公開了一種掩模組件和一種用于制造顯示裝置的設(shè)備。所述掩模組件包括：第一掩模區(qū)域，包括第一開口區(qū)域；以及第二掩模區(qū)域，包括第二開口區(qū)域、半蝕刻區(qū)域和非蝕刻區(qū)域，第二開口區(qū)域具有定位在沿行方向和列方向的虛擬矩形的頂點(diǎn)處的中心，半蝕刻區(qū)域具有定位在虛擬矩形的中心處的中心，非蝕刻區(qū)域圍繞第二開口區(qū)域和半蝕刻區(qū)域。第二開口區(qū)域中的每個(gè)包括基體部和從基體部突出的至少一個(gè)突出部。基體部和從基體部突出的至少一個(gè)突出部。基體部和從基體部突出的至少一個(gè)突出部。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
掩模組件和用于制造顯示裝置的設(shè)備
[0001]本申請(qǐng)基于并要求于2021年5月11日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10
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2021
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0060743號(hào)韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。
[0002]公開涉及一種掩模組件和一種用于制造顯示裝置的設(shè)備，并且更具體地，涉及一種能夠防止在掩模工藝中可能發(fā)生的缺陷的掩模組件和用于制造顯示裝置的設(shè)備。
技術(shù)介紹
[0003]顯示裝置已經(jīng)用于各種目的，并且它們?cè)诟鞣N領(lǐng)域中的普及已經(jīng)增長。此外，已經(jīng)存在更薄和更輕的顯示裝置的趨勢(shì)和需求。
[0004]隨著顯示裝置的顯示區(qū)域增大，各種功能與顯示裝置組合或相關(guān)聯(lián)。為了添加各種功能并增大顯示裝置的顯示區(qū)域，用于具有各種功能并在顯示區(qū)域的內(nèi)部顯示圖像的顯示裝置的技術(shù)已經(jīng)引起了許多年的關(guān)注。
[0005]將理解的是，該
技術(shù)介紹
部分部分地旨在提供用于理解該技術(shù)的有用背景。然而該
技術(shù)介紹
部分還可以包括在這里公開的主題的對(duì)應(yīng)的有效申請(qǐng)日期之前不是相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員已知或理解的內(nèi)容的部分的想法、構(gòu)思或認(rèn)知。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0006]這里的實(shí)施例涉及防止由掩模組件和用于制造顯示裝置的設(shè)備的掩模工藝中的掩模組件和工藝對(duì)象之間產(chǎn)生的排斥力引起的缺陷，以提供能夠防止可能在掩模工藝中發(fā)生的缺陷的掩模組件和用于制造顯示裝置的設(shè)備。然而，這些問題僅僅是示例，并且公開的范圍不限于此。
[0007]另外的方面將部分地在下面的描述中闡述，并且部分地將通過描述而明顯，或者可以通過實(shí)踐給出的實(shí)施例來獲悉。
[0008]根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例，掩模組件可以包括：第一掩模區(qū)域，包括第一開口區(qū)域；以及第二掩模區(qū)域，包括第二開口區(qū)域、半蝕刻區(qū)域和非蝕刻區(qū)域。第二開口區(qū)域的中心可以定位在沿行方向和列方向的虛擬矩形的頂點(diǎn)處。半蝕刻區(qū)域的中心可以定位在虛擬矩形的中心處。非蝕刻區(qū)域可以圍繞第二開口區(qū)域和半蝕刻區(qū)域。第二開口區(qū)域中的每個(gè)可以包括基體部和從基體部突出的至少一個(gè)突出部。
[0009]根據(jù)實(shí)施例，至少一個(gè)突出部可以包括從基體部的上側(cè)突出的上突出部和從基體部的下側(cè)突出的下突出部。
[0010]根據(jù)實(shí)施例，虛擬矩形中的每個(gè)可以具有在行方向上的邊和在列方向上的邊，并且在行方向上的邊的長度可以小于在列方向上的邊的長度。
[0011]根據(jù)實(shí)施例，至少一個(gè)突出部可以包括從基體部的左側(cè)突出的左突出部和從基體部的右側(cè)突出的右突出部。
[0012]根據(jù)實(shí)施例，虛擬矩形中的每個(gè)可以具有在行方向上的邊和在列方向上的邊，并且在行方向上的邊的長度可以大于在列方向上的邊的長度。
[0013]根據(jù)實(shí)施例，至少一個(gè)突出部可以包括從基體部的上側(cè)突出的上突出部、從基體部的下側(cè)突出的下突出部、從基體部的左側(cè)突出的左突出部和從基體部的右側(cè)突出的右突出部。
[0014]根據(jù)實(shí)施例，虛擬矩形(虛擬正方形)中的每個(gè)可以具有在行方向上的邊和在列方向上的邊，并且在行方向上的邊的長度可以等于在列方向上的邊的長度。
[0015]根據(jù)實(shí)施例，第二掩模區(qū)域的有效厚度可以大于第一掩模區(qū)域的有效厚度。
[0016]根據(jù)實(shí)施例，第一掩模區(qū)域的有效厚度與第二掩模區(qū)域的有效厚度之間的差可以是約3μm或更小。
[0017]根據(jù)實(shí)施例，第二開口區(qū)域中的相鄰第二開口區(qū)域之間的間隔可以大于第一開口區(qū)域中的相鄰第一開口區(qū)域之間的間隔。
[0018]根據(jù)實(shí)施例，第二開口區(qū)域中的每個(gè)的直徑可以大于第一開口區(qū)域中的每個(gè)的直徑。
[0019]根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例，用于制造顯示裝置的設(shè)備可以包括：腔室，基底布置在腔室中；以及掩模組件，在基底之上形成發(fā)射層，顯示裝置包括其中設(shè)置有第一子像素的第一顯示區(qū)域和其中設(shè)置有第二子像素的第二顯示區(qū)域。掩模組件可以包括：第一掩模區(qū)域，包括第一開口區(qū)域；以及第二掩模區(qū)域，包括第二開口區(qū)域、半蝕刻區(qū)域和非蝕刻區(qū)域，第二開口區(qū)域具有定位在沿行方向和列方向的虛擬矩形的頂點(diǎn)處的中心，半蝕刻區(qū)域具有定位在虛擬矩形的中心處的中心，非蝕刻區(qū)域圍繞第二開口區(qū)域和半蝕刻區(qū)域。第二開口區(qū)域中的每個(gè)可以包括基體部和從基體部突出的至少一個(gè)突出部。第一子像素中的每個(gè)的發(fā)射層可以具有與第一開口區(qū)域的形狀對(duì)應(yīng)的形狀，并且第二子像素中的每個(gè)的發(fā)射層可以具有與第二開口區(qū)域的形狀對(duì)應(yīng)的形狀。
[0020]根據(jù)實(shí)施例，至少一個(gè)突出部可以包括從基體部的上側(cè)突出的上突出部和從基體部的下側(cè)突出的下突出部。
[0021]根據(jù)實(shí)施例，第二子像素中的每個(gè)的發(fā)射層的上側(cè)和下側(cè)可以在平面圖中突出。
[0022]根據(jù)實(shí)施例，至少一個(gè)突出部可以包括從基體部的左側(cè)突出的左突出部和從基體部的右側(cè)突出的右突出部。
[0023]根據(jù)實(shí)施例，第二子像素中的每個(gè)的發(fā)射層的左側(cè)和右側(cè)可以在平面圖中突出。
[0024]根據(jù)實(shí)施例，至少一個(gè)突出部可以包括從基體部的上側(cè)突出的上突出部、從基體部的下側(cè)突出的下突出部、從基體部的左側(cè)突出的左突出部和從基體部的右側(cè)突出的右突出部。
[0025]根據(jù)實(shí)施例，第二子像素中的每個(gè)的發(fā)射層的上側(cè)、下側(cè)、左側(cè)和右側(cè)可以在平面圖中突出。
[0026]根據(jù)實(shí)施例，第二掩模區(qū)域的有效厚度可以大于第一掩模區(qū)域的有效厚度，并且第一掩模區(qū)域的有效厚度與第二掩模區(qū)域的有效厚度之間的差可以為約3μm或更小。
[0027]根據(jù)實(shí)施例，第二開口區(qū)域中的相鄰第二開口區(qū)域之間的間隔可以大于第一開口區(qū)域中的相鄰第一開口區(qū)域之間的間隔，第二開口區(qū)域中的每個(gè)的直徑可以大于第一開口區(qū)域中的每個(gè)的直徑，第二子像素中的相鄰第二子像素的發(fā)射層之間的間隔可以大于第一
子像素中的相鄰第一子像素的發(fā)射層之間的間隔，并且第二子像素中的每個(gè)的發(fā)射層的直徑可以大于第一子像素中的每個(gè)的發(fā)射層的直徑。
[0028]通過以下詳細(xì)描述、所附權(quán)利要求和附圖，除了上述內(nèi)容之外的其他方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得明顯。
附圖說明
[0029]通過以下結(jié)合附圖的描述，某些實(shí)施例的以上和其他方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將更明顯，在附圖中：
[0030]圖1是示意性地示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的一部分的平面圖；
[0031]圖2是示意性地示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的一部分的沿著圖1的線I
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I'截取的剖視圖；
[0032]圖3是示意性地示出根據(jù)實(shí)施例的包括在顯示裝置中的子像素和透射區(qū)域的布置的平面圖；
[0033]圖4是示意性地示出根據(jù)實(shí)施例的沿著圖3的線II
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II'和III
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III'截取的顯示裝置的一部分的剖視圖；
[0034]圖5是示意性地示出根據(jù)實(shí)施例的用于制造顯示裝置的設(shè)備的剖視圖；
[0035]圖6是示意性地示出根據(jù)實(shí)施例的掩模組件的一部分的透視圖；
[0036]圖7是示意性地示出根據(jù)實(shí)施例的掩模組件的一部分的平面圖；
[0037]圖8是示意性地示出根據(jù)實(shí)施例的掩模組本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種掩模組件，所述掩模組件包括：第一掩模區(qū)域，包括第一開口區(qū)域；以及第二掩模區(qū)域，包括：第二開口區(qū)域，具有定位在沿行方向和列方向的虛擬矩形的頂點(diǎn)處的中心；半蝕刻區(qū)域，具有定位在所述虛擬矩形的中心處的中心；以及非蝕刻區(qū)域，圍繞所述第二開口區(qū)域和所述半蝕刻區(qū)域，其中，所述第二開口區(qū)域中的每個(gè)包括基體部和從所述基體部突出的至少一個(gè)突出部。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，其中，所述至少一個(gè)突出部包括：上突出部，從所述基體部的上側(cè)突出；以及下突出部，從所述基體部的下側(cè)突出。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模組件，其中，所述虛擬矩形中的每個(gè)具有在所述行方向上的邊和在所述列方向上的邊，并且在所述行方向上的所述邊的長度小于在所述列方向上的所述邊的長度。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，其中，所述至少一個(gè)突出部包括：左突出部，從所述基體部的左側(cè)突出；以及右突出部，從所述基體部的右側(cè)突出。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩模組件，其中，所述虛擬矩形中的每個(gè)具有在所述行方向上的邊和在所述列方向上的邊，并且在所述行方向上的所述邊的長度大于在所述列方向上的所述邊的長度。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，其中，所述至少一個(gè)突出部包括：上突出部，從所述基體部的上側(cè)突出；下突出部，從所述基體部的下側(cè)突出；左突出部，從所述基體部的左側(cè)突出；以及右突出部，從所述基體部的右側(cè)突出。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩模組件，其中，所述虛擬矩形中的每個(gè)具有在所述行方向上的邊和在所述列方向上的邊，并且在所述行方向上的所述邊的長度等于在所述列方向上的所述邊的長度。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，其中，所述第二掩模區(qū)域的有效厚度大于所述第一掩模區(qū)域的有效厚度。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩模組件，其中，所述第一掩模區(qū)域的所述有效厚度與所述第二掩模區(qū)域的所述有效厚度之間的差為3μm或更小。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模組件，其中，所述第二開口區(qū)域中的相鄰第二開口區(qū)域之間的間隔大于所述第一開口區(qū)域中的相鄰第一開口區(qū)域之間的間隔。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的掩模組件，其中，所述第二開口區(qū)域中的每個(gè)的直徑大于所述第一開口區(qū)域中的每個(gè)的直徑。12.一種用于制造顯示裝置的設(shè)備，所述顯示裝置包括第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域，第一子像素設(shè)置在第一顯示區(qū)域中，第二子像素設(shè)置在第二顯示區(qū)域中，所述設(shè)備包括：腔室，基底布置在所述腔室中；以及掩模組件，在所述基底之上形成發(fā)射層，其中，
所述...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：金相勳，樸鐘圣，安洪均，李相信，蔣敏智，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：三星顯示有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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