本發(fā)明專利技術(shù)涉及生產(chǎn)永磁釹鐵硼的一種均勻細(xì)化釹鐵硼晶粒的處理工藝，該工藝可達(dá)到均勻細(xì)化球形化晶粒的目的。工藝為將合金片破碎成細(xì)小的粉末，加入高沸點(diǎn)有機(jī)物攪拌均勻，通過加熱、速凝、過篩分散得到均勻的球形晶粒。該種新工藝優(yōu)點(diǎn)：可制備出更細(xì)的晶粒、晶粒尺寸集中度高、晶粒外觀近似球形。晶粒外觀近似球形。晶粒外觀近似球形。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種均勻細(xì)化釹鐵硼晶粒的處理工藝
[0001]本專利技術(shù)涉及一種均勻細(xì)化釹鐵硼晶粒的處理工藝，屬于新材料釹鐵硼磁體制造工藝領(lǐng)域。
技術(shù)介紹
[0002]現(xiàn)有技術(shù)存在的問題：目前釹鐵硼廠家普遍采用細(xì)化合金片晶粒，通過調(diào)整鑄片冷卻銅輥轉(zhuǎn)速與氣流磨分級(jí)輪轉(zhuǎn)速，制備出了不同晶粒尺寸的細(xì)粉,但是晶粒尺寸集中度低，外觀不規(guī)則，使制備出的磁體的表面缺陷多,增加反磁化形核幾率并降低了微觀散磁場(chǎng),造成提高矯頑力嚴(yán)重受限。因此，目前的生產(chǎn)工藝無(wú)法生產(chǎn)出更細(xì)、更均勻和缺陷少的晶粒。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0003]本技術(shù)方案解決了：目前細(xì)化晶粒的受尺寸、外觀和均勻性限制的問題。生產(chǎn)出更細(xì)的晶粒，尺寸集中度高，外觀近似球形的晶粒。能制造出超高矯頑力的產(chǎn)品。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供如下技術(shù)方案。
[0004]一種均勻細(xì)化釹鐵硼晶粒的處理工藝，其由以下步驟組成。
[0005]第一步：將釹鐵硼合金片第一次氫碎破碎成粉末。
[0006]第二步：將第一次氫碎破碎后得到的釹鐵硼合金粉末進(jìn)行第二次氫碎破碎和第一次球形化處理。
[0007]第三步：將高沸點(diǎn)有機(jī)混合物和第一次球形化處理后的粉末一起放入氣氛保護(hù)容器中持續(xù)攪拌并加熱，進(jìn)行第二次球形化處理，保溫溫度為：400~600℃，保溫時(shí)間為4~6小時(shí)。
[0008]第四步：保溫結(jié)束后快速冷卻至室溫，將粉體放入氣氛保護(hù)篩分機(jī)內(nèi)篩分分散，篩網(wǎng)孔徑為38微米，過篩分散得到細(xì)化的釹鐵硼晶粒。
[0009]所述第一步具體是：第一次氫碎破碎，將鐵硼合金片在真空度≤0.5Pa時(shí)，加熱至200~400℃孕育2小時(shí)，將釹鐵硼合金片攪拌的同時(shí)，通入氫氣快速吸氫，待壓降率每分鐘小于10Pa時(shí)，第一次吸氫完成，將吸氫后的釹鐵硼合金片加熱至900~1150℃抽真空脫氫，在真空度≤0.5Pa時(shí)，在氫碎罐體外部淋水冷卻到小于50℃后，第一次脫氫結(jié)束，完成第一次氫碎破碎。
[0010]所述第二步具體是：再次攪拌第一次脫氫后的釹鐵硼合金，在真空度≤0.5Pa時(shí)，加熱至300℃二次孕育，再次通入氫氣吸氫，待吸氫飽和后，加熱至900~1150℃脫氫，在真空度≤0.5Pa時(shí)，在氫碎罐體外部淋水冷卻到小于50℃以下，完成第二次氫碎破碎。因氫碎裸露的釹鐵硼晶粒表面能較大，表面張力對(duì)粉體內(nèi)部的壓力增加在較低的溫度時(shí)釹鐵硼晶粒易融化，晶粒的棱角逐步消融，同時(shí)完成釹鐵硼粉末第一次球形化。
[0011]所述第三步具體是：將高沸點(diǎn)有機(jī)混合物和破碎后的粉末一起放入氣氛保護(hù)容器中持續(xù)攪拌并加熱，保溫溫度為：400~600℃，保溫時(shí)間為4~6小時(shí)，進(jìn)行第二次球形化處理，
高沸點(diǎn)有機(jī)混合物為甘油和乙醇混合物，重量比為1:1~1:3，有機(jī)混合物和粉料的重量比為1:1000~2.5:1000。
[0012]所述第四步具體是：保溫結(jié)束后快速冷卻至室溫，將粉體放入氣氛保護(hù)篩分機(jī)內(nèi)篩分分散，篩網(wǎng)孔徑為38微米，過篩分散后的粉體為細(xì)化的釹鐵硼晶粒。
[0013]本專利技術(shù)的破碎工藝，合金片的尺寸范圍在0.1
?
100mm之間，經(jīng)過合金片在前期孕育，使得氫氣可迅速突破合金片表面的阻攔，從而進(jìn)入合金片內(nèi)部，加速了晶界相的稀土釹與氫氣反應(yīng)，生成氫化釹（Nd+H2=NdH2），NdH2體積增大，使得晶界相剝離脫落。待吸氫達(dá)到飽和后，不再生成氫化稀土（NdH2），再升到900~1150℃左右高溫后氫氣速度脫掉，又發(fā)生可逆反應(yīng)，生成了原來(lái)的晶界稀土相，使得晶界稀土相成為了超細(xì)粉，這次為第一次破碎，為第二次吸氫做準(zhǔn)備。待晶界稀土相剝離脫落后，釹鐵硼主相直接裸露出來(lái)，在溫度為300℃孕育后，即可發(fā)生Nd2Fe
14
B+2H2=2NdH2+12Fe+Fe2B的劇烈反應(yīng)，主相內(nèi)NdH2體積迅速增大，直接破壞釹鐵硼主相晶粒，使得破碎為細(xì)小的晶粒，再將其加熱至900~1150℃時(shí)，晶粒表面融化，使得表面棱角消融，外觀變得近似球形。但同時(shí)發(fā)生脫氫可逆反應(yīng)，氫氣迅速排出，重新生成釹鐵硼主相。經(jīng)過第二次氫化和第一次球形化，此時(shí)晶粒是由晶界相的超細(xì)粉和主相破碎的晶粒組成，由晶界相的超細(xì)粉粒度接近0.1微米左右，主相破碎晶粒在0.5微米左右，所以產(chǎn)生的晶粒粒徑≤1μm。
[0014]本專利技術(shù)的第二次球形化是指經(jīng)過第二次破碎后并經(jīng)過第一次球形化的粉末晶粒，添加高沸點(diǎn)有機(jī)混合物混合均勻后，粉末晶粒表面在添加劑的助熔下，使得晶界稀土相超細(xì)粉表面抱團(tuán)聚集，減少超細(xì)粉的存在，使得超細(xì)粉凝聚成粒度均勻的球形晶粒，從而也使得晶粒集中度高，所以產(chǎn)生的晶粒粒徑≤1μm，同時(shí)無(wú)超細(xì)粉存在。在快速冷卻條件下讓形成的球形粉末晶粒快速定型，再讓第二次球形化的粉末晶粒經(jīng)過篩分分散，讓團(tuán)聚在一起的球形晶粒分散開。
[0015]本專利技術(shù)所采用均勻細(xì)化釹鐵硼晶粒的處理工藝與現(xiàn)有技術(shù)對(duì)比，該工藝可達(dá)到均勻細(xì)化球形化晶粒的目的。工藝為將合金片破碎成細(xì)小的粉末，加入高沸點(diǎn)有機(jī)物攪拌均勻，通過加熱、速凝、過篩分散得到均勻的球形晶粒。該種新工藝優(yōu)點(diǎn)：可制備出更細(xì)的晶粒、晶粒尺寸集中度高、晶粒外觀近似球形。
[0016]附圖說明
[0017]圖1實(shí)施例1經(jīng)過本專利技術(shù)工藝處理后的釹鐵硼粉末晶粒500倍掃描電鏡照片。
[0018]圖2實(shí)施例4經(jīng)過專利技術(shù)工藝處理后的釹鐵硼粉末晶粒200倍掃描電鏡照片。
[0019]圖3傳統(tǒng)工藝制備的釹鐵硼粉末晶粒200倍掃描電鏡照片。
[0020]圖4傳統(tǒng)工藝制備的釹鐵硼粉末晶粒500倍掃描電鏡照片。
[0021]圖5實(shí)施例1的粉末晶粒的激光粒度分布圖。
[0022]圖6實(shí)施例2的粉末晶粒的激光粒度分布圖。
[0023]圖7實(shí)施例3的粉末晶粒的激光粒度分布圖。
[0024]圖8實(shí)施例4的粉末晶粒的激光粒度分布圖。
[0025]圖9傳統(tǒng)工藝制備的粉末晶粒的激光粒度分布圖。
具體實(shí)施方式
[0026]下面將更詳細(xì)地描述本專利技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施方式。雖然以下描述了本專利技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施方式，然而因該理解，可以以各種形式實(shí)現(xiàn)本專利技術(shù)而不應(yīng)該被這里闡述的實(shí)施方式所限制。實(shí)施例中未注明具體技術(shù)或條件者，按照本領(lǐng)域內(nèi)的文獻(xiàn)所描述的技術(shù)或條件或者按照產(chǎn)品說明書進(jìn)行。
[0027]實(shí)施例1第一步：第一次氫碎破碎，將鐵硼合金片加入氫碎爐，抽真空度0.5Pa時(shí)，加熱至200℃孕育兩小時(shí)，啟動(dòng)氫碎爐攪拌按鈕，同時(shí)通入氫氣快速吸氫，待壓降率每分鐘7Pa時(shí)，第一次吸氫完成，啟動(dòng)真空泵，關(guān)閉攪拌按鈕，將吸氫后的釹鐵硼合金片加熱至900℃繼續(xù)抽真空脫氫，在真空度0.5Pa時(shí)，在氫碎罐體外部淋水冷卻到48℃后，關(guān)閉真空泵，第一次脫氫結(jié)束。
[0028]第二步：?jiǎn)?dòng)設(shè)備，將第一次脫氫后的釹鐵硼晶粒，加熱至300℃孕育1小時(shí)，打開攪拌按鈕，再次通入氫氣吸氫，待壓降率每分鐘8Pa時(shí)，第二次吸氫完成，啟動(dòng)真空泵，關(guān)閉攪拌按鈕，將第二次吸氫后的釹鐵硼合金粉加熱至900℃，在真空度0.5Pa時(shí)，完成第二次脫氫，因氫碎裸露的釹鐵硼晶粒表面能較大，表面張力對(duì)粉體內(nèi)部的壓力增加在較低的本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種均勻細(xì)化釹鐵硼晶粒的處理工藝，其特征包含以下步驟：第一步：將釹鐵硼合金片第一次氫碎破碎成粉末；第二步：將第一次氫碎破碎后得到的釹鐵硼合金粉末進(jìn)行第二次氫碎破碎和第一次球形化處理；第三步：將高沸點(diǎn)有機(jī)混合物和第一次球形化處理后的粉末一起放入氣氛保護(hù)容器中持續(xù)攪拌并加熱，進(jìn)行第二次球形化處理，保溫溫度為：400~600℃，保溫時(shí)間為4~6小時(shí)；第四步：保溫結(jié)束后快速冷卻至室溫，將粉體放入氣氛保護(hù)篩分機(jī)內(nèi)篩分分散，篩網(wǎng)孔徑為38微米，過篩分散得到細(xì)化的釹鐵硼晶粒。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述均勻細(xì)化釹鐵硼晶粒的處理工藝，其特征為：釹鐵硼合金片第一次氫碎破碎成粉末工藝為：將鐵硼合金片在真空度≤0.5Pa時(shí)，加熱至200~400℃孕育2小時(shí)，將釹鐵硼合金片攪拌的同時(shí)，通入氫氣快速吸氫，待壓降率每分鐘小于10Pa時(shí)，第一次吸氫完成，將吸氫后的釹鐵...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：仉喜峰，張時(shí)茂，劉濤，劉民，侯立媛，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：安泰北方科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
還沒有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。