一種sheet掩膜版及F-mask掩膜版制造技術(shù)

本申請公開了一種sheet掩膜版及F

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種sheet掩膜版及F
?
mask掩膜版


[0001]本申請涉及蒸鍍領(lǐng)域，特別涉及一種sheet掩膜版及F
?
mask掩膜版。

技術(shù)介紹

[0002]有機電致發(fā)光器件(OLED)由于具有亮度高、色彩飽和、輕薄、可彎曲等優(yōu)點在顯示面板領(lǐng)域占比逐漸增大。
[0003]OLED或AMOLED制程工藝中，蒸鍍?yōu)闆Q定OLED或AMOLED性能關(guān)鍵的工藝之一，與蒸鍍系統(tǒng)配合的掩膜版(Mask)是決定蒸鍍系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，F(xiàn)MM的主要作用是在OLED生產(chǎn)過程中沉積RGB有機物質(zhì)并形成像素，準確和精細地沉淀有機物質(zhì)，提高分辨率和良率。FMM的開孔直接決定OLED顯示屏的像素高低，開孔越小，像素越高。
[0004]FMM在使用過程中，由于重力和受熱膨脹的原因，會有500μm的下垂量，下垂量越大，造成的混色的比例和風險越大，分辨率越高，影響越嚴重。在實際生產(chǎn)過程中，為了減少下垂量，采用F
?
mask(由Frame和sheet組成)來支撐FMM。由于F
?
mask剛度大，下垂量比FMM小，約為200μm。F
?
mask的使用在一定程度上減少了FMM的下垂量，降低了混色的比例和影響程度。但是現(xiàn)有的F
?
mask使用后蒸鍍質(zhì)量的穩(wěn)定性較差。
[0005]上述
技術(shù)介紹
是為了便于理解本技術(shù)，并非是申請本技術(shù)之前已向普通公眾公開的公知技術(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

[0006]基于上述問題，本申請?zhí)峁┮环Nsheet掩膜版，該掩膜版張網(wǎng)焊接時用較小的拉力可以使sheet整平，使得F
?
mask本體不易發(fā)生變形，從而提高了蒸鍍質(zhì)量的穩(wěn)定性。
[0007]一種sheet掩膜版，包括由厚度為h0的基材形成的基板，該基板包括有效區(qū)和將有效區(qū)包圍在內(nèi)的輔助區(qū)，有效區(qū)與輔助區(qū)之間設(shè)有焊接區(qū)，有效區(qū)為由橫向骨架和縱向骨架形成的鏤空的網(wǎng)格狀，所述橫向骨架，其厚度>0.7h0，且<h0；縱向骨架，其厚度>0.7h0，且<h0。
[0008]可選地，所述橫向骨架的上表面與焊接區(qū)的上表面之間具有高度差，縱向骨架的上表面與焊接區(qū)的上表面之間具有高度差。
[0009]可選地，所述橫向骨架的下表面與焊接區(qū)的下表面之間具有高度差，縱向骨架的下表面與焊接區(qū)的下表面之間具有高度差。
[0010]可選地，所述橫向骨架的上表面與焊接區(qū)的上表面之間具有高度差，縱向骨架的上表面與焊接區(qū)的上表面之間具有高度差；橫向骨架的下表面與焊接區(qū)的下表面之間具有高度差，縱向骨架的下表面與焊接區(qū)的下表面之間具有高度差。
[0011]可選地，所述橫向骨架寬度沿sheet掩膜版橫向中心線向外漸次減少，縱向骨架寬度沿sheet掩膜版縱向中心線向外漸次減少。
[0012]可選地，所述橫向骨架的上表面與焊接區(qū)的上表面之間具有高度差，縱向骨架的上表面與焊接區(qū)的上表面之間具有高度差。
[0013]可選地，所述橫向骨架的下表面與焊接區(qū)的下表面之間具有高度差，縱向骨架的下表面與焊接區(qū)的下表面之間具有高度差。
[0014]可選地，所述橫向骨架的上表面與焊接區(qū)的上表面之間具有高度差，縱向骨架的上表面與焊接區(qū)的上表面之間具有高度差；所述橫向骨架的下表面與焊接區(qū)的下表面之間具有高度差，縱向骨架的下表面與焊接區(qū)的下表面之間具有高度差。
[0015]可選地，所述輔助區(qū)厚度<h0，其中，所述輔助區(qū)的上表面與焊接區(qū)的上表面之間具有高度差。
[0016]可選地，所述輔助區(qū)厚度<h0，其中，所述輔助區(qū)的下表面與焊接區(qū)的下表面之間具有高度差。
[0017]可選地，所述輔助區(qū)厚度<h0，其中，所述輔助區(qū)的上表面與焊接區(qū)的上表面之間具有高度差，所述輔助區(qū)的下表面與焊接區(qū)的下表面之間具有高度差。
[0018]可選地，所述輔助區(qū)的上表面刻蝕有若干第一凹槽，第一凹槽包括橫向的第一凹槽和縱向的第一凹槽，橫向的第一凹槽的長度沿sheet掩膜版橫向中心線向外漸次減少，縱向的第一凹槽的長度沿sheet掩膜版縱向中心線向外漸次減少。
[0019]可選地，所述輔助區(qū)的下表面刻蝕有若干第二凹槽，第二凹槽與第一凹槽交錯排列，第二凹槽包括橫向的第二凹槽和縱向的第二凹槽，橫向的第二凹槽的長度沿sheet掩膜版橫向中心線向外漸次減少，縱向的第二凹槽的長度沿 sheet掩膜版縱向中心線向外漸次減少。
[0020]本申請還提供一種F
?
mask掩膜版。
[0021]一種F
?
mask掩膜版，包括sheet掩膜版和Frame框，所述sheet掩膜版為上述的sheet掩膜版。
[0022]專利技術(shù)原理及有益效果：
[0023]本申請專利技術(shù)人經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，F(xiàn)
?
mask的sheet在張網(wǎng)焊接到Frame的過程中，需要施加很大的拉力使其平坦度達到設(shè)定值以下(通常是50μm)，同時給Frame 施加相反方向的推力，然后將sheet焊接到Frame上。這個一對持續(xù)力的作用結(jié)果，導致后期使用過程中，F(xiàn)
?
mask本體發(fā)生變形，從而影響蒸鍍工藝質(zhì)量，導致蒸鍍質(zhì)量的穩(wěn)定性較差。
[0024]本申請通過對sheet掩膜版的有效區(qū)的骨架及輔助區(qū)域進行化學蝕刻減薄處理，張網(wǎng)焊接時用較小的拉力可以使sheet整平，使得F
?
mask本體不易發(fā)生變形，從而提高了蒸鍍質(zhì)量的穩(wěn)定性。
附圖說明
[0025]圖1為金屬原材結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2為本技術(shù)
技術(shù)介紹
sheet掩膜版示意圖；
[0027]圖3為sheet掩膜版張網(wǎng)時sheet掩膜版的受力方向示意；
[0028]圖4為本技術(shù)實施例3sheet掩膜版結(jié)構(gòu)示意圖，其中4a為A面或B 面減薄那面向上的示意圖，4b為未減薄那面向上的示意圖；
[0029]圖5為本技術(shù)實施例5sheet掩膜版結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖6為本技術(shù)實施例7sheet掩膜版結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖7為本技術(shù)實施例9sheet掩膜版結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖8為本技術(shù)實施例11sheet掩膜版結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖9為本技術(shù)實施例13sheet掩膜版結(jié)構(gòu)示意圖，其中9a為A面俯視圖示意圖，9b為B面俯視圖示意圖；
[0034]圖10為本技術(shù)實施例15sheet掩膜版結(jié)構(gòu)示意圖，其中10a為A面俯視圖示意圖，10b為B面俯視圖示意圖。
具體實施方式
[0035]下面將結(jié)合附圖對本申請作進一步說明。
[0036]在本技術(shù)的描述中，需要說明的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎向”、“縱向”、“側(cè)向”、“水平”、“內(nèi)”、“外”、“前”、“后”、“頂”、“底”等指示本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種sheet掩膜版，包括由厚度為h0的基材形成的基板(1)，該基板(1)包括有效區(qū)(2)和將有效區(qū)(2)包圍在內(nèi)的輔助區(qū)(3)，有效區(qū)(2)與輔助區(qū)(3)之間設(shè)有焊接區(qū)(6)，有效區(qū)(2)為由橫向骨架(4)和縱向骨架(5)形成的鏤空的網(wǎng)格狀，其特征在于：所述橫向骨架(4)，其厚度>0.7h0，且<h0；縱向骨架(5)，其厚度>0.7h0，且<h0。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sheet掩膜版，其特征在于，所述橫向骨架(4)的上表面與焊接區(qū)(6)的上表面之間具有高度差，縱向骨架(5)的上表面與焊接區(qū)(6)的上表面之間具有高度差。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sheet掩膜版，其特征在于，所述橫向骨架(4)的下表面與焊接區(qū)(6)的下表面之間具有高度差，縱向骨架(5)的下表面與焊接區(qū)(6)的下表面之間具有高度差。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sheet掩膜版，其特征在于，所述橫向骨架(4)的上表面與焊接區(qū)(6)的上表面之間具有高度差，縱向骨架(5)的上表面與焊接區(qū)(6)的上表面之間具有高度差；橫向骨架(4)的下表面與焊接區(qū)(6)的下表面之間具有高度差，縱向骨架(5)的下表面與焊接區(qū)(6)的下表面之間具有高度差。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的sheet掩膜版，其特征在于，所述橫向骨架(4)寬度沿sheet掩膜版橫向中心線向外漸次減少，縱向骨架(5)寬度沿sheet掩膜版縱向中心線向外漸次減少。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的sheet掩膜版，其特征在于，所述橫向骨架(4)的上表面與焊接區(qū)(6)的上表面之間具有高...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉鑫，李博，趙陽，吳義超，楊凡，李哲，
申請(專利權(quán))人：成都拓維高科光電科技有限公司，
類型：新型
國別省市：