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    一種具有結構化閃爍體的高分辨率X射線探測器制造技術

    技術編號:35662448 閱讀:23 留言:0更新日期:2022-11-19 17:02
    本實用新型專利技術涉及一種具有結構化閃爍體的高分辨率X射線探測器,包括光纖面板,光纖面板一端為由嵌入Gd2O2S:Tb熒光顆粒構成的熒光閃爍體,光纖面板遠離熒光閃爍體的另一端接CCD/CMOS圖像傳感器,X射線從熒光閃爍體進入,探測轉換為典型波長為540nm的綠色光,再經過光纖直接到達光纖面板另一面連接的CCD/CMOS圖像傳感器。Gd2O2S:Tb熒光顆粒直接嵌在光纖中,形成具體結構化的熒光體閃爍體,X射線經Gd2O2S:Tb熒光顆粒轉化后的可見光經過光纖面板FOP直接到達了CCD/CMOS圖像傳感器表面,很大程度的減少的散射現(xiàn)象,避免了未轉換的X射線穿過閃爍體直接到達CCD/CMOS圖像傳感器,從而可以大大提高X射線轉化效率及成像分辨率。大提高X射線轉化效率及成像分辨率。大提高X射線轉化效率及成像分辨率。

    【技術實現(xiàn)步驟摘要】
    一種具有結構化閃爍體的高分辨率X射線探測器


    [0001]本技術涉及一種探測器成像技術,特別涉及一種具有結構化閃爍體的高分辨率X射線探測器。

    技術介紹

    [0002]X射線探測器常規(guī)結構包括閃爍體、光電轉換陣列和電子學部分,如圖1所示X射線探測器結構示意圖,閃爍體GOS1置于光纖面板2上方,光纖面板2遠離閃爍體GOS1的另一端接CCD/CMOS圖像傳感器3,X射線經GOS轉化后通過光纖面板2將信息導入CCD/CMOS圖像傳感器3。由于閃爍體GOS1與光纖面板2、CCD/CMOS圖像傳感器3不是緊密貼合,中間有間隙,光在傳輸中會存在散射存在,導致了X射線轉化效率大大降低,成像分辨率降低,成像模糊。

    技術實現(xiàn)思路

    [0003]針對現(xiàn)有的閃爍體結構存在問題,提出了一種具有結構化閃爍體的高分辨率X射線探測器,以降低X射線經GOS轉化后的光散射現(xiàn)象,從而實現(xiàn)提高X射線光轉化效率以及成像質量的目的。
    [0004]本技術的技術方案為:一種具有結構化閃爍體的高分辨率X射線探測器,包括光纖面板,光纖面板一端為由嵌入Gd2O2S:Tb熒光顆粒構成的熒光閃爍體,光纖面板遠離熒光閃爍體的另一端接CCD/CMOS圖像傳感器,X射線從熒光閃爍體進入,探測轉換為典型波長為540nm的綠色光,再經過光纖直接到達光纖面板另一面連接的CCD/CMOS圖像傳感器。
    [0005]優(yōu)選的,所述光纖面板由數(shù)根光纖組成,在每根光纖遠離CCD/CMOS圖像傳感器的一端有槽;Gd2O2S:Tb熒光顆粒填充光纖面板中的每根光纖的槽,槽的深度為填充的Gd2O2S:Tb熒光顆粒的厚度。
    [0006]優(yōu)選的,所述光纖面板中所有光纖上的槽位于同一高度平面上,所有光纖上的槽深度相同。
    [0007]優(yōu)選的,所述光纖的槽深度根據(jù)X射線轉換實際需要設計。
    [0008]一種結構化閃爍體,由嵌入充滿光纖端部或光纖組端部的熒光顆粒構成。
    [0009]本技術的有益效果在于:本技術具有結構化閃爍體的高分辨率X射線探測器,Gd2O2S:Tb熒光顆粒直接嵌在光纖中,X射線經Gd2O2S:Tb熒光顆粒轉化后的光經過光纖面板FOP直接到達了CCD/CMOS圖像傳感器表面,很大程度的減少的散射現(xiàn)象,從而可以大大提高X射線轉化效率及成像分辨率。
    附圖說明
    [0010]圖1為現(xiàn)有X射線探測器結構示意圖;
    [0011]圖2為本技術具有結構化閃爍體的高分辨率X射線探測器結構示意圖;
    [0012]圖3為本技術結構化閃爍體結構放大圖。
    具體實施方式
    [0013]下面結合附圖和具體實施例對本技術進行詳細說明。本實施例以本技術技術方案為前提進行實施,給出了詳細的實施方式和具體的操作過程,但本技術的保護范圍不限于下述的實施例。
    [0014]如圖2所示具有結構化閃爍體的高分辨率X射線探測器結構示意圖,光纖面板(FOP)11由很多微小的光纖組成,通常在幾微米到幾十微米;在每根微小的光纖遠離CCD/CMOS圖像傳感器3的一端上挖一定深度的槽,槽的深度根據(jù)X射線轉換實際需要而定;Gd2O2S:Tb熒光顆粒粉末10直接填充到光纖面板11中的每根光纖的槽中,槽的深度決定了填充的Gd2O2S:Tb熒光顆粒粉末10的厚度。如圖3所示放大圖,X射線從由Gd2O2S:Tb熒光顆粒粉末10構成的熒光閃爍體進入,探測轉換為典型波長為540nm的綠色光經過光纖直接到達光纖面板11下的CCD/CMOS圖像傳感器進行成像。X射線經Gd2O2S:Tb熒光顆粒轉化后的可見光經過光纖面板FOP直接到達了CCD/CMOS圖像傳感器表面,避免了中間光的散射,提高X射線轉化效率及成像分辨率。
    [0015]以上所述實施例僅表達了本技術的幾種實施方式,其描述較為具體和詳細,但并不能因此而理解為對技術專利范圍的限制。應當指出的是,對于本領域的普通技術人員來說,在不脫離本技術構思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些都屬于本技術的保護范圍。因此,本技術專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
    本文檔來自技高網
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    【技術保護點】

    【技術特征摘要】
    1.一種具有結構化閃爍體的高分辨率X射線探測器,其特征在于,包括光纖面板,光纖面板一端為由嵌入Gd2O2S:Tb熒光顆粒構成的熒光閃爍體,光纖面板遠離熒光閃爍體的另一端接CCD/CMOS圖像傳感器,X射線從熒光閃爍體進入,探測轉換為典型波長為540nm的綠色光,再經過光纖直接到達光纖面板另一面連接的CCD/CMOS圖像傳感器。2.根據(jù)權利要求1所述具有結構化閃爍體的高分辨率X射線探測器,其特征在于,所述光纖面板由數(shù)根光纖組成,在每根光纖遠離CCD/CMOS圖像傳感器的一...

    【專利技術屬性】
    技術研發(fā)人員:尹旭峰韓愚
    申請(專利權)人:上海錚實光電技術有限公司,
    類型:新型
    國別省市:

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