半導體器件的制造方法、半導體器件及電子設備技術

本申請提供一種半導體器件的制造方法、半導體器件及電子設備，所述方法包括：提供一外延基片；在外延基片的第一表面上形成基區和發射區，基區和發射區上覆蓋有介質層；對介質層進行刻蝕，形成暴露出至少部分基區的摻雜開口；從第一表面一側和第二表面一側濺射第一金屬，使第一金屬摻雜至基區及外延基片的第二表面；在第一表面形成基極和發射極，在第二表面形成集電極。通過在形成基區和發射區后，形成暴露出基區的摻雜開口，然后從半導體器件的第一表面和第二表面均進行第一金屬摻雜。如此，使第一金屬的原子均勻的分布在PN結兩側，降低了第一金屬摻雜引起的缺陷，以及第一金屬摻雜對終端的影響。對終端的影響。對終端的影響。

【技術實現步驟摘要】
半導體器件的制造方法、半導體器件及電子設備


[0001]本申請涉及半導體
，具體而言，涉及一種半導體器件的制造方法、半導體器件及電子設備。

技術介紹

[0002]開關三極管具有壽命長、安全可靠、開關速度快等特點。可以用很小的電流，控制大電流的通斷，被廣泛應用于各種開關電路中，如常用的開關電源電路、驅動電路、高頻振蕩電路、模數轉換電路、脈沖電路及輸出電路等。三極管的開關時間是衡量器件的最重要的性能之一，為了降低開關時間，在一些方案中常會在器件背面擴散金或者鉑等金屬。這些方案中金和鉑的摻雜濃度通常較高，如需將器件的開關時間做的較快，則可能導致器件漏電的風險增大，甚至可能導致器件失效，影響產品可靠性。

技術實現思路

[0003]為了克服現有技術中的上述不足，本申請的目的在于提供一種半導體器件的制造方法，所述方法包括：
[0004]提供一外延基片，所述外延基片包括相對的第一表面和第二表面；
[0005]在所述外延基片的第一表面上形成基區和發射區，所述基區和發射區上覆蓋有介質層；
[0006]對所述介質層進行刻蝕，形成暴露出至少部分所述基區的摻雜開口；
[0007]從所述第一表面一側和所述第二表面一側濺射第一金屬，使所述第一金屬摻雜至所述基區及所述外延基片的第二表面；
[0008]在所述第一表面形成基極和發射極，在所述第二表面形成集電極。
[0009]在一種可能的實現方式中，所述從所述第一表面一側和所述第二表面一側進行濺射第一金屬的步驟，包括：
[0010]以500W
?
1000W的濺射功率在所述第一表面和所述第二表面濺射10nm
?
30nm的鉑。
[0011]在一種可能的實現方式中，所述從所述第一表面一側和所述第二表面一側濺射第一金屬的步驟之后，所述方法還包括：
[0012]通過王水去除所述第一表面和所述第二表面的鉑；
[0013]通過高溫爐管對鉑進行退火處理。
[0014]在一種可能的實現方式中，所述通過高溫爐管對鉑進行退火處理的步驟，包括：
[0015]通過高溫爐管在900攝氏度到1000攝氏度的環境中，對鉑進行15分鐘到60分鐘的退火處理。
[0016]在一種可能的實現方式中，所述摻雜開口包括環形或網格型的開口。
[0017]在一種可能的實現方式中，所述在所述外延基片的第一表面上形成基區和發射區，所述基區和發射區上覆蓋有介質層的步驟，包括：
[0018]在所述外延基片上形成介質層；
[0019]在所述介質層上形成暴露出所述外延基片的基區窗口；
[0020]通過所述基區窗口對所述外延基片進行硼摻雜，形成基區并形成覆蓋所述基區的介質層；
[0021]在所述介質層上形成暴露出所述外延基片的發射區窗口；
[0022]通過所述發射區窗口對所述外延基片進行磷摻雜，形成發射區并形成覆蓋所述發射區的介質層。
[0023]在一種可能的實現方式中，所述在所述第一表面形成基極和發射極，在所述第二表面形成集電極的步驟，包括：
[0024]通過光刻和腐蝕工藝形成暴露出所述基區和發射區的引線孔；
[0025]在所述第一表面和所述第二表面沉積第二金屬；
[0026]對所述第一表面和所述第二表面的第二金屬進行刻蝕形成所述基極、所述發射極及所述集電極。
[0027]在一種可能的實現方式中，所述提供一外延基片的步驟，包括：
[0028]提供一N型的半導體外延基片。
[0029]本申請的另一目的在于提供一種半導體器件，所述半導體器件通過本申請提供的所述半導體器件的制造方法制成。
[0030]本申請的另一目的在于提供一種電子設備，所述電子設備包括本申請提供的所述半導體器件。
[0031]相對于現有技術而言，本申請具有以下有益效果：
[0032]本申請提供的半導體器件的制造方法、半導體器件及電子設備，通過在形成基區和發射區后，形成暴露出基區的摻雜開口，然后從所述半導體器件的第一表面和第二表面均進行第一金屬摻雜。如此，使第一金屬的原子均勻的分布在PN結兩側，降低了第一金屬摻雜引起的缺陷，以及第一金屬摻雜對終端的影響。
附圖說明
[0033]為了更清楚地說明本申請實施例的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應當理解，以下附圖僅示出了本申請的某些實施例，因此不應被看作是對范圍的限定，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他相關的附圖。
[0034]圖1為現有技術中半導體器件的制造過程示意圖；
[0035]圖2為本申請實施例提供的半導體器件的制造方法的步驟流程圖；
[0036]圖3為本申請實施例提供的半導體器件的制造過程示意圖之一；
[0037]圖4為本申請實施例提供的半導體器件的制造過程示意圖之二；
[0038]圖5為步驟S120的子步驟示意圖；
[0039]圖6為本申請實施例提供的半導體器件的制造過程示意圖之三；
[0040]圖7為本申請實施例提供的半導體器件的制造過程示意圖之四；
[0041]圖8為本申請實施例提供的半導體器件的制造過程示意圖之五；
[0042]圖9為本申請實施例提供的半導體器件的制造過程示意圖之六；
[0043]圖10為步驟150的子步驟示意圖；
[0044]圖11為本申請實施例提供的半導體器件的制造過程示意圖之七；
[0045]圖12為本申請實施例提供的半導體器件的制造過程示意圖之八。
具體實施方式
[0046]為使本申請實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。通常在此處附圖中描述和示出的本申請實施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設計。
[0047]因此，以下對在附圖中提供的本申請的實施例的詳細描述并非旨在限制要求保護的本申請的范圍，而是僅僅表示本申請的選定實施例。基于本申請中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。
[0048]應注意到：相似的標號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步定義和解釋。
[0049]在本申請的描述中，需要說明的是，術語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，或者是該專利技術產品使用時慣常擺放的方位或位置關系，僅是為了便于描述本申請和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本申請的限制。此外，術語“第一”、“第二”、“第三”等僅用于區分描述本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一外延基片，所述外延基片包括相對的第一表面和第二表面；在所述外延基片的第一表面上形成基區和發射區，所述基區和發射區上覆蓋有介質層；對所述介質層進行刻蝕，形成暴露出至少部分所述基區的摻雜開口；從所述第一表面一側和所述第二表面一側濺射第一金屬，使所述第一金屬摻雜至所述基區及所述外延基片的第二表面；在所述第一表面形成基極和發射極，在所述第二表面形成集電極。2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述從所述第一表面一側和所述第二表面一側進行濺射第一金屬的步驟，包括：以500W
?
1000W的濺射功率在所述第一表面和所述第二表面濺射10nm
?
30nm的鉑。3.根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述從所述第一表面一側和所述第二表面一側濺射第一金屬的步驟之后，所述方法還包括：通過王水去除所述第一表面和所述第二表面的鉑；通過高溫爐管對鉑進行退火處理。4.根據權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述通過高溫爐管對鉑進行退火處理的步驟，包括：通過高溫爐管在900攝氏度到1000攝氏度的環境中，對鉑進行15分鐘到60分鐘的退火處理。5.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方...

【專利技術屬性】
技術研發人員：郝雪東，李大哲，任偉彬，
申請(專利權)人：吉林華微電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：