蒸鍍掩模的制造方法、蒸鍍掩模裝置的制造方法、蒸鍍方法制造方法及圖紙

本公開提供蒸鍍掩模的制造方法、蒸鍍掩模裝置的制造方法、蒸鍍方法。蒸鍍掩模的好壞判定方法具有如下的工序：測量工序，測量從P1點到Q1點的尺寸X1和從P2點到Q2點的尺寸X2；以及判定工序，根據在測量工序中測量出的尺寸X1和尺寸X2，判定蒸鍍掩模的好壞。判定蒸鍍掩模的好壞。判定蒸鍍掩模的好壞。

【技術實現步驟摘要】
蒸鍍掩模的制造方法、蒸鍍掩模裝置的制造方法、蒸鍍方法
[0001]本申請是分案申請，其原申請的中國國家申請號為201910603031.9，申請日為2019年07月05日，專利技術名稱為“蒸鍍掩模及其好壞判定、制造、選擇、其裝置的制造方法”。


[0002]本公開涉及蒸鍍掩模的好壞判定方法、蒸鍍掩模的制造方法、蒸鍍掩模裝置的制造方法、蒸鍍掩模的選擇方法以及蒸鍍掩模。

技術介紹

[0003]近年來，對于在智能手機、平板電腦等可移動設備中使用的顯示裝置，要求高精細化，例如像素密度為500ppi以上。另外，即使在可移動設備中，對于超高清的需要也在不斷高漲，在該情況下，要求顯示裝置的像素密度例如為800ppi以上。
[0004]在顯示裝置中，由于響應性良好、耗電低且對比度高，所以有機EL顯示裝置正在受到關注。作為形成有機EL顯示裝置的像素的方法，公知有這樣的方法：使用形成有以希望的圖案排列的貫通孔的蒸鍍掩模，按照希望的圖案形成像素(例如，參照專利文獻1)。具體來說，首先，使蒸鍍掩模以張緊設置的狀態緊密貼合于有機EL顯示裝置用的基板，接著，將緊密貼合的蒸鍍掩模和基板一起放入到蒸鍍裝置中，進行使有機材料蒸鍍到基板上的蒸鍍工序。在該情況下，為了精密地制作具有高像素密度的有機EL顯示裝置，要求按照設計精密地再現張緊設置時的蒸鍍掩模的貫通孔的位置。
[0005]專利文獻1：日本特開2001
?
234385號公報

技術實現思路

[0006]本公開的目的在于，提供能夠提高張緊設置時的貫通孔的位置精度的蒸鍍掩模的好壞判定方法、蒸鍍掩模的制造方法、蒸鍍掩模裝置的制造方法、蒸鍍掩模的選擇方法以及蒸鍍掩模。
[0007]本公開的第1方式是蒸鍍掩模的好壞判定方法，判定蒸鍍掩模的好壞，該蒸鍍掩模在第1方向上延伸，并具有：第1中心軸線，其在所述第1方向上延伸，配置在與所述第1方向垂直的第2方向的中心位置處；P1點和Q1點，它們設置在所述第1中心軸線的一側，沿著所述第1方向互相分離；以及P2點和Q2點，它們設置在所述第1中心軸線的另一側，沿著所述第1方向互相分離，其中，
[0008]該好壞判定方法具有如下的工序：
[0009]測量工序，測量從所述P1點到所述Q1點的尺寸X1和從所述P2點到所述Q2點的尺寸X2；以及
[0010]判定工序，根據在所述測量工序中測量出的所述尺寸X1和所述尺寸X2，判定所述蒸鍍掩模的好壞。
[0011]作為本公開的第2方式，在上述第1方式的蒸鍍掩模的好壞判定方法中，也可以是，
[0012]在所述判定工序中，在設所述尺寸X1和所述尺寸X2的設計值為α
X
時，判定是否滿
足數式1，
[0013]【數式1】
[0014][0015]作為本公開的第3方式，在上述第1方式或第2方式的蒸鍍掩模的好壞判定方法中，也可以是，
[0016]所述蒸鍍掩模具有多個貫通孔，
[0017]在所述判定工序中，在設所述尺寸X1和所述尺寸X2的設計值為α
X
，設從所述P1點到所述P2點的尺寸和從所述Q1點到所述Q2點的尺寸的設計值為α
Y
，設所述第2方向上的兩個所述貫通孔的中心點之間的距離中的最大值為W
Y
時，判定是否滿足數式2，
[0018]【數式2】
[0019][0020]作為本公開的第4方式，在上述第1方式到上述第3方式的各自的蒸鍍掩模的好壞判定方法中，也可以是，
[0021]所述P1點和所述P2點被有意配置成在蒸鍍時相對于所述第1中心軸線互相對稱，所述Q1點和所述Q2點被有意配置成在蒸鍍時相對于所述第1中心軸線互相對稱。
[0022]作為本公開的第5方式，在上述第1方式到上述第4方式的各自的蒸鍍掩模的好壞判定方法中，也可以是，
[0023]所述P1點和所述P2點相對于第2中心軸線配置在一側，該第2中心軸線配置在所述第1方向的中心位置處，
[0024]所述Q1點和所述Q2點相對于所述第2中心軸線配置在另一側。
[0025]作為本公開的第6方式，在上述第5方式的蒸鍍掩模的好壞判定方法中，也可以是，
[0026]所述P1點和所述Q1點被有意配置成在蒸鍍時相對于所述第2中心軸線互相對稱，所述P2點和所述Q2點被有意配置成在蒸鍍時相對于所述第2中心軸線互相對稱。
[0027]本公開的第7方式是蒸鍍掩模的制造方法，具有如下的工序：
[0028]準備蒸鍍掩模的工序；
[0029]通過上述第1方式到上述第6方式各自的蒸鍍掩模的好壞判定方法來判定所述蒸鍍掩模的好壞的工序。
[0030]本公開的第8方式是蒸鍍掩模的制造方法，制造蒸鍍掩模，該蒸鍍掩模在第1方向上延伸，并具有：第1中心軸線，其在所述第1方向上延伸，配置在與所述第1方向垂直的第2方向的中心位置處；P1點和Q1點，它們設置在所述第1中心軸線的一側，沿著所述第1方向互相分離；以及P2點和Q2點，它們設置在所述第1中心軸線的另一側，沿著所述第1方向互相分離，其中，
[0031]該蒸鍍掩模的制造方法具有如下的工序：
[0032]準備所述蒸鍍掩模的工序；
[0033]測量工序，測量從所述P1點到所述Q1點的尺寸X1和從所述P2點到所述Q2點的尺寸X2；以及
[0034]選擇工序，在設所述尺寸X1和所述尺寸X2的設計值為α
X
時，選擇在所述測量工序中測量出的所述尺寸X1和所述尺寸X2滿足數式3的所述蒸鍍掩模，
[0035]【數式3】
[0036][0037]作為本公開的第9方式，在上述第8方式的蒸鍍掩模的制造方法中，也可以是，
[0038]所述蒸鍍掩模具有多個貫通孔，
[0039]在所述選擇工序中，在設所述尺寸X1和所述尺寸X2的設計值為α
X
，設從所述P1點到所述P2點的尺寸和從所述Q1點到所述Q2點的尺寸的設計值為α
Y
，設所述第2方向上的兩個所述貫通孔的中心點之間的距離中的最大值為W
Y
時，選擇滿足數式4的所述蒸鍍掩模，
[0040]【數式4】
[0041][0042]本公開的第10方式是蒸鍍掩模的制造方法，制造蒸鍍掩模，該蒸鍍掩模在第1方向上延伸，并具有多個貫通孔，并且該蒸鍍掩模具有：第1中心軸線，其在所述第1方向上延伸，配置在與所述第1方向垂直的第2方向的中心位置處；P1點和Q1點，它們設置在所述第1中心軸線的一側，沿著所述第1方向互相分離；以及P2點和Q2點，它們設置在所述第1中心軸線的另一側，沿著所述第1方向互相分離，其中，
[0043]該蒸鍍掩模的制造方法具有如下的工序：
[0044]準備所述蒸鍍掩模的工序；
[0045]測量工序，測量從所述P1點到所述Q1點的尺寸X1和從所述P2點到所述Q2點的尺寸X2；以及
[0046]選擇工序，在設所述尺寸X1和本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種蒸鍍掩模的制造方法，其是在第1方向上延伸的蒸鍍掩模的制造方法，其中，該蒸鍍掩模的制造方法包含如下的工序：供給呈帶狀延伸的長條的金屬板的工序；對所述金屬板實施使用了光刻技術的蝕刻，從第1面側在所述金屬板上形成第1凹部的工序；以及對所述金屬板實施使用了光刻技術的蝕刻，從第2面側在所述金屬板上形成第2凹部的工序，所述蒸鍍掩模具有：第1中心軸線，其在所述第1方向上延伸，配置在與所述第1方向垂直的第2方向的中心位置處；P1點和Q1點，它們設置在所述第1中心軸線的一側，沿著所述第1方向互相分離；以及P2點和Q2點，它們設置在所述第1中心軸線的另一側，沿著所述第1方向互相分離，設從所述P1點到所述Q1點的尺寸為X1，設從所述P2點到所述Q2點的尺寸為X2，設所述尺寸X1和所述尺寸X2的設計值為α
X
時，滿足數式1，【數式1】2.根據權利要求1所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述蒸鍍掩模具有所述第1凹部和所述第2凹部互相連通而制作的多個貫通孔，在設所述尺寸X1和所述尺寸X2的設計值為α
X
，設從所述P1點到所述P2點的尺寸和從所述Q1點到所述Q2點的尺寸的設計值為α
Y
，設所述第2方向上的兩個所述貫通孔的中心點之間的距離中的最大值為W
Y
時，滿足數式2，【數式2】3.一種蒸鍍掩模的制造方法，其是在第1方向上延伸的蒸鍍掩模的制造方法，其中，該蒸鍍掩模的制造方法包含如下的工序：供給呈帶狀延伸的長條的金屬板的工序；對所述金屬板實施使用了光刻技術的蝕刻，從第1面側在所述金屬板上形成第1凹部的工序；以及對所述金屬板實施使用了光刻技術的蝕刻，從第2面側在所述金屬板上形成第2凹部的工序，所述蒸鍍掩模具有：第1中心軸線，其在所述第1方向上延伸，配置在與所述第1方向垂直的第2方向的中心位置處；P1點和Q1點，它們設置在所述第1中心軸線的一側，沿著所述第1方向互相分離；P2點和Q2點，它們設置在所述第1中心軸線的另一側，沿著所述第1方向互相分離；以及所述第1凹部和所述第2凹部互相連通而制作的多個貫通孔，設從所述P1點到所述Q1點的尺寸為X1、設從所述P2點到所述Q2點的尺寸為X2、設所述尺寸X1和所述尺寸X2的設計值為α
X
、設從所述P1點到所述P2點的尺寸和從所述Q1點到所述Q2點的尺寸的設計值為α
Y
、設所述第2方向上的兩個所述貫通孔的中心點之間的距離中的
最大值為W
Y
時，滿足數式3，【數式3】4.根據權利要求1～3中的任意一項所述的蒸鍍掩模的制造方法，其中，所述設計值α
...

【專利技術屬性】
技術研發人員：池永知加雄，
申請(專利權)人：大日本印刷株式會社，
類型：發明
國別省市：