一種單銀層HTLE玻璃制造技術

本實用新型專利技術公開了一種單銀層HTLE玻璃，包括鋼化玻璃基板，所述鋼化玻璃基板上表面由內向外依次磁控濺射有第一膜層介質層、第二膜層功能層和第三膜層介質層，所述第一膜層介質層是氧化鋅膜層、氮化硅膜層或氧化鋅鋁膜層，所述第二膜層功能層是銀銅合金膜層、銀膜層或銀鋁合金膜層，所述第三膜層介質層是氧化鋅膜層、氮化硅膜層或氧化鋅鋁膜層。氮化硅膜層或氧化鋅鋁膜層。氮化硅膜層或氧化鋅鋁膜層。

【技術實現步驟摘要】
一種單銀層HTLE玻璃


[0001]本技術涉及一種低輻射玻璃，尤其是涉及一種單銀膜層的HTLE玻璃。

技術介紹

[0002]近年來，為提高隔熱效果，通常一塊玻璃或兩塊玻璃基板采用低輻射(Low emission，low
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e)中空玻璃以降低輻射換熱，其low
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e膜位于兩塊玻璃相對的一側。為實現玻璃的低輻射，一般采用在線low
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e玻璃或雙銀層low
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e玻璃作為玻璃基板。在線low
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e玻璃是在玻璃制備過程中，往熱的玻璃表面噴涂以錫鹽為主要成分的化學溶液，形成單層具有一定低輻射性能的氧化錫(SnO 2)化合物薄膜而制成的。在線low
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e玻璃可見光透過率一般在0.7左右，膜層堅固耐用，該技術的主要不足在于：(一)在線low
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e玻璃的的膜層材料為半導體氧化物，其紅外發射率在0.2左右，而一般金屬膜(例如銀膜)發射率小于0.1，因此在線low
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e玻璃隔熱性能仍有進步空間；(二)在線low
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e玻璃的鋼化過程是帶膜鋼化的，鋼化過程可能產生顏色變化和變形等問題，因此全鋼化中空玻璃一般不采用在線low
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e玻璃，非全鋼化中空玻璃強度和安全性能有一定缺陷。雙銀層low
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e中空玻璃一般采用磁控濺射鍍膜工藝，在玻璃表面鍍制雙銀多層膜結構，其low
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e膜結構一般為玻璃基底/介質/銀/屏蔽層/介質/銀/屏蔽層/介質，這種low
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e膜發射率較低，一般為0.05～0.1，但由于膜結構中金屬層較厚，可見光透過率較低，一般為0.4～0.5。
[0003]因此，迫切需要一種高強度、高可見光透過率、低輻射率、隔熱性能好的玻璃來滿足市場需要。

技術實現思路

[0004]針對上述存在的技術不足，本技術的目的是提供一種單銀層HTLE玻璃，以解決
技術介紹
中提出的問題。
[0005]為解決上述技術問題，本技術采用如下技術方案：
[0006]本技術提供一種單銀層HTLE玻璃，包括鋼化玻璃基板，所述鋼化玻璃基板表面由內向外依次地磁控濺射有第一膜層介質層、第二膜層功能層和第三膜層介質層，所述第一膜層介質層是氧化鋅膜層、氮化硅膜層或氧化鋅鋁膜層，所述第二膜層功能層是銀銅合金膜層、銀膜層或銀鋁合金膜層，所述第三膜層介質層是氧化鋅膜層、氮化硅膜層或氧化鋅鋁膜層。
[0007]優選地，所述第一膜層介質層的厚度為35～45nm，所述第二膜層功能層的厚度為10～20nm，所述第三膜層介質層的厚度為30～40nm。
[0008]所述氧化鋅鋁膜層中氧化鋅和氧化鋁的質量比為98:2，銀銅合金膜層或銀鋁合金膜層中銀的質量分數為90％～95％。
[0009]本技術的有益效果在于：
[0010]1、本技術采用鋼化玻璃作為基板，有效地提高了HTLE玻璃的結構強度，使得玻璃不易破碎，即使破碎后也不會掉落對人造成傷害，提高了其安全性。
[0011]2、采用包括但不限于磁控濺射法、電子束蒸發工藝將鍍膜層濺射在鋼化玻璃基板上，鍍膜層與鋼化玻璃基板間結合力強，鍍膜層致密、均勻。
[0012]3、HTLE膜是單銀層結構，銀膜層厚度為15nm左右，低于雙銀層low
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e結構(兩層銀厚度之和大于20nm)，可以提供超過90％的紅外反射率，從而實現低輻射率。兩側的介質層可以降低膜層的反射率，提高透過率，使得單銀層結構可以兼具高可見光透過率和低輻射率，HTLE膜結構的玻璃可見光透光率超過0.75，輻射率低至0.05。
[0013]4、普通玻璃在室溫環境下與室內的輻射換熱系數約5.4W/(m 2
·
K)，采用HTLE玻璃后可降至0.42W/(m 2
·
K)。HTLE玻璃降低了輻射熱損，提高了玻璃的隔熱性能，降低了能源消耗。因此本技術可以實現單層玻璃高強度、高透光率、低輻射率、隔熱性能好的統一。
附圖說明
[0014]為了更清楚地說明本技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1為本技術實施例提供的單銀層HTLE玻璃的結構示意圖；
[0016]附圖標記說明：
[0017]1?
鋼化玻璃基板，2
?
第一膜層介質層，3
?
第二膜層功能層，4
?
第三膜層介質層。
具體實施方式
[0018]下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。
[0019]在本技術的描述中，需要理解的是，術語“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“頂”、“底”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本技術和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本技術的限制。
[0020]實施例：
[0021]如圖1所示，本技術提供了一種單銀層HTLE玻璃，包括鋼化玻璃基板1，所述鋼化玻璃基板1表面由內向外依次地磁控濺射有第一膜層介質層2、第二膜層功能層3和第三膜層介質層4；所述第一膜層介質層2是氧化鋅膜層、氮化硅膜層或氧化鋅鋁膜層，所述第二膜層功能層3是銀銅合金膜層、銀膜層或銀鋁合金膜層，所述第三膜層介質層4是氧化鋅膜層、氮化硅膜層或氧化鋅鋁膜層。
[0022]所述第一膜層介質層2的厚度為35～45nm，所述第二膜層功能層3的厚度為10～20nm，所述第三膜層介質層4的厚度為30～40nm。
[0023]所述氧化鋅鋁膜層中氧化鋅和氧化鋁的質量比為98:2，銀銅合金膜層或銀鋁合金膜層中銀的質量分數為90％～95％
[0024]本技術單銀層HTLE玻璃的制備方法包括以下步驟：
[0025]步驟1：鋼化玻璃基板清洗干凈并吹干，置于真空濺射區；
[0026]步驟2：在鋼化玻璃基板上采用包括但不限于磁控濺射、電子束蒸發等工藝技術，以下簡述為“磁控濺射”的方式沉積氧化鋅層，所用靶材為氧化鋅圓靶，其中氧化鋅純度為99.999％，電源為射頻電源，功率為150～250W，工藝氣體為純氬氣，氣壓為3mTorr，在室溫下沉積。
[0027]步驟3：在氧化鋅層上采用磁控濺射的方式沉積銀層，所用靶材為Ag圓靶，其中銀的純度為本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種單銀層HTLE玻璃，包括鋼化玻璃基板(1)，其特征在于，所述鋼化玻璃基板(1)上表面由內向外依次磁控濺射有第一膜層介質層(2)、第二膜層功能層(3)和第三膜層介質層(4)，所述第一膜層介質層(2)是氧化鋅膜層、氮化硅膜層或氧化鋅鋁膜層，所述第二膜層功能層(3)是銀銅合金膜層、銀膜層或...

【專利技術屬性】
技術研發人員：葉宏，龍林爽，
申請(專利權)人：鄧凱，
類型：新型
國別省市：