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    一種氮氧傳感器陶瓷芯片用的改進型膜片制造技術

    技術編號:35627460 閱讀:22 留言:0更新日期:2022-11-16 16:12
    本實用新型專利技術涉及氮氧傳感器技術領域,提供一種氮氧傳感器陶瓷芯片用的改進型膜片,包括第一膜片、加熱結構和第三膜片,第一膜片的底端設置有第二膜片;第一膜片的內部開設有通槽,第二膜片的底端設置有第三膜片,第二膜片和第三膜片的中間位置處設置有加熱結構,第一膜片的表面設置有防水結構,第一膜片、第二膜片和第三膜片的四周表面包裹有密封層,防水結構包括粘合層、防水膜和防護層。本實用新型專利技術通過設置有防水結構,第一膜片在使用的過程中,不便對尾氣中的水汽進行一個阻隔,導致水汽進入到氮氧傳感器,對氮氧傳感器的使用造成影響,因此通過防水膜的使用,可以對尾氣中的水汽進行一個阻隔,防止其進入,從而提高了防水氣的效果。氣的效果。氣的效果。

    【技術實現步驟摘要】
    一種氮氧傳感器陶瓷芯片用的改進型膜片


    [0001]本技術涉及氮氧傳感器
    ,特別涉及一種氮氧傳感器陶瓷芯片用的改進型膜片。

    技術介紹

    [0002]隨著社會的不斷發展,科學的進步,人們對于環保越來越重視,為了減少對環境的污染,國家對于汽車尾氣的排放有較高的要求,為了檢測尾氣排放是否超標,一般都會安裝氮氧傳感器對其進行一個檢測,在使用時為了減少氮氧傳感器內部陶瓷芯片的損壞,就需要對其進行一個保護,在進行保護時就需要用到一種氮氧傳感器陶瓷芯片用的改進型膜片;
    [0003]現今市場上的此類裝置種類繁多,基本可以滿足人們的使用需求,但是依然存在一定的問題:傳統的此類膜片在使用的過程中,不便對尾氣中的水汽進行一個阻隔,導致水汽進入到氮氧傳感器,對氮氧傳感器造成影響,因此適用性較弱。

    技術實現思路

    [0004](一)要解決的技術問題
    [0005]本技術的目的是提供一種氮氧傳感器陶瓷芯片用的改進型膜片,用以解決現有的一種氮氧傳感器陶瓷芯片用的改進型膜片在使用的過程中,不便對尾氣中的水汽進行一個阻隔,導致水汽進入到氮氧傳感器,對氮氧傳感器造成影響的缺陷。
    [0006](二)
    技術實現思路

    [0007]為了解決上述技術問題,本技術提供如下技術方案:一種氮氧傳感器陶瓷芯片用的改進型膜片,包括第一膜片、加熱結構和第三膜片,所述第一膜片的底端設置有第二膜片;所述第一膜片的內部開設有通槽,
    [0008]所述第二膜片的底端設置有第三膜片;
    [0009]所述第二膜片和第三膜片的中間位置處設置有加熱結構,所述第一膜片的表面設置有防水結構,所述第一膜片、第二膜片和第三膜片的四周表面包裹有密封層。
    [0010]優選的,所述防水結構包括粘合層、防水膜和防護層,所述粘合層設置于第一膜片的表面,所述粘合層的表面設置有防水膜,所述防水膜的表面設置有防護層。通過防水膜的使用,可以對尾氣中的水汽進行一個阻隔,防止其進入。
    [0011]優選的,所述防護層的材質為PVA涂布高阻隔薄膜。
    [0012]優選的,所述加熱結構包括導電片、加熱絲和絕緣層,所述導電片設置于第二膜片和第三膜片的中間位置處,所述導電片的中間位置處設置有加熱絲,所述導電片和加熱絲的外部包裹著絕緣層。通過導電片、加熱絲和絕緣層的使用,可以對其進行一個預加熱,使氮氧傳感器在接觸到熱量時不會因為突然的冷熱接觸,而出現損壞。
    [0013]優選的,所述絕緣層的材質為絕緣橡膠。
    [0014]優選的,所述通槽設置有若干個,若干個所述通槽在第一膜片的內部呈等間距排
    列。
    [0015](三)有益效果
    [0016]本技術提供的一種氮氧傳感器陶瓷芯片用的改進型膜片,其優點在于:通過設置有防水結構,第一膜片在使用的過程中,不便對尾氣中的水汽進行一個阻隔,導致水汽進入到氮氧傳感器,對氮氧傳感器的使用造成影響,因此通過防水膜的使用,可以對尾氣中的水汽進行一個阻隔,防止其進入,從而提高了防水氣的效果;
    [0017]通過設置有密封層,在使用時候,為了防止氧氣從第一膜片第二膜片和第三膜片的連接處溢出,因此通過密封層的使用,可以對第一膜片第二膜片和第三膜片的四周進行包裹,使氧氣不易溢出,從而提高了密封的效果;
    [0018]通過設置有加熱結構,在使用時,為了防止尾氣的熱量進入到氮氧傳感器的內部時,導致氮氧傳感器出現熱脹冷縮的現象,從而導致氮氧傳感器的損壞,因此通過導電片、加熱絲和絕緣層的使用,可以對其進行一個預加熱,使氮氧傳感器在接觸到熱量時不會因為突然的冷熱接觸,而出現損壞,從而提高了實用性。
    附圖說明
    [0019]為了更清楚地說明本技術實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本技術的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
    [0020]圖1為本技術的正視結構示意圖;
    [0021]圖2為本技術的俯視結構示意圖;
    [0022]圖3為本技術的正視立體結構示意圖;
    [0023]圖4為本技術的加熱結構結構示意圖;
    [0024]圖5為本技術的防水結構結構示意圖。
    [0025]圖中的附圖標記說明:1、第一膜片;2、防水結構;201、粘合層;202、防水膜;203、防護層;3、通槽;4、密封層;5、加熱結構;501、導電片;502、加熱絲;503、絕緣層;6、第二膜片;7、第三膜片。
    具體實施方式
    [0026]為使本技術實施例的目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合本技術實施例中的附圖,對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本技術一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本技術中的實施例,本領域普通技術人員在沒有作創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本技術保護的范圍。
    [0027]在本技術的描述中,需要說明的是,除非另有明確的規定和限定,術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解,例如,可以是固定連接,也可以是可拆卸連接,或一體地連接;可以是機械連接,也可以是電連接;可以是直接相連,也可以通過中間媒介間接相連,可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言,可以具體情況理解上述術語在本技術中的具體含義。
    [0028]實施例一
    [0029]請參閱圖1
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    5,本技術提供的一種氮氧傳感器陶瓷芯片用的改進型膜片,包括第一膜片1、加熱結構5和第三膜片7,第一膜片 1的底端設置有第二膜片6;第一膜片1的內部開設有通槽3,第二膜片6的底端設置有第三膜片7,第二膜片6和第三膜片7的中間位置處設置有加熱結構5,第一膜片1的表面設置有防水結構2,第一膜片1、第二膜片6和第三膜片7的四周表面包裹有密封層4,防水結構2包括粘合層201、防水膜202和防護層203,粘合層201設置于第一膜片1的表面,粘合層201的表面設置有防水膜202,防水膜 202的表面設置有防護層203,防護層203的材質為PVA涂布高阻隔薄膜。
    [0030]基于實施例1的一種氮氧傳感器陶瓷芯片用的改進型膜片工作原理是:第一膜片1在使用的過程中,防水膜202的使用會對尾氣中的水汽進行一個阻隔,阻隔水汽進入到氮氧傳感器陶瓷芯片的內部,防止水汽對氮氧傳感器陶瓷芯片內部造成傷害,影響氮氧傳感器陶瓷芯片的使用,從而完成防水的工作,在使用時候,通過密封層4的使用,可以對第一膜片1第二膜片6和第三膜片7的四周進行包裹,使氧氣不易從從第一膜片1第二膜片6和第三膜片7的連接處溢出,從而完成密封工作。
    [0031]實施例二
    [0032]本實施例還包括:第二膜片6和第三膜片7的中間位置處設置有加熱結構5,加熱結構5包括導電片501、加熱絲502和絕緣層503,導電片501設置于第二膜片6和第三膜片7本文檔來自技高網
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    【技術保護點】

    【技術特征摘要】
    1.一種氮氧傳感器陶瓷芯片用的改進型膜片,包括第一膜片(1)、加熱結構(5)和第三膜片(7),其特征在于:所述第一膜片(1)的底端設置有第二膜片(6);所述第一膜片(1)的內部開設有通槽(3),所述第二膜片(6)的底端設置有第三膜片(7);所述第二膜片(6)和第三膜片(7)的中間位置處設置有加熱結構(5),所述第一膜片(1)的表面設置有防水結構(2),所述第一膜片(1)、第二膜片(6)和第三膜片(7)的四周表面包裹有密封層(4)。2.根據權利要求1所述的一種氮氧傳感器陶瓷芯片用的改進型膜片,其特征在于:所述防水結構(2)包括粘合層(201)、防水膜(202)和防護層(203),所述粘合層(201)設置于第一膜片(1)的表面,所述粘合層(201)的表面設置有防水膜(202),所述防水膜(202)的表面設置有防護層(203)。3.根據權...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:彭琛雷運清
    申請(專利權)人:成都能斯特新材料科技有限公司
    類型:新型
    國別省市:

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