一種掩膜版及過渡掩膜版制造技術

本申請公開了一種掩膜版及過渡掩膜版，包括基板，該基板上由面A到面B方向設置有若干貫通孔，每一貫通孔朝向面A的為第一凹部，貫通孔朝向面B的為第二凹部，第一凹部的深度為h1,第二凹部的深度為h2，所述第一凹部的底面與第二凹部的底面之間距離h3＝基板的高度h0?

【技術實現步驟摘要】
一種掩膜版及過渡掩膜版


[0001]本申請涉及蒸鍍領域，特別涉及一種掩膜版及過渡掩膜版。

技術介紹

[0002]有機電致發光器件(OLED)由于具有亮度高、色彩飽和、輕薄、可彎曲等優點在顯示面板領域占比逐漸增大。
[0003]隨著OLED顯示對于窄邊框及無邊框的需求越來越高，對于公共層掩膜版的精度需求也越來越高，為了滿足高精度的蒸鍍需求，掩膜版制作廠商正努力提高公共層掩膜版制作精度。
[0004]現有技術中，公共層掩膜版通過照相平板印刷術在金屬基板上刻蝕出貫通孔，形成基板的開口，此種工藝制作出的公共層掩膜版如圖1，圖1中，基板1經兩步刻蝕在基板1上形成若干貫通孔，貫通孔朝向面A的為第一凹部2，貫通孔朝向面B的為第二凹部3，第一凹部2的深度為h1,第二凹部3的深度為h2,第二凹部3的寬度<第一凹部2的寬度，h2>h1,第一凹部2與第二凹部3的底面并不在同一平面，第一凹部2的底面與第二凹部3的底面之間為尖銳部5，尖銳部5深度為h3，h3＝基板1的高度
?
h1
?
h2，h3為10μm左右，尖銳部5圍成開口4，開口4形狀為由面B至面A漸擴，第二凹部3弧線的端點連線與水平面的夾角與面B的夾角為α，尖銳部5與垂直方向(或法線方向)的夾角為θ。
[0005]圖1的公共層掩膜版用于蒸鍍，形成的產品在要求較高的顯示屏發光時出現顯示異常。

技術實現思路

[0006]基于上述問題，本申請提供一種掩膜版，該掩膜版使得內陰影寬度減小,從而蒸鍍膜厚均勻，消除了要求較高的顯示屏發光時出現顯示異常的現象。
[0007]一種掩膜版，包括基板，該基板上由面A到面B方向設置有若干貫通孔，每一貫通孔朝向面A的為第一凹部，貫通孔朝向面B的為第二凹部，第一凹部的深度為h1,第二凹部的深度為h2，所述第一凹部的底面與第二凹部的底面之間距離h3＝基板的高度h0?
h1?
h2，h3趨近于0。
[0008]可選地，所述第二凹部的寬度<第一凹部的寬度。
[0009]可選地，所述h2>h1。
[0010]可選地，所述第一凹部的水平截面外輪廓線為圓形，第二凹部的水平截面外輪廓線為圓形。
[0011]可選地，所述第一凹部的水平截面外輪廓線為偶數邊形的凸多邊形，第二凹部的水平截面外輪廓線為偶數邊形的凸多邊形。
[0012]可選地，所述第一凹部由面A向面B方向收縮，第二凹部由面B向面A方向收縮掩膜版。
[0013]可選地，所述基板材料為Invar或SUS。
[0014]本申請還提供一種過渡掩膜版。
[0015]一種過渡掩膜版，所述過渡掩膜版包括基板，該基板上設置有朝向面A開口的若干第一凹部，該基板上還設置有與每一第一凹部相對應的朝向面B開口的至少1個預凹部，預凹部的深度與第一凹部的深度之和小于基板高度。
[0016]可選地，所述預凹部為兩個。
[0017]可選地，所述預凹部的深度為10～20μm，寬度為1～4mm。
[0018]專利技術原理及有益效果：
[0019]本申請專利技術人經研究發現，圖1的公共層掩膜版用于蒸鍍，形成的產品在要求較高的顯示屏發光時出現顯示異常的原因在于：h2厚度不利于控制蒸鍍內陰影，而內陰影會導致內陰影區域蒸鍍膜厚相對正常區域薄，從而使得蒸鍍膜厚不均勻，最終導致要求較高的顯示屏發光時出現顯示異常。
[0020]本申請通過兩次蝕刻，形成h3高度更小(基本為0)的斷面，從而使得內陰影寬度減小,從而蒸鍍膜厚均勻，消除了要求較高的顯示屏發光時出現顯示異常的現象。
附圖說明
[0021]圖1為本技術
技術介紹
掩膜版結構示意圖；
[0022]圖2為本技術基板結構示意圖；
[0023]圖3為本技術第一步蝕刻后的結構示意圖；
[0024]圖4為本技術第二次蝕刻后的結構示意圖(面B朝上)；
[0025]圖5為本技術為本技術第二次蝕刻后的結構示意圖(面A朝上)。
具體實施方式
[0026]下面將結合附圖對本申請作進一步說明。
[0027]在本技術的描述中，需要說明的是，術語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎向”、“縱向”、“側向”、“水平”、“內”、“外”、“前”、“后”、“頂”、“底”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，或者是該技術產品使用時慣常擺放的方位或位置關系，僅是為了便于描述本技術和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本技術的限制。此外，術語“第一”、“第二”、“第三”等僅用于區分描述，而不能理解為指示或暗示相對重要性。
[0028]在本技術的描述中，還需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“設置”、“開有”、“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本技術中的具體含義。
[0029]一種掩膜版的制備方法，包括以下步驟：
[0030]S1:取100～200μm金屬原材(材料優選為Invar或SUS)，如圖2，基板1高度為h0,面A向上，面B為面A的相對面。
[0031]S2:分別在面A及面B上涂覆光阻膜(干法或濕法)，曝光，顯影，同時對面A及面B噴刻蝕液同步刻蝕，刻蝕完成后去除光阻膜，形成如圖3的結構，圖3中，為了滿足無劃傷效果
和盡可能減小蒸鍍陰影的需求，第一凹部2的深度h1為10～20μm，第一凹部2的寬度L1為客戶要求或設計的寬度，預凹部4至少有1個，預凹部4的深度h
y
為10～20μm，每一個預凹部4的寬度Ly優選為1～4mm。
[0032]S3:再次在面A及面B上涂覆光阻膜(干法或濕法)，曝光，顯影(顯影后，面A待蝕刻區域的面積小于面B待蝕刻區域的面積)，然后將掩膜版翻轉，翻轉后面B向上(翻轉180度)，面A向下，然后向面A方向向上噴刻蝕液刻蝕，刻蝕完成后去除光阻膜，形成如圖4的掩膜版結構，將圖4的掩膜版的面A向上(翻轉180度)，為圖5的結構圖，圖5中，基板1上形成若干貫通孔，貫通孔朝向面A的為第一凹部2，貫通孔朝向面B的為第二凹部3，第一凹部2的深度為h1,第二凹部3的深度為h2,第二凹部3的寬度<第一凹部2的寬度，h2>h1,第一凹部2與第二凹部3的底面基本上在同一平面，第一凹部2的底面與第二凹部3的底面之間距離h3＝基板1的高度
?
h1?
h2，h3為基本等于0。
[0033]本步驟中，當面A刻蝕進行時，首先蝕刻完成的部位為預凹部4，預凹部4先貫通，從下面來的蝕刻液流經截面，本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種掩膜版，包括基板(1)，該基板(1)上由面A到面B方向設置有若干貫通孔，每一貫通孔朝向面A的為第一凹部(2)，貫通孔朝向面B的為第二凹部(3)，第一凹部(2)的深度為h1,第二凹部(3)的深度為h2，其特征在于：所述第一凹部(2)的底面與第二凹部(3)的底面之間距離h3＝基板(1)的高度h0
?
h1
?
h2，h3趨近于0。2.根據權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二凹部(3)的寬度<第一凹部(2)的寬度。3.根據權利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述h2>h1。4.根據權利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述第一凹部(2)的水平截面外輪廓線為圓形，第二凹部(3)的水平截面外輪廓線為圓形。5.根據權利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述第一凹部(2)的水...

【專利技術屬性】
技術研發人員：姜太赫，周俊吉，楊凡，李博，李哲，
申請(專利權)人：成都拓維高科光電科技有限公司，
類型：新型
國別省市：