。再結合硅基膜板自身具有較高的剛度等特性，以獲得高PPI、高可靠性的掩膜版。
[0042]實施本專利技術的任一產品或方法并不一定需要同時達到以上所述的所有優點。本發
明的其它特征和優點將在隨后的說明書實施例中闡述，并且，部分地從說明書實施例中變得顯而易見，或者通過實施本專利技術而了解。本申請實施例的目的和其他優點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。
附圖說明
[0043]附圖用來提供對本專利技術技術方案的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本申請的實施例一起用于解釋本專利技術的技術方案，并不構成對本專利技術技術方案的限制。附圖中各部件的形狀和大小不反映真實比例，目的只是示意說明本
技術實現思路
。
[0044]圖1為本申請實施例中的掩膜版的俯視示意圖一；
[0045]圖2為本申請實施例中的硅基膜板的剖視示意圖；
[0046]圖3為本申請實施例中的掩膜版的主視剖視示意圖一；
[0047]圖4為本申請實施例中的掩膜版的主視剖視示意圖二；
[0048]圖5為本申請實施例中的掩膜版的俯視示意圖二；
[0049]圖6為本申請實施例中的第一膠層的部分在承載基板上的俯視剖視示意圖一；
[0050]圖7為本申請實施例中的第一膠層的部分在承載基板上的俯視剖視示意圖二；
[0051]圖8為本申請實施例中的支撐結構在承載基板上的主視剖視圖一；
[0052]圖9為本申請實施例中的支撐結構在承載基板上的主視剖視圖二；
[0053]圖10為本申請實施例中的支撐結構在承載基板上的主視剖視圖三；
[0054]圖11a至圖11e為本本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種掩膜版，其特征在于，包括：設有避讓通孔的承載基板，所述避讓通孔沿所述掩膜版的厚度方向貫穿所述承載基板；以及固定至所述承載基板一側的硅基膜板，所述硅基膜板設有一個以上的蒸鍍開口；其中，所述避讓通孔至少暴露出一個所述蒸鍍開口。2.如權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述承載基板與所述硅基膜板的材料不同，且所述承載基板的剛度小于所述硅基膜板的剛度。3.如權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述硅基膜板粘接至所述承載基板。4.如權利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版還包括設于所述承載基板靠近所述硅基膜板一側的第一膠層，所述第一膠層環繞所述避讓通孔設置，且呈封閉的環形。5.如權利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版還包括設于所述承載基板與所述第一膠層之間的第一支撐，所述第一支撐設于所述承載基板的一側，且向著所述第一膠層的方向凸起；其中，所述第一膠層在所述承載基板所在平面的正投影與所述第一支撐在所述承載基板所在平面的正投影存在交疊。6.如權利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述第一膠層在所述承載基板所在平面的正投影位于所述第一支撐在所述承載基板所在平面的正投影的中部。7.如權利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述第一支撐包括多個支撐結構，多個所述支撐結構沿所述避讓通孔的周向間隔設置。8.如權利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述支撐結構為實心凸起。9.如權利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述支撐結構包括：位于遠離所述承載基板一端的頂壁；與所述頂壁相對設置的底壁；以及連接所述頂壁與所述底壁的側壁；其中，所述支撐結構還設有凹槽，所述凹槽位于所述頂壁且向著所述底壁的一側凹陷；所述第一膠層填滿所述凹槽。10.如權利要求9所述的掩膜版，其特征在于，所述凹槽貫穿所述底壁，且沿著所述避讓通孔的周向貫穿所述側壁。11.如權利要求10所述的掩膜...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王路，王偉杰，焦志強，黃清雨，趙德江，張峰杰，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：