一種金屬掩膜版制造技術

本實用新型專利技術公開了一種金屬掩膜版，涉及顯示技術領域，其可至少部分解決現(xiàn)有技術中掩膜版使用張網拉力時，掩膜版主體的邊框區(qū)與網面區(qū)需要不同拉力，造成網面區(qū)折角處容易出現(xiàn)形變，影響掩膜版成品品質的問題。本實用新型專利技術實施例一的一種金屬掩膜版，包括具有遮擋區(qū)的掩膜版主體，所述遮擋區(qū)的頂部半蝕刻有若干間隔式設置的減重單元，單位面積的減重單元分布密度沿遮擋區(qū)頂部的中間位置往邊角位置呈規(guī)律式降低。式降低。式降低。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
一種金屬掩膜版


[0001]本技術涉及顯示
，具體涉及一種金屬掩膜版。

技術介紹

[0002]金屬掩膜版是AMOLED產品蒸鍍工藝中的主要治具之一，通過掩膜版上的開口對蒸鍍區(qū)域進行限制。金屬掩膜版的制作需要通過張網工藝，將金屬掩膜版使用一定張網拉力張拉之后再使用激光將掩膜版焊接在框架上，以抵抗網面重力造成的網面下垂量，但張網拉力本身會使網面產生面內形變，影響網面圖案的位置精度。
[0003]在以往，為了解決上述的張網形變問題，常用的做法是：在設定形變預留量時，給金屬掩膜版的整條邊使用同一縮率。這種情況下，如圖2，由于金屬掩膜版的各頂角位置不易產生拉伸形變，故在這些位置會需要使用較大的張網拉力才能使其產生預定的形變預留量，但是過大的拉力會導致金屬掩膜版的網面在各角位置更易出現(xiàn)形變，進而影響掩膜版成品品質。

技術實現(xiàn)思路

[0004]本技術的目的是提供一種金屬掩膜版及其制造方法，用于解決現(xiàn)有技術中掩膜版使用張網拉力時，掩膜版主體的邊框區(qū)與網面區(qū)需要不同拉力，造成網面區(qū)折角處容易出現(xiàn)形變，影響掩膜版成品品質的問題。
[0005]為解決上述技術問題，本技術采用了以下方案：
[0006]本技術的一個方面提供一種金屬掩膜版，包括具有遮擋區(qū)的掩膜版主體，所述遮擋區(qū)的頂部半蝕刻有若干間隔式設置的減重單元，單位面積的減重單元分布密度沿遮擋區(qū)頂部的中間位置往邊角位置呈規(guī)律式降低。
[0007]可選的，所述遮擋區(qū)包括邊框遮擋區(qū)，所述減重單元的分布密度沿邊框遮擋區(qū)的中間位置往邊框遮擋區(qū)的折角處降低。
[0008]可選的，所述邊框遮擋區(qū)包括長邊框遮擋區(qū)和短邊框遮擋區(qū)，長邊框遮擋區(qū)和短邊框遮擋區(qū)構成矩形狀的邊框遮擋區(qū)；
[0009]長邊框遮擋區(qū)的長度和寬度均大于短邊框遮擋區(qū)，長邊框遮擋區(qū)的減重單元分布密度沿其中間位置往長邊框遮擋區(qū)的折角處降低。
[0010]可選的，所述長邊框遮擋區(qū)設有兩列并列設置的減重單元，兩列減重單元的分布密度均沿長邊框遮擋區(qū)的中間位置往其折角處降低；所述短邊框遮擋區(qū)設置有至少一列減重單元。
[0011]可選的，所述遮擋區(qū)還包括設于所述邊框遮擋區(qū)內的網面遮擋區(qū)，減重單元的分布密度沿網面遮擋區(qū)的中心位置往邊框遮擋區(qū)降低；
[0012]網面遮擋區(qū)的減重單元的分布密度小于邊框遮擋區(qū)的分布密度。
[0013]可選的，所述減重單元的分布密度規(guī)律包括但不限于以下三種：
[0014]規(guī)律一：分布密度沿所述遮擋區(qū)頂部的中間位置往邊角位置均勻降低；
[0015]規(guī)律二：分布密度沿其到邊角位置的重力臂距離成正比例關系；
[0016]規(guī)律三：分布密度與其分布位置遮擋區(qū)的靜置下垂量呈正比例關系。
[0017]可選的，所述減重單元的分布密度均采用規(guī)律一進行分布。
[0018]可選的，所述減重單元的形狀包括但不限于以下幾種：圓形、橢圓形、圓環(huán)形或正多邊形的孔狀。
[0019]可選的，所述減重單元的結構均相同，均為圓形的盲孔。
[0020]本技術的另一個方面提供一種金屬掩膜版的制造方法，用于制造以上任一所述的一種金屬掩膜版，具體包括以下步驟：
[0021]步驟S1：在所述掩膜版主體頂部半蝕刻蒸鍍區(qū)的同時，在所述遮擋區(qū)半蝕刻減重單元；
[0022]步驟S2：在步驟S1的基礎上，僅蝕刻蒸鍍區(qū)，直至將蒸鍍區(qū)蝕刻穿。
[0023]本技術具有的有益效果：
[0024]本技術的一種金屬掩膜版，包括具有遮擋區(qū)的掩膜版主體，所述遮擋區(qū)的頂部半蝕刻有若干間隔式設置的減重單元，單位面積的減重單元分布密度沿遮擋區(qū)的中間位置往邊角位置呈規(guī)律式降低。
[0025]其作用是：通過在掩膜版主體的頂部半蝕刻間隔式設置的減重單元，且單位面積的減重單元沿遮擋區(qū)的中間位置往邊角位置呈規(guī)律式降低，可以降低并均衡掩膜版主體遮擋區(qū)各個位置處的重力矩，從而降低掩膜版主體中間位置的網面下垂量，降低張緊掩膜版主體遮擋區(qū)各個位置所需拉力，同時，設置的減重單元可以直接破壞掩膜版主體遮擋區(qū)的整體結構，降低其結構強度，從而降低拉動其變形所需的拉力，從而縮小網面區(qū)與遮擋區(qū)的拉力差，因此，通過在掩膜版主體頂部遮擋區(qū)設置分布密度從中部到邊緣逐漸降低的減重單元，可從直接降低網面下垂以及平衡拉力兩個方面減少掩膜版主體網面區(qū)四個折角處的形變量，提高掩膜版的成品品質，解決現(xiàn)有技術中網面遮擋區(qū)各個折角處容易出現(xiàn)形變，影響掩膜版成品品質的問題。
附圖說明
[0026]圖1為現(xiàn)有技術中金屬掩膜版的俯視結構示意圖；
[0027]圖2為現(xiàn)有技術中金屬掩膜版網面張緊時的俯視結構示意圖；
[0028]圖3為現(xiàn)有技術中金屬掩膜版網面靜置下垂時的左視結構示意圖；
[0029]圖4為實施例一中金屬掩膜版的俯視結構示意圖；
[0030]圖5為實施例二中金屬掩膜版的俯視結構示意圖；
[0031]圖6為實施例二中遮擋區(qū)各個位置處重力矩平衡后的左視示意圖；
[0032]圖7為實施例二中金屬掩膜版網面張緊時的俯視結構示意圖；
[0033]附圖標記說明：1
?
掩膜版主體，11
?
邊框遮擋區(qū)，111
?
長邊框遮擋區(qū)，112
?
短邊框遮擋區(qū)，12
?
網面遮擋區(qū)，13
?
減重單元，14
?
蒸鍍區(qū)。
具體實施方式
[0034]下面結合實施例及附圖，對本技術作進一步的詳細說明，但本技術的實施方式不限于此。
[0035]在本技術的描述中，需要說明的是，術語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎向”、“縱向”、“側向”、“水平”、“內”、“外”、“前”、“后”、“頂”、“底”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，或者是該技術產品使用時慣常擺放的方位或位置關系，僅是為了便于描述本技術和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本技術的限制。
[0036]在本技術的描述中，還需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術語“設置”、“開有”、“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本技術中的具體含義。
[0037]下面通過參考附圖并結合實施例來詳細說明本技術：
[0038]實施例一：
[0039]如圖4，本技術的一個方面提供一種金屬掩膜版，包括具有遮擋區(qū)的掩膜版主體1，所述遮擋區(qū)的頂部半蝕刻有若干間隔式設置的減重單元13，單位面積的減重單元13分布密度沿遮擋區(qū)頂部的中間位置往邊角位置呈規(guī)律式降低。...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種金屬掩膜版，包括具有遮擋區(qū)的掩膜版主體(1)，其特征在于，所述遮擋區(qū)的頂部半蝕刻有若干間隔式設置的減重單元(13)，單位面積的減重單元(13)分布密度沿遮擋區(qū)頂部的中間位置往邊角位置呈規(guī)律式降低；所述減重單元(13)的分布密度規(guī)律包括以下三種：規(guī)律一：分布密度沿所述遮擋區(qū)頂部的中間位置往邊角位置均勻降低；規(guī)律二：分布密度沿其到邊角位置的重力臂距離成正比例關系；規(guī)律三：分布密度與其分布位置遮擋區(qū)的靜置下垂量呈正比例關系。2.根據權利要求1所述的一種金屬掩膜版，其特征在于，所述遮擋區(qū)包括邊框遮擋區(qū)(11)，所述減重單元(13)的分布密度沿邊框遮擋區(qū)(11)的中間位置往邊框遮擋區(qū)(11)的折角處降低。3.根據權利要求2所述的一種金屬掩膜版，其特征在于，所述邊框遮擋區(qū)(11)包括長邊框遮擋區(qū)(111)和短邊框遮擋區(qū)(112)，長邊框遮擋區(qū)(111)和短邊框遮擋區(qū)(112)構成矩形狀的邊框遮擋區(qū)(11)；長邊框遮擋區(qū)(111)的長度和寬度均大于短邊框遮擋區(qū)(112)，長邊框遮擋區(qū)(111)的減重單元(13)分布密度沿其...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：李博，劉鑫，李哲，楊凡，吳義超，
申請(專利權)人：成都拓維高科光電科技有限公司，
類型：新型
國別省市：