本發明專利技術公開了一種功率模塊與功率模塊制備方法，功率模塊包括引線框架、第一芯片、第二芯片與第一連接組件，第一芯片與第二芯片連接于引線框架，第一連接組件包括第一絕緣件與第一導電件，第一導電件分別與第一芯片以及第二芯片電連接，第一導電件的外側包覆有第一絕緣件。第一導電件的外側包覆有第一絕緣件，第一絕緣件能夠增加第一連接組件的整體強度，降低第一連接組件因沖擊或者震動而斷裂的概率，此外，第一絕緣件還能夠實現第一導電件的絕緣，即使第一連接組件之間發生接觸，第一導電件也能夠通過第一絕緣件隔離而避免短路。能夠通過第一絕緣件隔離而避免短路。能夠通過第一絕緣件隔離而避免短路。
【技術實現步驟摘要】
功率模塊與功率模塊制備方法
[0001]本專利技術涉及半導體封裝
，尤其是涉及一種功率模塊與功率模塊制備方法。
技術介紹
[0002]智能功率模塊內部包括有多種芯片，例如控制芯片與功率芯片，控制芯片與功率芯片之間通過引線進行導通，在傳統的智能功率模塊制備工藝中，需要先將引線的兩端分別與控制芯片以及功率芯片焊接固定，然后再整體進行封裝，然而，受限于芯片上焊盤的面積，引線的線徑通常設置地較小，引線強度較低，容易因轉運過程中的震動或者封裝過程中封裝材料的沖擊而導致引線之間直接接觸，從而引發短路故障，當震動或者沖擊過大時，還會導致引線斷裂等問題。
技術實現思路
[0003]本專利技術旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本專利技術提出一種功率模塊，能夠改善引線斷裂與短路的問題。
[0004]本專利技術還提出一種功率模塊的制備方法。
[0005]根據本專利技術第一實施例的功率模塊，包括：
[0006]引線框架；
[0007]第一芯片，連接于所述引線框架；
[0008]第二芯片，連接于所述引線框架；
[0009]第一連接組件，包括第一絕緣件與第一導電件，所述第一導電件分別與所述第一芯片以及所述第二芯片電連接，所述第一導電件的外側包覆有所述第一絕緣件。
[0010]根據本專利技術實施例的功率模塊，至少具有如下有益效果：
[0011]第一導電件的外側包覆有第一絕緣件，第一絕緣件能夠增加第一連接組件的整體強度，降低第一連接組件因沖擊或者震動而斷裂的概率，此外，第一絕緣件還能夠實現第一導電件的絕緣，即使第一連接組件之間發生接觸，第一導電件也能夠通過第一絕緣件隔離而避免短路。
[0012]在本專利技術的其他實施例中，所述功率模塊還包括連接于所述引線框架的硬質電路板，所述硬質電路板包括絕緣層與導電層，所述導電層的一部分位于所述絕緣層內，并與所述第一芯片電連接，另一部分伸出所述絕緣層以形成所述第一導電件。
[0013]在本專利技術的其他實施例中，所述引線框架具有引腳，所述功率模塊還包括第二連接組件，所述第二連接組件包括第二絕緣件與第二導電件，所述第二導電件的兩端分別與所述第一芯片以及所述引腳電連接，所述第二導電件的外側包覆有所述第二絕緣件。
[0014]在本專利技術的其他實施例中，所述功率模塊還包括連接于所述引線框架的硬質電路板，所述硬質電路板包括絕緣層與導電層，所述導電層的一部分位于所述絕緣層內，并與所述第一芯片電連接，另一部分伸出所述絕緣層以形成所述第二導電件。
[0015]在本專利技術的其他實施例中，所述功率芯片包括引線，所述引線的一端與所述第一芯片電連接，另一端與所述引線框架電連接，所述第一導電件的一端與所述第二芯片電連接，另一端與所述引線框架電連接。
[0016]在本專利技術的其他實施例中，所述第一導電件為薄片結構，所述第一導電件至少沿厚度方向的兩側包覆有所述第一絕緣件。
[0017]在本專利技術的其他實施例中，所述第一連接組件設置有多個，多個所述第一連接組件沿所述第一導電件的寬度方向間隔設置；
[0018]或者，所述第一連接組件包括多個所述第一導電件，多個所述第一導電件被包覆在同一所述第一絕緣件內，且各所述第一導電件沿寬度方向間隔設置。
[0019]在本專利技術的其他實施例中，所述第二芯片具有焊盤，所述第一導電件包括主體部與連接部，所述主體部電連接于所述第一芯片，所述連接部電連接于所述焊盤，所述第一絕緣件包括第一絕緣部與第二絕緣部，所述主體部的外側包覆有所述第一絕緣部，所述連接部的外側包覆有所述第二絕緣部，其中，所述第一絕緣部的寬度小于所述第二絕緣部的寬度。
[0020]在本專利技術的其他實施例中，所述第二絕緣部的長度小于所述焊盤的長度，和/或，所述第二絕緣部的寬度小于所述焊盤的寬度。
[0021]在本專利技術的其他實施例中，所述第一連接組件的參數滿足以下中的至少一組：
[0022]所述第一絕緣部的寬度為0.2mm至0.5mm；
[0023]所述第二絕緣部的長度為0.4mm至1.0mm，寬度為0.3mm至0.8mm，所述焊盤的長度為0.3mm至0.9mm，寬度為0.2至0.7mm；
[0024]所述第一導電件的厚度為0.035mm至0.07mm，所述第一絕緣件的單側厚度為0.03mm至0.07mm。
[0025]在本專利技術的其他實施例中，所述第二絕緣部開設有第三窗口，所述連接部從所述第三窗口中露出的部分與所述焊盤電連接，所述第三窗口的長度小于所述焊盤的長度，所述第三窗口的寬度小于所述焊盤的寬度，且所述第三窗口的各側邊距離所述焊盤的相應側邊的距離大于等于0.2mm。
[0026]在本專利技術的其他實施例中，所述功率模塊還包括散熱組件，所述散熱組件連接于所述引線框架，且相對所述引線框架下沉，所述第二芯片連接于所述散熱組件。
[0027]根據本專利技術第一實施例的功率模塊制備方法，包括以下步驟：
[0028]準備引線框架、第一芯片、第二芯片與第一連接組件，所述第一芯片與所述第二芯片均連接于所述引線框架，所述第一連接組件包括第一絕緣件與第一導電件，所述第一導電件的外側包覆有所述第一絕緣件；
[0029]使得所述第一芯片通過所述第一導電件與所述第二芯片電連接。
[0030]在本專利技術的其他實施例中，準備硬質電路板，所述硬質電路板包括絕緣層與導電層，所述導電層的一部分位于所述絕緣層內，另一部分伸出所述絕緣層以形成所述第一導電件，將所述硬質電路板與所述引線框架連接，并將所述第一芯片與位于所述絕緣層內的所述導電層電連接，所述第二芯片與所述第一導電件電連接。
[0031]在本專利技術的其他實施例中，通過帶有負壓吸附孔的焊接件將所述第一連接組件移動至焊接位置后，通過所述焊接件以超聲焊接的方式焊接所述第一導電件。
[0032]在本專利技術的其他實施例中，在所述第二芯片上識別第一基準，在所述第一絕緣件上識別第二基準，判斷所述第一基準與所述第二基準之間的距離，如果距離在設定范圍內，則判斷合格。
[0033]在本專利技術的其他實施例中，所述第二芯片具有焊盤，所述第一導電件包括主體部與連接部，所述主體部電連接于所述第一芯片，所述連接部電連接于所述焊盤，所述第一絕緣件包括第一絕緣部與第二絕緣部，所述主體部的外側包覆有所述第一絕緣部，所述連接部的外側包覆有所述第二絕緣部；
[0034]其中，沿所述焊盤的長度方向，所述第二絕緣部的尺寸小于所述焊盤的尺寸，以使所述焊盤沿長度方向的至少一端露出，以所述焊盤的露出端的第一側邊為所述第一基準，以所述第二絕緣部對應的第三側邊為所述第二基準，檢測所述第一側邊至所述第三側邊之間的距離，如果間距在設定范圍內，則判斷合格；
[0035]和/或，沿所述焊盤的長度方向，所述第二絕緣部的尺寸小于所述焊盤的尺寸度，以使所述焊盤沿寬度方向的至少一端露出，以所述焊盤的露出端的第二側邊為所述第一基準，以所述第二絕緣部對應的第四側邊為所述第二基準，檢測所述第二側邊至所述第四側邊之間本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.功率模塊，其特征在于，包括：引線框架；第一芯片，連接于所述引線框架；第二芯片，連接于所述引線框架；第一連接組件，包括第一絕緣件與第一導電件，所述第一導電件分別與所述第一芯片以及所述第二芯片電連接，所述第一導電件的外側包覆有所述第一絕緣件。2.根據權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述功率模塊還包括連接于所述引線框架的硬質電路板，所述硬質電路板包括絕緣層與導電層，所述導電層的一部分位于所述絕緣層內，并與所述第一芯片電連接，另一部分伸出所述絕緣層以形成所述第一導電件。3.根據權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述引線框架具有引腳，所述功率模塊還包括第二連接組件，所述第二連接組件包括第二絕緣件與第二導電件，所述第二導電件的兩端分別與所述第一芯片以及所述引腳電連接，所述第二導電件的外側包覆有所述第二絕緣件。4.根據權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述第一導電件為薄片結構，所述第一導電件至少沿厚度方向的兩側包覆有所述第一絕緣件。5.根據權利要求4所述的功率模塊，其特征在于，所述第一連接組件設置有多個，多個所述第一連接組件沿所述第一導電件的寬度方向間隔設置；或者，所述第一連接組件包括多個所述第一導電件，多個所述第一導電件被包覆在同一所述第一絕緣件內，且各所述第一導電件沿寬度方向間隔設置。6.根據權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述第二芯片具有焊盤，所述第一導電件包括主體部與連接部，所述主體部電連接于所述第一芯片，所述連接部電連接于所述焊盤，所述第一絕緣件包括第一絕緣部與第二絕緣部，所述主體部的外側包覆有所述第一絕緣部，所述連接部的外側包覆有所述第二絕緣部，其中，所述第一絕緣部的寬度小于所述第二絕緣部的寬度。7.根據權利要求6所述的功率模塊，其特征在于，所述第一連接組件的參數滿足以下中的至少一組：所述第一絕緣部的寬度為0.2mm至0.5mm；所述第二絕緣部的長度為0.4mm至1.0mm，寬度為0.3mm至0.8mm，所述焊盤的長度為0.3mm至0.9mm，寬度為0.2至0.7mm；所述第一導電件的厚度為0.035mm至0.07mm，所述第一絕緣件的單側厚度為0.03mm至0.07mm；所述第二絕緣部開設有第三窗口，所述連接部從所述第三窗口中露出的部分與所述焊盤電連接，所述第三窗口的長度小于所述焊盤...
【專利技術屬性】
技術研發人員：鄭楠楠，陳嶠，劉謙，
申請(專利權)人：深圳賽意法微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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