一種真空鍍遮蔽治具制造技術(shù)

本申請(qǐng)涉及一種真空鍍遮蔽治具，屬于真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，包括第一金屬塊和第二金屬塊，第一金屬塊的一端端面與第二金屬塊一端端面固定連接，第一金屬塊中設(shè)置有第一通孔，第一通孔的內(nèi)側(cè)邊緣與待鍍物料的外側(cè)邊緣相緊密配合，第一通孔上連通有用于容置待鍍物料的物料容置腔，物料容置腔的底部與所述第二金屬塊相接，物料容置腔的深度不大于第一通孔內(nèi)的待鍍物料的高度。從而待鍍物料的頂端可從第一通孔伸出，以對(duì)其進(jìn)行真空鍍膜，而待鍍物料中其他的部位則被第一金屬塊所遮蔽，因此對(duì)待鍍物料進(jìn)行局部真空鍍膜時(shí)，只需要將待鍍物料通過(guò)第一通孔放入于該物料容置腔中即可進(jìn)行真空鍍膜，其極大地提升了真空鍍膜的生產(chǎn)效率，利于產(chǎn)品的大批量生產(chǎn)。于產(chǎn)品的大批量生產(chǎn)。于產(chǎn)品的大批量生產(chǎn)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種真空鍍遮蔽治具


[0001]本申請(qǐng)涉及真空鍍膜
，尤其是涉及一種真空鍍遮蔽治具。

技術(shù)介紹

[0002]隨著社會(huì)的發(fā)展，人們對(duì)工業(yè)生產(chǎn)材料的要求也越來(lái)越高，為了在材料的表面增加不同的化學(xué)特性，人們常常會(huì)在工業(yè)生產(chǎn)材料的表面進(jìn)行真空鍍膜；真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發(fā)并凝結(jié)于金屬、半導(dǎo)體或絕緣體等鍍件表面而形成薄膜的一種方法；現(xiàn)有的真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類，即物理氣相沉積技術(shù)和化學(xué)氣相沉積技術(shù)；其被廣泛地應(yīng)用于光學(xué)器件、電子電路、五金組件等領(lǐng)域上。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，為了提高手機(jī)充電接頭前端的耐磨性及其美觀性，同時(shí)兼顧手機(jī)充電接頭整體的輕薄度，手機(jī)生產(chǎn)廠商一般都只會(huì)對(duì)手機(jī)充電接頭的前端進(jìn)行真空鍍膜，故其需要對(duì)手機(jī)充電接頭中不需要鍍膜部分進(jìn)行遮蔽；而在現(xiàn)有技術(shù)中，其通過(guò)在手機(jī)充電接頭上貼附遮蔽材料的方式進(jìn)行遮蔽，故其生產(chǎn)效率較為低下，不利于產(chǎn)品的大批量生產(chǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

[0004]為了改進(jìn)現(xiàn)有的手機(jī)充電接頭前端的鍍膜生產(chǎn)效率低，不利于大批量生產(chǎn)的問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N生產(chǎn)效率較高的鍍膜手機(jī)充電接口前端的真空鍍遮蔽治具。
[0005]采用如下的技術(shù)方案：
[0006]一種真空鍍遮蔽治具，包括第一金屬塊和第二金屬塊，所述第一金屬塊的一端端面與第二金屬塊一端端面固定連接，所述第一金屬塊中設(shè)置有第一通孔，所述第一通孔的內(nèi)側(cè)邊緣與待鍍物料的外側(cè)邊緣相緊密配合，所述第一通孔上連通有用于容置待鍍物料的物料容置腔，所述物料容置腔的底部與所述第二金屬塊相接，所述物料容置腔的深度不大于第一通孔內(nèi)的待鍍物料的高度。
[0007]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，由于該真空鍍遮蔽治具中的第一通孔的內(nèi)側(cè)邊緣與待鍍物料的外側(cè)邊緣相緊密配合，且物料容置腔的深度不大于待鍍物料的高度，故使得待鍍物料的頂端可從第一通孔伸出，以對(duì)其進(jìn)行真空鍍膜，而待鍍物料中其他的部位則被第一金屬塊所遮蔽，因此對(duì)待鍍物料進(jìn)行局部真空鍍膜時(shí)，只需要將待鍍物料通過(guò)第一通孔放入于該物料容置腔中即可進(jìn)行真空鍍膜，其極大地提升了真空鍍膜的生產(chǎn)效率，利于產(chǎn)品的大批量生產(chǎn)。
[0008]優(yōu)選的，所述第二金屬塊中設(shè)置有第二通孔，所述第二通孔與物料容置腔的底部相連通，供外部治具伸入至所述物料容置腔內(nèi)。
[0009]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，真空鍍膜完成后，待鍍物料的頂端與第一金屬塊之間緊密配合，不容易取出，在第二金屬塊上設(shè)置第二通孔，第二通孔與物料容置腔的底部相連通，第一通孔連通物料容置腔，則外部治具可從第二通孔伸入至所述物料容置腔內(nèi)，將待鍍物料從第一通孔頂出，這樣，有利于待鍍物料的鍍膜后便于取出，減少工作人員的勞動(dòng)。
[0010]優(yōu)選的，所述第一通孔和第二通孔的數(shù)量均為一個(gè)以上。
[0011]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，則一個(gè)真空鍍遮蔽治具內(nèi)可以放置多個(gè)待測(cè)物料，對(duì)多個(gè)待測(cè)物料同時(shí)真空鍍膜，大大提高了待測(cè)物料鍍膜的生產(chǎn)效率，實(shí)用性強(qiáng)。
[0012]優(yōu)選的，所述第一金屬塊朝向第二金屬塊的一側(cè)端面設(shè)置有第一凹槽，所述第一凹槽與物料容置腔連通。
[0013]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，第一金屬塊設(shè)有第一凹槽，減少真空鍍遮蔽治具的材料使用量，進(jìn)而降低了其生產(chǎn)成本。
[0014]優(yōu)選的，所述第二金屬塊朝向第一金屬塊的一側(cè)端面設(shè)置有第二凹槽，所述第二凹槽與第一凹槽相互對(duì)準(zhǔn)。
[0015]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，第二金屬塊設(shè)有第二凹槽，減少真空鍍遮蔽治具的材料使用量，進(jìn)而降低了其生產(chǎn)成本。
[0016]優(yōu)選的，所述第一金屬塊遠(yuǎn)離第二金屬塊的一側(cè)端面上設(shè)置有第三凹槽，所述第三凹槽與所述第一通孔的外側(cè)邊緣相接。
[0017]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，第三凹槽用于待測(cè)物料鍍膜后更加便于取出。
[0018]優(yōu)選的，所述第一金屬塊和第二金屬塊之間通過(guò)若干螺栓固定連接。
[0019]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，螺栓固定可增強(qiáng)真空鍍遮蔽治具的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。
[0020]優(yōu)選的，還包括金屬塞，所述金屬塞設(shè)置于所述待鍍物料的開(kāi)口端內(nèi)且所述金屬塞的外側(cè)面與所述待鍍物料的內(nèi)側(cè)面相緊密配合。
[0021]通過(guò)采用上述技術(shù)方案，待測(cè)物料需要對(duì)前端的部分進(jìn)行鍍膜時(shí)，金屬塞遮蔽待測(cè)物料不需要鍍膜的部位。
[0022]綜上所述，本申請(qǐng)包括以下至少一種有益技術(shù)效果：
[0023]1.由于該真空鍍遮蔽治中的第一通孔的內(nèi)側(cè)邊緣與待鍍物料的外側(cè)邊緣相緊密配合，且物料容置腔的深度不大于待鍍物料的高度，故使得待鍍物料的頂端可從第一通孔伸出，以對(duì)其進(jìn)行真空鍍膜，而待鍍物料中其他的部位則被第一金屬塊所遮蔽，因此對(duì)待鍍物料進(jìn)行局部真空鍍膜時(shí)，只需要將待鍍物料通過(guò)第一通孔放入于該物料容置腔中即可進(jìn)行真空鍍膜，其極大地提升了真空鍍膜的生產(chǎn)效率，利于產(chǎn)品的大批量生產(chǎn)。
[0024]2.在第二金屬塊上設(shè)置第二通孔，第二通孔與物料容置腔的底部相連通，第一通孔連通物料容置腔，則外部治具可從第二通孔伸入至所述物料容置腔內(nèi)，將待鍍物料從第一通孔頂出，這樣，有利于待鍍物料的鍍膜后便于取出，減少工作人員的勞動(dòng)。
[0025]3.真空鍍遮蔽治具設(shè)置有多個(gè)第一通孔和第二通孔，則一個(gè)真空鍍遮蔽治具內(nèi)可以放置多個(gè)待測(cè)物料，對(duì)多個(gè)待測(cè)物料同時(shí)真空鍍膜，大大提高了待測(cè)物料鍍膜的生產(chǎn)效率，實(shí)用性強(qiáng)。
附圖說(shuō)明
[0026]圖1是一種真空鍍遮蔽治具的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖2是一種真空鍍遮蔽治具的無(wú)金屬塊的剖視圖。
[0028]圖3是一種真空鍍遮蔽治具的凸顯第二金屬塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖4是一種真空鍍遮蔽治具的無(wú)金屬塊的爆炸圖。
[0030]圖5是一種真空鍍遮蔽治具的凸顯第二凹槽的爆炸圖
[0031]附圖標(biāo)記說(shuō)明：1、第一金屬塊；11、第一通孔；12、第一凹槽；13、第三凹槽；14、物料
容置腔；2、第二金屬塊；21、第二通孔；22、第二凹槽；3、金屬塞；4、螺栓。
具體實(shí)施方式
[0032]以下結(jié)合附圖1
?
5，對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0033]本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)一種真空鍍遮蔽治具。
[0034]參照?qǐng)D1和圖2，一種真空鍍遮蔽治具包括第一金屬塊1、第二金屬塊2、金屬塞3和螺栓4，第一金屬塊1和第二金屬塊2之間通過(guò)若干螺栓4固定并且第一金屬塊1的一端端面與第二金屬塊2一端端面連接。第一金屬塊1中設(shè)置有第一通孔11，所述第一通孔11的內(nèi)側(cè)邊緣與待鍍物料的外側(cè)邊緣相緊密配合，第一通孔11上連通有用于容置待鍍物料的物料容置腔14，物料容置腔14的底部與所述第二金屬塊2相接，所述物料容置腔14的深度不大于第一通孔11內(nèi)的待鍍物料的高度。金屬塞3設(shè)置于所述待鍍物料的開(kāi)口端內(nèi)且所述金屬塞3的外側(cè)面與所述待鍍物料的內(nèi)側(cè)面相緊密配合。
[0035]本實(shí)施例中，所述待測(cè)物料為手機(jī)充電接口，由于該真空鍍遮蔽治具中的第一通孔11的內(nèi)側(cè)邊緣與手機(jī)充電接口的外側(cè)邊緣相緊密配合，且物料容置腔14的深度不大于手機(jī)充電本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種真空鍍遮蔽治具，其特征在于，包括第一金屬塊(1)和第二金屬塊(2)，所述第一金屬塊(1)的一端端面與第二金屬塊(2)一端端面固定連接，所述第一金屬塊(1)中設(shè)置有第一通孔(11)，所述第一通孔(11)的內(nèi)側(cè)邊緣與待鍍物料的外側(cè)邊緣相緊密配合，所述第一通孔(11)上連通有用于容置待鍍物料的物料容置腔(14)，所述物料容置腔(14)的底部與所述第二金屬塊(2)相接，所述物料容置腔(14)的深度不大于第一通孔(11)內(nèi)的待鍍物料的高度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空鍍遮蔽治具，其特征在于，所述第二金屬塊(2)中設(shè)置有第二通孔(21)，所述第二通孔(21)與物料容置腔(14)的底部相連通，供外部治具伸入至所述物料容置腔(14)內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種真空鍍遮蔽治具，其特征在于，所述第一通孔(11)和第二通孔(21)的數(shù)量均為一個(gè)以上。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空鍍遮蔽治具，其特征在于...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張德軍，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：深圳市創(chuàng)基真空科技有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：